ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLR3717TRLPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号： IRLR3717TRLPBF
  • 制造商： International Rectifier
  • 库位|库存： xxxx|xxxx
  • 要求：
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRLR3717TRLPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3717TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3717TRLPBF价格参考。International RectifierIRLR3717TRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak。您可以下载IRLR3717TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR3717TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品
描述

MOSFET N-CH 20V 120A DPAKMOSFET MOSFT 20V 120A 21nC 4.2mOhm Qg log lvl
产品分类

FET - 单分离式半导体
FET功能

逻辑电平门
FET类型

MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流

120 A
品牌

International Rectifier
产品手册

点击此处下载产品Datasheet
产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3717TRLPBFHEXFET®
数据手册

点击此处下载产品Datasheet
产品型号

IRLR3717TRLPBF
PCN过时产品

点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation

89 W
Pd-功率耗散

89 W
Qg-GateCharge

31 nC
Qg-栅极电荷

31 nC
RdsOn-漏源导通电阻

4 mOhms
Vds-漏源极击穿电压

20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.45 V
Vgsth-栅源极阈值电压

2.45 V
上升时间

14 ns
下降时间

16 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）

2.45V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)

2830pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

31nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）

4 毫欧 @ 15A，10V
产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类

MOSFET
供应商器件封装

D-Pak
功率-最大值

89W
包装

带卷 （TR）
商标

International Rectifier
安装类型

表面贴装
安装风格

SMD/SMT
导通电阻

4 mOhms
封装

Reel
封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体

DPAK-2
工厂包装数量

3000
晶体管极性

N-Channel
最大工作温度

+ 175 C
标准包装

6,000
正向跨导-最小值

49 S
汲极/源极击穿电压

20 V
漏极连续电流

120 A
漏源极电压(Vdss)

20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）

120A （Tc）
配置

Single
推荐商品

型号：STI26NM60N

品牌：STMicroelectronics

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：NTB6412ANT4G

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：RSC002P03T316

品牌：Rohm Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRFR210TRL

品牌：Vishay Siliconix

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：TK40P03M1(T6RDS-Q)

品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：FQA70N10

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：SPW15N60C3FKSA1

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：AON2411

品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称：分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
最新资讯
IRLR3717TRLPBF 相关产品

IRFR3411PBF

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

IRFI840GLC

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系销售

NDT02N40T1G

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售

IRF710STRLPBF

品牌：Vishay Siliconix

价格：￥5.70-￥9.70

联系销售

NTMS10P02R2

品牌：ON Semiconductor

价格：￥3.90-￥3.90

联系销售

IPB06N03LB

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

IRFR5410TRL

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

FDMS8333L

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售
猜你喜欢 最新产品推荐 其他制造商
NTLJS3113PT1G
FDPF8N50NZT
BUK962R1-40E,118
IRFZ34NL
SUM90P10-19-E3
IRFP140NPBF
TPCP8004(TE85L,F)
IXFX140N25T
SI4712DY-T1-GE3
FQU4P25TU
FQA46N15
IRFL214PBF
PSMN059-150Y,115
IRFS4020PBF
IRF740ALPBF
IRFB38N20DPBF
FQU20N06LTU
IRFP264NPBF
IRFP21N60LPBF
NTD18N06T4G
STP13NK60ZFP
AOB480L
STB14NK60ZT4
IPB12CN10N G
PMXB56ENZ
2SK3747
BUK9506-75B,127
SI7445DP-T1-GE3
NTR4501NT1G
STW11NK90Z
IRFR1N60ATRPBF
TPCC8008(TE12L,QM)
IRF7464
SI3442CDV-T1-GE3
IXTP110N055T
DMN30H14DLY-13
IRF7402TR
SIR644DP-T1-GE3
IRFR220PBF
IRF7811APBF
STV270N4F3
IRFU024NPBF
2N7002BKW,115
STB20NM50FDT4
BUK963R3-60E,118
RJK0393DPA-00#J5A
FQD16N15TM
IRF7473PBF
NTMFS4C06NT3G
BUK7Y53-100B,115
International Rectifier

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:2)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:9) IRLR3717PbF IRLU3717PbF Applications HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET (cid:1) High Frequency Synchronous Buck V R max Qg Converters for Computer Processor Power DSS DS(on) (cid:0) (cid:1) High Frequency Isolated DC-DC 20V 4.0m 21nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use (cid:1) Lead-Free Benefits (cid:1) Very Low R at 4.5V V DS(on) GS (cid:1) Ultra-Low Gate Impedance D-Pak I-Pak (cid:1) Fully Characterized Avalanche Voltage IRLR3717 IRLU3717 and Current Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage 20 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 120(cid:3) A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 81(cid:3) IDM Pulsed Drain Current (cid:0) 460 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 89 W PD @TC = 100°C Maximum Power Dissipation 44 Linear Derating Factor 0.59 W/°C TJ Operating Junction and -55 to + 175 °C TSTG Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 1.69 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount) (cid:1)(cid:2) ––– 50 RθJA Junction-to-Ambient ––– 110 Notes(cid:1)(cid:1)(cid:1)through (cid:2) are on page 11 www.irf.com 1 12/08/04

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BVDSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 20 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆ΒVDSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 12 ––– mV/°CReference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 3.4 4.0 mΩ VGS = 10V, ID = 15A (cid:4) ––– 4.6 5.5 V = 4.5V, I = 12A (cid:4) GS D VGS(th) Gate Threshold Voltage 1.55 2.0 2.45 V VDS = VGS, ID = 250µA ∆VGS(th)/∆TJ Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -6.4 ––– mV/°C IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 1.0 µA VDS = 16V, VGS = 0V ––– ––– 150 V = 16V, V = 0V, T = 125°C DS GS J IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA VGS = 20V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 49 ––– ––– S V = 10V, I = 12A DS D Qg Total Gate Charge ––– 21 31 Qgs1 Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 6.4 ––– VDS = 10V Qgs2 Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 1.9 ––– nC VGS = 4.5V Qgd Gate-to-Drain Charge ––– 7.2 ––– ID = 12A Qgodr Gate Charge Overdrive ––– 5.5 ––– See Fig. 16 Qsw Switch Charge (Qgs2 + Qgd) ––– 9.1 ––– Qoss Output Charge ––– 13 ––– nC VDS = 10V, VGS = 0V td(on) Turn-On Delay Time ––– 14 ––– VDD = 10V, VGS = 4.5V (cid:4) tr Rise Time ––– 14 ––– ns ID = 12A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 5.8 ––– Clamped Inductive Load tf Fall Time ––– 16 ––– Ciss Input Capacitance ––– 2830 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 920 ––– pF VDS = 10V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 420 ––– ƒ = 1.0MHz Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units EAS Single Pulse Avalanche Energy(cid:0) ––– 460 mJ IAR Avalanche Current(cid:1)(cid:2) ––– 12 A EAR Repetitive Avalanche Energy (cid:2) ––– 8.9 mJ Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 120(cid:3) MOSFET symbol D (Body Diode) A showing the ISM Pulsed Source Current ––– ––– 460 integral reverse G (Body Diode)(cid:1)(cid:2) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.0 V TJ = 25°C, IS = 12A, VGS = 0V (cid:4) trr Reverse Recovery Time ––– 22 33 ns TJ = 25°C, IF = 12A, VDD = 10V Qrr Reverse Recovery Charge ––– 13 19 nC di/dt = 100A/µs (cid:4) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V 6.0V 6.0V 4.5V 4.5V A) 100 43..05VV A) 43..05VV n(t 32..08VV n(t 32..08VV uerr BOTTOM 2.5V uerr100 BOTTOM 2.5V C 10 C e e c c ur ur o o S S o- 1 o- n-t n-t 10 ai ai Dr 2.5V Dr 2.5V , D 0.1 , D I I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 0.01 1.0 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.0 e ID = 30A c an VGS = 10V )Α(nt 100 TJ = 175°C Ressti CSouueecrrr 10 OSnoouec-r maedz)il 1.5 Danor-- tI,iD 1 TJ = 2V250D°µCSs =P U25LVSE WIDTH Danr-, tiRDSon() No(r 1.0 0.1 0.5 0 2 4 6 8 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 100000 6.0 VGS = 0V, f = 1 MHZ I = 12A C = C + C , C SHORTED D iss gs gd ds CCrossss == CCdgsd + Cgd Vge() 5.0 VVDDSS== 1160VV Fp)10000 oatl 4.0 ec( Ve n c aacti Ciss Sour 3.0 CCap ,1000 Coss aeo--tt 2.0 G Crss , S G V 1.0 100 0.0 1 10 100 0 5 10 15 20 25 30 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs. Fig 6. Typical Gate Charge vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000.00 10000 TJ = 25°C OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) An()t TJ = 175°C An() t 1000 DS e e urr100.00 urr C C n e Dari oucr 100 eevsr 10.00 Son--t 100µsec Re ,DS Dar ,iD 10 Tc = 25°C 1msec I I Tj = 175°C 10msec VGS = 0V Single Pulse 1.00 1 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 0 1 10 100 1000 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 125 3.0 Limited By Package V) 100 e( 2.5 g a CAuenrr()t 75 Voehods tll 12..50 ID = 250µA n hr DariI,D 50 Gae tth) 1.0 25 S(t G 0.5 V 0 0.0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 200 25 50 75 100 125 150 175 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature Case Temperature 10 )C 1 D = 0.50 J h Z t 0.20 Raeponess( l 0.1 0000....00102105 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τCτ R000i ...(762°729C191/W ) 000 τ...i000 (007s062e441c391)019 m Ci= τi/Ri er 0.01 Ci= τi/Ri h T SINGLE PULSE Notes: ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 15V 2000 mJ) ID VDS L DRIVER egyr( TOP 89..27AA En 1500 BOTTOM12A e RG D.U.T +- VDD nhc 2V0GVS IAS A aavl 1000 tp 0.01Ω Ae s ul Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit P e gl 500 n Si V(BR)DSS ,S A tp E 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting TJ , Junction Temperature (°C) Fig 12c. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current L IAS D V DS Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms + V - DD D.U.T Current Regulator V Same Type as D.U.T. GS Pulse Width < 1µs Duty Factor < 0.1% 50KΩ 12V .2µF .3µF Fig 14a. Switching Time Test Circuit + D.U.T. -VDS V DS 90% VGS 3mA 10% IG ID V GS Current Sampling Resistors Fig 13. Gate Charge Test Circuit td(on) tr td(off) tf Fig 14b. Switching Time Waveforms 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Driver Gate Drive (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:27) (cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:9)(cid:6)(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:13) VGS=10V • (cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:16)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:7)(cid:18)(cid:12)(cid:14)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) (cid:7)(cid:7) • (cid:19)(cid:3)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:14)(cid:7)(cid:20)(cid:21)(cid:9)(cid:12)(cid:15) - (cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7) (cid:7)•(cid:7)(cid:7) (cid:7) (cid:1)(cid:8)(cid:11)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:15)(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:6)(cid:9)(cid:7)(cid:24)(cid:22)(cid:3)(cid:9)(cid:9)(cid:23)(cid:12)(cid:15)(cid:13)(cid:7)(cid:25)(cid:18)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:14)(cid:26)(cid:5)(cid:15)(cid:4)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) D.U.T. ISDWaveform + (cid:5) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - + Current Current - di/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:1) dv/dt VDD (cid:2) (cid:17)(cid:19) • (cid:14)(cid:28)(cid:29)(cid:14)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:30)(cid:10)(cid:7)(cid:31)(cid:1) (cid:27)(cid:27) Re-Applied • (cid:27)(cid:3)(cid:2)(cid:28)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:7)(cid:6)(cid:10) (cid:15)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:27)!"!(cid:24)! + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:18)(cid:2)(cid:3)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:30)(cid:10)(cid:7)(cid:27)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)#(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:7)$(cid:27)$ - Inductor Curent • (cid:27)!"!(cid:24)!(cid:7)%(cid:7)(cid:27)(cid:15)(cid:28)(cid:2)(cid:4)(cid:15)(cid:7)"(cid:12)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:15)(cid:13)(cid:6) Ripple ≤ 5% ISD (cid:27)(cid:1)(cid:2) (cid:1)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:2)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:1)(cid:8)(cid:12)(cid:13)(cid:12)(cid:14)(cid:1)(cid:15)(cid:12)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:16) (cid:19)(cid:17) Fig 15. (cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:1)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:14)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:20)(cid:1)(cid:15)(cid:18)(cid:21)(cid:15)(cid:22)(cid:1)(cid:23)(cid:10)(cid:24)(cid:22)(cid:1)(cid:25)(cid:13)(cid:19)(cid:17)(cid:26)(cid:13)(cid:22)(cid:1)for N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFETs Id Vds Vgs Vgs(th) Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 16. Gate Charge Waveform www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Power MOSFET Selection for Non-Isolated DC/DC Converters Control FET Synchronous FET (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:3)(cid:12)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14) The power loss equation for Q2 is approximated (cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:18)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:4)(cid:8)(cid:4)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:14)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:6)(cid:19)(cid:5)(cid:22)(cid:6)(cid:10)(cid:9)(cid:23)(cid:9)(cid:24)(cid:25)(cid:9)(cid:7)(cid:11)(cid:26)(cid:9)(cid:24)(cid:27)(cid:28) by; (cid:29)(cid:12)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:13)(cid:6)(cid:16)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:6)(cid:26)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:18)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:24)(cid:25)(cid:30)(cid:9)(cid:7)(cid:8)(cid:14)(cid:12)(cid:9)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:26) (cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:31)(cid:12)(cid:11)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:8)(cid:9) !"(cid:30)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:6)(cid:20)(cid:3)(cid:7)(cid:5)(cid:10)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:15)#(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)$(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4) P = P + P + P* %&(cid:2) !"(cid:30)(cid:9)(cid:15)(cid:22)(cid:10)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:12)(cid:11)(cid:26)(cid:22)(cid:5)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:12)(cid:11)(cid:8)#(cid:9)(cid:7)(cid:15)(cid:12)(cid:22)(cid:10) loss conduction drive output (cid:12)(cid:11)(cid:4)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:28) ( 2 ) P = I × R loss rms ds(on) (cid:29)(cid:12)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:12)(cid:11)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:8)(cid:9)(cid:14)(cid:18)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:24)(cid:25)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:11) ( ) (cid:15)#’ + Q ×V × f g g Ploss = Pconduction+ Pswitching+ Pdrive+ Poutput +⎛⎜ Qoss ×V × f⎞ +(Q ×V × f) ⎝ 2 in ⎠ rr in This can be expanded and approximated by; *dissipated primarily in Q1. P =(I 2× R ) loss rms ds(on) For the synchronous MOSFET Q2, R is an im- ds(on) ⎛ Q ⎞ ⎛ Q ⎞ portant characteristic; however, once again the im- +⎜ I× gd ×V × f⎟ +⎜ I× gs2 ×V × f⎟ portance of gate charge must not be overlooked since ⎝ ig in ⎠ ⎝ ig in ⎠ it impacts three critical areas. Under light load the MOSFET must still be turned on and off by the con- +(Qg ×Vg × f) trol IC so the gate drive losses become much more significant. Secondly, the output charge Q and re- +⎛ Qoss ×V × f⎞ verse recovery charge Q both generate loosssses that ⎝ 2 in ⎠ are transfered to Q1 andr rincrease the dissipation in that device. Thirdly, gate charge will impact the "(cid:13)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:14)(cid:6)(cid:20)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:21)(cid:6)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:9)(cid:4)((cid:22)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:8)(cid:22)(cid:26)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:19)(cid:20)(cid:14)(cid:9)(cid:24) MOSFETs’ susceptibility to Cdv/dt turn on. (cid:7)(cid:2)(cid:8) (cid:7)(cid:11)(cid:26)(cid:9)(cid:24) (cid:9)(cid:18)(cid:13)(cid:6)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:11)(cid:4)(cid:18)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:9)(cid:29)(cid:12)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:9)%&(cid:2) !"(cid:9)(cid:26)(cid:7)(cid:10)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:13)(cid:4)(cid:4)(cid:10)(cid:14)(cid:28) The drain of Q2 is connected to the switching node (cid:4)(cid:2)(cid:2) (cid:24) (cid:9)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:22)(cid:15)(cid:9)(cid:4)(cid:8)(cid:4)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:19)(cid:7)(cid:26)(cid:6)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:16)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:23)(cid:14)(cid:12)(cid:22)(cid:19)(cid:5)(cid:4) of the converter and therefore sees transitions be- (cid:7)(cid:2)(cid:8) (cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:19)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:7)(cid:10)(cid:9)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:8)(cid:22)(cid:26)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9)%&(cid:2) !"(cid:9)(cid:26)(cid:7)(cid:10)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:13)(cid:4)(cid:4)(cid:10)(cid:14)(cid:28) tween ground and V . As Q1 turns on and off there is in "(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:6)(cid:20)(cid:3)(cid:12)(cid:19)(cid:10)(cid:7)(cid:11)(cid:5)(cid:4)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:14)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:10)(cid:10)(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:16)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:23)(cid:14)(cid:12)(cid:22)(cid:19)(cid:5)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:19)(cid:16)(cid:4) a rate of change of drain voltage dV/dt which is ca- (cid:6)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:9)(cid:10)(cid:18)(cid:12)(cid:9)(cid:14)(cid:22)(cid:15)(cid:9)(cid:4)(cid:8)(cid:4)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:14)(cid:30)(cid:9)(cid:24) (cid:9)(cid:7)(cid:11)(cid:26)(cid:9)(cid:24) (cid:30)(cid:9)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:4)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:21)(cid:19)(cid:12)(cid:20) pacitively coupled to the gate of Q2 and can induce (cid:7)(cid:2)(cid:9) (cid:7)(cid:2)(cid:8) (cid:6)(cid:16)(cid:9)(cid:25))(cid:28) a voltage spike on the gate that is sufficient to turn (cid:24) (cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:26)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:19)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:7)(cid:10)(cid:9)(cid:20)(cid:22)(cid:14)(cid:10)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:22)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:15)# the MOSFET on, resulting in shoot-through current . (cid:7)(cid:2)(cid:8) (cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:16)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:9)(cid:26)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:19)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:10)(cid:18)(cid:4)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:7)(cid:10)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:19)(cid:4)(cid:14)(cid:13)(cid:12)(cid:8)(cid:26) The ratio of Q /Q must be minimized to reduce the gd gs1 (cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:19)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:13)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:9)(cid:7)(cid:11)(cid:26)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:26)(cid:19)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:5)(cid:22)(cid:19)(cid:23) potential for Cdv/dt turn on. (cid:19)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:9)(cid:19)(cid:6)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:9)* (cid:9)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:9)(cid:18)(cid:13)(cid:6)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:26)(cid:19)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:23) (cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:16)(cid:6)(cid:11)(cid:14)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:11)(cid:16)(cid:4)(cid:28)(cid:9)%(cid:6)(cid:11)(cid:6)(cid:20)(cid:6)+(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:24) (cid:9)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:7)(cid:9)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:10)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:21)(cid:7)(cid:5)(cid:10)(cid:12)(cid:19)(cid:9)(cid:6)(cid:11) (cid:7)(cid:2)(cid:8) (cid:19)(cid:4)(cid:26)(cid:22)(cid:5)(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:14)(cid:18)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:24)(cid:25)(cid:28) (cid:24) (cid:9)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:19)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:7)(cid:10)(cid:9)(cid:20)(cid:22)(cid:14)(cid:10)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:22)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:12)(cid:22)(cid:10)(cid:23) (cid:4)(cid:2)(cid:2) (cid:3)(cid:22)(cid:10)(cid:9)(cid:5)(cid:7)(cid:3)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)(cid:11)(cid:5)(cid:4)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)%&(cid:2) !"(cid:9)(cid:26)(cid:22)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:4)(cid:17)(cid:4)(cid:19)#(cid:9)(cid:14)(cid:18)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:23) (cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:5)#(cid:5)(cid:8)(cid:4)(cid:28)(cid:9) (cid:6)(cid:16)(cid:22)(cid:19)(cid:4)(cid:9),(cid:9)(cid:14)(cid:13)(cid:12)(cid:18)(cid:14)(cid:9)(cid:13)(cid:12)(cid:18)(cid:9)(cid:24) (cid:9)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:21)(cid:12)(cid:19)(cid:20)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:15)#(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4) (cid:4)(cid:2)(cid:2) (cid:3)(cid:7)(cid:19)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:5)(cid:12)(cid:20)(cid:15)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:26)(cid:4)(cid:3)(cid:4)(cid:11)(cid:26)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:9)-(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:23) (cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:4)(cid:7)(cid:19).(cid:9)(cid:5)(cid:7)(cid:3)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)(cid:11)(cid:5)(cid:4)/(cid:14)(cid:9)(cid:31) (cid:9)(cid:7)(cid:11)(cid:26)(cid:9)(cid:31) (cid:9)(cid:18)(cid:13)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:20)(cid:22)(cid:8)(cid:10)(cid:6)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:15)# (cid:1)(cid:2) (cid:1)(cid:7) (cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:3)(cid:12)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:9)(cid:14)(cid:22)(cid:3)(cid:3)(cid:8)#(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:22)(cid:10)(cid:9)(cid:15)(cid:22)(cid:14)(cid:14)(cid:9)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:28) Figure A: Q Characteristic oss 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) 0(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:14)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:14)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:13)(cid:12)(cid:18)(cid:11)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:20)(cid:6)(cid:8)(cid:8)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:10)(cid:4)(cid:19)(cid:14)(cid:9)-(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:13)(cid:4)(cid:14). (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFR120 PART NUMBER WITH ASSEMBLY INTERNATIONAL LOT CODE 1234 RECTIFIER IRFU120 DATE CODE ASSEMBLED ON WW 16, 1999 LOGO 916A YEAR 9 = 1999 IN THE ASSEMBLY LINE "A" 12 34 WEEK 16 LINE A Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead-Free" LOT CODE OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE PRODUCT (OPTIONAL) 12 34 YEAR 9 = 1999 ASSEMBLY WEEK 16 LOT CODE A = ASSEMBLY SITE CODE www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) 0(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:14)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:14)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:13)(cid:12)(cid:18)(cid:11)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:20)(cid:6)(cid:8)(cid:8)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:10)(cid:4)(cid:19)(cid:14)(cid:9)-(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:13)(cid:4)(cid:14). (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFU120 PART NUMBER INTERNATIONAL WALOSITSTH EC MAOSBDSLEEE DM56 BO7L8NY WW 19, 1999 RELCOTGIFOIER IRFU192109A DYEAATRE C9 O=D 1E999 56 78 WEEK 19 IN THE ASSEMBLY LINE "A" LINE A Note: "P" in assembly line ASSEMBLY position indicates "Lead-Free" LOT CODE (cid:1)(cid:2) PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE 56 78 PRODUCT (OPTIONAL) YEAR 9 = 1999 ASSEMBLY WEEK 19 LOT CODE A = ASSEMBLY SITE CODE 10 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:29)(cid:25)(cid:6)(cid:30)(cid:6)(cid:31)(cid:25)(cid:25)(cid:27)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) 0(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:14)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:14)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:13)(cid:12)(cid:18)(cid:11)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:20)(cid:6)(cid:8)(cid:8)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:10)(cid:4)(cid:19)(cid:14)(cid:9)-(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:13)(cid:4)(cid:14). TR TRR TRL 16.3 ( .641 ) 16.3 ( .641 ) 15.7 ( .619 ) 15.7 ( .619 ) 12.1 ( .476 ) 8.1 ( .318 ) FEED DIRECTION FEED DIRECTION 11.9 ( .469 ) 7.9 ( .312 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 13 INCH 16 mm NOTES : 1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481. (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:1)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:4) Calculated continuous current based on maximum allowable max. junction temperature. junction temperature. Package limitation current is 30A. (cid:5) (cid:1)Starting TJ = 25°C, L = 6.4mH, RG = 25Ω, (cid:2) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). IAS = 12A. For recommended footprint and soldering techniques refer to (cid:3) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. application note #AN-994. Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 12/04 www.irf.com 11

Note: For the most current drawings please refer to the IR website at: http://www.irf.com/package/