ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRLR3110ZTRPBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRLR3110ZTRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3110ZTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3110ZTRPBF价格参考。International RectifierIRLR3110ZTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR3110ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3110ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLR3110ZTRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 IRLR3110ZTRPBF具有非常低的导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下仅为2.5mΩ,因此非常适合用于DC-DC转换器、降压/升压变换器等电源管理系统中。它的低导通电阻可以减少功率损耗,提高系统的整体效率,特别适用于需要高能效的应用,如笔记本电脑、智能手机和平板电脑的充电电路。 2. 电机驱动 该MOSFET的快速开关特性和低导通电阻使其成为电机驱动应用的理想选择。它可以用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他类型的电机控制电路中,提供高效的电流切换和精确的速度控制。此外,它还可以用于电动工具、家用电器(如吸尘器、风扇)中的电机驱动部分。 3. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,IRLR3110ZTRPBF可以用于电池充放电保护电路,确保电池在过充、过放或短路等异常情况下能够安全断开。它的低导通电阻有助于减少电池内部的发热,延长电池寿命,并提高系统的安全性。 4. 负载开关 该MOSFET常用于负载开关应用,特别是在需要频繁开启和关闭负载的场合。例如,在汽车电子系统中,它可以用于控制车灯、雨刷、空调等设备的电源通断,确保这些设备在不使用时不会消耗过多的电能。 5. 通信设备 在通信设备中,IRLR3110ZTRPBF可用于电源模块、信号调理电路等。由于其低导通电阻和快速开关特性,能够在保证性能的同时降低功耗,适用于基站、路由器等通信设备中的电源管理部分。 6. 工业自动化 在工业自动化领域,该MOSFET可以用于各种传感器、执行器和控制器的电源管理,确保这些设备在复杂的工作环境中稳定运行。例如,在工厂自动化生产线中,它可以用于控制气动阀门、液压泵等设备的电源通断。 总之,IRLR3110ZTRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业自动化等多个领域,尤其是在需要高效开关和低功耗的场合表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
Ciss-输入电容 | 3.98 nF |
描述 | MOSFET N-CH 100V 42A DPAKMOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 63 A |
Id-连续漏极电流 | 63 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3110ZTRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLR3110ZTRPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Qg-GateCharge | 34 nC |
Qg-栅极电荷 | 34 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
上升时间 | 110 ns |
下降时间 | 48 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3980pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 38A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | IRLR3110ZTRPBF-ND |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
功率-最大值 | 140W |
功率耗散 | 140 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 16 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 34 nC |
标准包装 | 2,000 |
正向跨导-最小值 | 52 S |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 63 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr_u3110zpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr_u3110zpbf.spi |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 16 V |