【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRLR3705ZTRPBF】封装/厂家_IRLR3705ZTRPBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLR3705ZTRPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRLR3705ZTRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRLR3705ZTRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3705ZTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3705ZTRPBF价格参考。International RectifierIRLR3705ZTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 130W（Tc） D-Pak。您可以下载IRLR3705ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR3705ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 55V 42A DPAKMOSFET MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	89 A
Id-连续漏极电流	89 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3705ZTRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRLR3705ZTRPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	130 W
Pd-功率耗散	130 W
Qg-GateCharge	66 nC
Qg-栅极电荷	66 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	8 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	8 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	55 V
Vds-漏源极击穿电压	55 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	150 ns
下降时间	70 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	66nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	8 毫欧 @ 42A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	IRLR3705ZTRPBFDKR
功率-最大值	130W
功率耗散	130 W
包装	Digi-Reel®
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	8 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
栅极电荷Qg	66 nC
标准包装	1
正向跨导-最小值	89 S
汲极/源极击穿电压	55 V
漏极连续电流	89 A
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	42A （Tc）
配置	Single