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Datasheet下载- 型号： IRLR2905ZPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR2905ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR2905ZPBF价格参考。International RectifierIRLR2905ZPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak。您可以下载IRLR2905ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR2905ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLR2905ZPBF是一款单通道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其应用场景非常广泛，特别是在需要高效、低损耗开关操作的电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理：IRLR2905ZPBF常用于各种电源管理系统中，如直流-直流转换器（DC-DC converters）、开关电源（SMPS）等。它具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗，提高电源效率。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，如无刷直流电机（BLDC）、步进电机和伺服电机驱动，IRLR2905ZPBF可以作为功率级元件，实现高效的电流切换和控制。其快速开关特性和低损耗有助于提高电机性能和能效。 3. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车（EV）、混合动力汽车（HEV）以及便携式电子设备的电池管理系统中，IRLR2905ZPBF可用于电池保护、充电控制和放电管理。它能够快速响应过流、短路等异常情况，确保电池安全运行。 4. 消费电子产品：在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，IRLR2905ZPBF可用于负载开关、背光驱动、音频放大器等场景。其紧凑的封装形式和低导通电阻使其成为这些应用的理想选择。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器、逆变器等，IRLR2905ZPBF可以用于信号隔离、功率放大和开关控制。它的高可靠性和稳定性确保了工业设备的长期稳定运行。 6. 通信设备：在基站、路由器、交换机等通信设备中，IRLR2905ZPBF可用于电源调节、信号调理和保护电路。其快速开关速度和低噪声特性有助于提高通信系统的性能和可靠性。 总之，IRLR2905ZPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种电力电子和控制应用，尤其适合对效率和响应速度有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 42A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR2905ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR2905ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 130 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.5 毫欧 @ 36A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRLR2905ZPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlru2905z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlru2905z.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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