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  • 型号: IRLR2908PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRLR2908PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR2908PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR2908PBF价格参考¥询价-¥询价。International RectifierIRLR2908PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 80V 30A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount D-Pak。您可以下载IRLR2908PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR2908PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 80V 30A DPAKMOSFET 80V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 28mOhms

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

30 A

Id-连续漏极电流

30 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR2908PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRLR2908PBF

Pd-PowerDissipation

120 W

Pd-功率耗散

120 W

Qg-GateCharge

22 nC

Qg-栅极电荷

22 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

28 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

28 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

上升时间

95 ns

下降时间

55 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1890pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 23A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

*IRLR2908PBF

典型关闭延迟时间

36 ns

功率-最大值

120W

功率耗散

120 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

28 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

22 nC

标准包装

75

正向跨导-最小值

35 S

汲极/源极击穿电压

80 V

漏极连续电流

30 A

漏源极电压(Vdss)

80V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlr2908.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlr2908.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

16 V

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