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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3110ZTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3110ZTRLPBF价格参考。International RectifierIRLR3110ZTRLPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR3110ZTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR3110ZTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRLR3110ZTRLPBF是一款晶体管 - FET,MOSFET - 单类型的产品。以下是其主要应用场景的描述: 1. 电源管理 - IRLR3110ZTRLPBF适用于各种电源管理场景,例如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性能够有效降低功率损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中,这款MOSFET可用于控制电机的速度和方向。它适合用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机和其他低功率电机驱动场景。 3. 消费电子设备 - 广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的电源管理系统。它的紧凑封装形式和高效性能使其非常适合空间受限的设计。 4. 汽车电子 - 在汽车电子领域,该型号可以用于车身控制系统、电动助力转向(EPS)、空调系统以及LED照明驱动等。其高可靠性和耐高温性能满足了汽车环境的要求。 5. 工业自动化 - 用于工业自动化设备中的信号切换、负载控制和保护电路。例如,它可以作为固态继电器的组件,实现快速、可靠的开关功能。 6. 通信设备 - 在基站、路由器和其他通信设备中,IRLR3110ZTRLPBF可用于电源管理和信号调节,确保设备在高效、稳定的条件下运行。 7. 电池管理系统(BMS) - 在锂电池或其他可充电电池的管理系统中,该MOSFET可以用作充放电控制开关,提供高效的电流路径并保护电池免受过流或短路的影响。 总结 IRLR3110ZTRLPBF凭借其低导通电阻、高开关速度和紧凑封装,广泛应用于需要高效功率转换和精确控制的场景。无论是消费电子、汽车电子还是工业自动化领域,它都能提供出色的性能表现。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 42A DPAKMOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 63 A |
Id-连续漏极电流 | 63 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3110ZTRLPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLR3110ZTRLPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Qg-GateCharge | 48 nC |
Qg-栅极电荷 | 48 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
上升时间 | 110 ns |
下降时间 | 48 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3980pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 38A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 140W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
标准包装 | 6,000 |
正向跨导-最小值 | 52 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
配置 | Single |