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  • 型号: IRLR3717PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3717PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3717PBF价格参考。International RectifierIRLR3717PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLR3717PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3717PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 120A DPAKMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

120 A

Id-连续漏极电流

120 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3717PBFHEXFET®

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产品型号

IRLR3717PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

89 W

Pd-功率耗散

89 W

Qg-GateCharge

21 nC

Qg-栅极电荷

21 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.55 V to 2.45 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.55 V to 2.45 V

上升时间

14 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.45V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2830pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

31nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4 毫欧 @ 15A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

*IRLR3717PBF

典型关闭延迟时间

5.8 ns

功率-最大值

89W

功率耗散

89 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

5.7 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

21 nC

标准包装

75

正向跨导-最小值

49 S

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

120 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr_u3717.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr_u3717.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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