ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRLR3705ZPBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRLR3705ZPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3705ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3705ZPBF价格参考。International RectifierIRLR3705ZPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 130W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR3705ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3705ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRLR3705ZPBF是一款N沟道逻辑电平MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:适用于降压或升压转换器中的开关元件,提供高效的功率传输和低导通损耗。 - 负载开关:用于控制电路中不同负载的开启与关闭,确保系统稳定运行。 - 电池管理:在锂电池或其他可充电电池系统中,用作保护开关或充放电控制。 2. 电机驱动 - 小型直流电机驱动:适用于玩具、家用电器等领域的低功率电机驱动,提供快速开关和低功耗特性。 - H桥电路:用于双向电机控制,支持正转、反转及制动功能。 3. 消费电子 - 便携式设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,作为电源开关或信号切换元件。 - 音频设备:用于功率放大器中的开关或保护电路,确保音频信号的稳定输出。 4. 工业应用 - 伺服控制系统:在工业自动化领域,用于精密控制伺服电机的启停和速度调节。 - 继电器替代:利用其快速开关特性和长寿命优势,替代传统机械继电器。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、座椅调节器、雨刷器等低功率应用。 - LED驱动:用于汽车内外部LED灯的亮度调节和开关控制。 6. 通信设备 - 信号切换:在路由器、交换机等网络设备中,用于信号路径的选择与切换。 - 电源模块:为通信基站或终端设备提供稳定的电源输出。 特性总结 IRLR3705ZPBF具有低导通电阻(典型值为3.5mΩ)、高开关速度和出色的热性能,适合需要高效能、低功耗和紧凑设计的应用场景。其逻辑电平驱动能力使其能够直接与微控制器或逻辑电路配合使用,进一步简化了系统设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 42A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 44nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 89 A |
Id-连续漏极电流 | 89 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3705ZPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLR3705ZPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 130 W |
Pd-功率耗散 | 130 W |
Qg-GateCharge | 44 nC |
Qg-栅极电荷 | 44 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
上升时间 | 150 ns |
下降时间 | 70 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 42A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | *IRLR3705ZPBF |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
功率-最大值 | 130W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
正向跨导-最小值 | 89 S |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlru3705z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlru3705z.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |