【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRLR3103TRPBF】封装/厂家_IRLR3103TRPBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLR3103TRPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRLR3103TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR3103TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR3103TRPBF价格参考。International RectifierIRLR3103TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 107W（Tc） D-Pak。您可以下载IRLR3103TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR3103TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRLR3103TRPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单通道设计。该型号的应用场景主要包括以下几个方面：

 1. 电机驱动与控制
   - IRLR3103TRPBF 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于高效能的电机驱动电路中，例如无刷直流电机（BLDC）和步进电机。
   - 应用于消费电子设备中的小型电机驱动，如风扇、泵或电动工具。

 2. 电源管理
   - 在开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中作为开关元件使用，能够实现高效的电压转换。
   - 适用于笔记本电脑适配器、手机充电器以及其他便携式设备的电源管理系统。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 用于锂电池保护电路中，作为充放电路径的开关，确保电池的安全运行。
   - 在电动汽车或储能系统中，可用于电池组的均衡管理和过流保护。

 4. 负载切换与保护
   - 用作负载开关，在需要快速开启或关闭电流路径的情况下提供低损耗的解决方案。
   - 提供短路保护功能，防止下游电路因过载而损坏。

 5. 音频放大器
   - 在 D 类音频放大器中充当输出级开关，以提高效率并减少热量产生。
   - 适用于便携式音响设备或汽车音响系统。

 6. 信号调节与隔离
   - 在需要高速开关的信号调节电路中使用，例如数据通信接口或传感器信号调理。

 技术优势支持的应用特点：
- 低 Rds(on)：降低导通损耗，提高整体效率。
- 高频率操作能力：适合高频开关应用，减少开关损耗。
- 小封装尺寸 (TO-252/DPAK)：节省 PCB 空间，便于小型化设计。

总之，IRLR3103TRPBF 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业自动化、汽车电子以及通信设备等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 30V 55A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	46 A
Id-连续漏极电流	46 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR3103TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRLR3103TRPBF
Pd-PowerDissipation	69 W
Pd-功率耗散	69 W
Qg-GateCharge	33.3 nC
Qg-栅极电荷	33.3 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	24 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	24 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	16 V
Vgs-栅源极击穿电压	16 V
上升时间	210 ns
下降时间	54 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	19 毫欧 @ 33A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	*IRLR3103TRPBF IRLR3103PBFCT
典型关闭延迟时间	20 ns
功率-最大值	107W
功率耗散	69 W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	24 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	33.3 nC
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	30 V
漏极连续电流	46 A
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	55A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr3103.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr3103.spi
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	16 V