ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRLR3110ZTRPBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRLR3110ZTRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3110ZTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3110ZTRPBF价格参考。International RectifierIRLR3110ZTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR3110ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3110ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLR3110ZTRPBF是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电机驱动 IRLR3110ZTRPBF常用于直流无刷电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中,尤其是在电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇等)、机器人和自动化控制系统中。它能够提供高效、低损耗的开关特性,确保电机运行稳定且节能。 2. 电源管理 该器件在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)等电源管理电路中有广泛应用。由于其低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度,IRLR3110ZTRPBF可以有效降低功耗,提高电源效率,并减少发热问题。 3. 逆变器与变频器 在太阳能逆变器、UPS不间断电源、工业变频器等应用中,IRLR3110ZTRPBF可用于实现高效的功率转换。它能够承受较高的电流和电压波动,确保系统在复杂工况下稳定运行。 4. 负载开关与保护电路 该MOSFET还适用于负载开关、过流保护、短路保护等电路设计。通过精确控制开关状态,它可以有效防止电路过载或损坏,提升系统的可靠性和安全性。 5. 汽车电子 在汽车电子领域,IRLR3110ZTRPBF可用于车载充电器、LED照明驱动、电动座椅调节、电动助力转向(EPS)等系统中。它具有良好的抗干扰能力和耐高温性能,能够在严苛的车载环境中长期稳定工作。 6. 消费电子产品 除了工业和汽车应用外,IRLR3110ZTRPBF也常见于笔记本电脑适配器、智能手机快充模块、智能家居设备等消费电子产品中。其紧凑的封装形式和优异的电气特性使其成为小型化、高性能电子产品中的理想选择。 总之,IRLR3110ZTRPBF凭借其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性,在多种电力电子应用场景中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
Ciss-输入电容 | 3.98 nF |
描述 | MOSFET N-CH 100V 42A DPAKMOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 63 A |
Id-连续漏极电流 | 63 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3110ZTRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLR3110ZTRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Qg-GateCharge | 34 nC |
Qg-栅极电荷 | 34 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
上升时间 | 110 ns |
下降时间 | 48 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3980pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 38A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | IRLR3110ZTRPBF-ND |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
功率-最大值 | 140W |
功率耗散 | 140 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 16 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 34 nC |
标准包装 | 2,000 |
正向跨导-最小值 | 52 S |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 63 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr_u3110zpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr_u3110zpbf.spi |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 16 V |