PD- 95084A (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:1)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:4)(cid:2)(cid:5) (cid:1) Logic-Level Gate Drive (cid:1) Ultra Low On-Resistance D (cid:1) Surface Mount (IRLR2905) V = 55V DSS (cid:1) Straight Lead (IRLU2905) (cid:1) Advanced Process Technology R = 0.027Ω DS(on) (cid:1) Fast Switching G (cid:1) Fully Avalanche Rated I = 42A(cid:1) D (cid:1) Lead-Free S (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10) Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or D-Pak I-Pak wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for TO-252AA TO-251AA through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts are possible in typical surface mount applications. (cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:9)(cid:13)(cid:14)(cid:8)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:6)(cid:19)(cid:14)(cid:19)(cid:15)(cid:20)(cid:17)(cid:8)(cid:6)(cid:10)(cid:21)(cid:3) Parameter Max. Units I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 42 (cid:2) D C GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 30 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:3) 160 DM P @T = 25°C Power Dissipation 110 W D C Linear Derating Factor 0.71 W/°C V Gate-to-Source Voltage ± 16 V GS E Single Pulse Avalanche Energy(cid:4) 210 mJ AS I Avalanche Current(cid:3) 25 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:3) 11 mJ AR dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:5) 5.0 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 1.4 RθJA Case-to-Ambient (PCB mount)** ––– 50 °C/W RθJA Junction-to-Ambient ––– 110 (cid:1)** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ) . For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994 www.irf.com 1 12/7/04

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 55 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.070 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA ––– ––– 0.027 VGS = 10V, ID = 25A (cid:7) RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– ––– 0.030 W VGS = 5.0V, ID = 25A (cid:7) ––– ––– 0.040 VGS = 4.0V, ID = 21A (cid:7) VGS(th) Gate Threshold Voltage 1.0 ––– 2.0 V VDS = VGS, ID = 250µA gfs Forward Transconductance 21 ––– ––– S VDS = 25V, ID = 25A(cid:8) I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 25 µA VDS = 55V, VGS = 0V DSS ––– ––– 250 VDS = 44V, VGS = 0V, TJ = 150°C IGSS GGaattee--ttoo--SSoouurrccee FRoervwearsrde LLeeaakkaaggee –––––– –––––– -110000 nA VVGGSS == -1166VV Qg Total Gate Charge ––– ––– 48 ID = 25A Qgs Gate-to-Source Charge ––– ––– 8.6 nC VDS = 44V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– ––– 25 VGS = 5.0V, See Fig. 6 and 13 (cid:7)(cid:8) td(on) Turn-On Delay Time ––– 11 ––– VDD = 28V tr Rise Time ––– 84 ––– ns ID = 25A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 26 ––– RG = 3.4Ω, VGS = 5.0V tf Fall Time ––– 15 ––– RD = 1.1Ω, See Fig. 10(cid:1)(cid:7)(cid:8) Between lead, D LD Internal Drain Inductance (cid:3)(cid:3)(cid:3) (cid:1)(cid:1)4.5 (cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:3)(cid:3)(cid:3) nH 6mm (0.25in.) from package G L Internal Source Inductance ––– 7.5 ––– S and center of die contact(cid:9) S Ciss Input Capacitance ––– 1700 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 400 ––– pF VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 150 ––– ƒ = 1.0MHz, See Fig. 5(cid:8) Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 42 (cid:2) MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:2) ISM Pulsed Source Current ––– ––– 160 integral reverse G (Body Diode) (cid:3) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V TJ = 25°C, IS = 25A, VGS = 0V(cid:6)(cid:7) trr Reverse Recovery Time ––– 80 120 ns TJ = 25°C, IF = 25A Qrr Reverse RecoveryCharge ––– 210 320 nC di/dt = 100A/µs(cid:1)(cid:7)(cid:8) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) Notes: (cid:2)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:7)(cid:1)Caculated continuous current based on maximum allowable max. junction temperature. ( See fig. 11 ) junction temperature; Package limitation current = 20A. (cid:1) VDD = 25V, starting TJ = 25°C, L =470µH (cid:4) This is applied for I-PAK, LS of D-PAK is measured between RG = 25Ω, IAS = 25A. (See Figure 12) lead and center of die contact. (cid:6)ISD ≤ 25A, di/dt ≤ 270A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, (cid:5) Uses IRLZ44N data and test conditions. TJ ≤ 175°C (cid:3) Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%. 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 1000 1000 VGS(cid:31) VGS(cid:31) TOP 15V TOP 15V 12V 12V 10V 10V A) 86..00VV A) 86..00VV ent ( B O T T O M 243...500VVV ent ( B O T T O M 243...500VVV urr 100 urr 100 C C e e c c ur ur o o S S o- o- ain-t 10 ain-t 10 2.5V Dr Dr I , D 2.5V I , D 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T J = 25°C T J = 175°C 1 A 1 A 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 3.0 e (cid:31)I D = 41A c n a A) st 2.5 nt ( Resi re T J = 25°C n ur 100 O 2.0 ce C TJ = 175°C urce zed) ur So ali 1.5 o-So n-to- Norm -t 10 ai ( 1.0 I , DrainD V D S = 25V R , DrDS(on) 0.5 20µs PULSE WIDTH(cid:31) VG S = 10V(cid:31) 1 A 0.0 A 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 V , Gate-to-Source Voltage (V) T , Junction Temperature (°C) GS J Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 2800 15 V G S = 0V, f = 1MHz I D = 25A C is s = C g s + C g d , C d s SHORTED (cid:31)V D S = 44V 2400 C r s s = C gd V) (cid:31)V D S = 28V C(cid:31)iss C o s s = C d s + C gd e ( 12 g pF) 2000 olta ance ( 1600 urce V 9 pacit 1200 C(cid:31)oss o-So Ca e-t 6 C, 800 Gat C(cid:31)rss V , GS 3 400 FOR TEST CIRCUIT SEE FIGURE 13 0 A 0 A 1 10 100 0 10 20 30 40 50 60 70 V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Q G , Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED A) BY RDS(on) nt ( e n Curr ent (A) 100 10µs e Drai 100 n Curr 100µs vers TJ = 175°C Drai I , ReSD TJ = 25°C I , D 10 1ms (cid:31)T = 25°C 10ms C (cid:31)T = 175°C J 10 VG S = 0V(cid:31) A 1 Single Pulse A 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 1 10 100 VS D , Source-to-Drain Voltage (V) VD S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:5) 50 (cid:4) (cid:1) (cid:1)(cid:2) LIMITED BY PACKAGE (cid:4) (cid:21)(cid:2) (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:7) 40 (cid:5) (cid:21) A) +-(cid:4)(cid:1)(cid:1) nt ( e 30 (cid:10)(cid:4) urr C (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:8)≤ 1 (cid:14)(cid:6) n (cid:1)(cid:4)(cid:12)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:12)(cid:19)(cid:20)(cid:8)≤ 0.1 % ai Dr 20 I , D Fig 10a. Switching Time Test Circuit 10 VDS 90% 0 25 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( ° C) C 10% VGS Fig 9. Maximum Drain Current Vs. td(on) tr td(off) tf Case Temperature Fig 10b. Switching Time Waveforms 10 Z )thJC ( 1 e D = 0.50 s n o p 0.20 s e R 0.10 mal 0.1 0.05 PDM er 0.02 SINGLE PULSE t1 h 0.01 (THERMAL RESPONSE) t2 T Notes: 1. Duty factor D = t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC + TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 500 J) ID m TOP 10A y ( 17A 15V g BOTTOM 25A er 400 n E e VDS L DRIVER nch 300 a al v A RG D.U.T + e IAS - VDDA Puls 200 20V e tp 0.01Ω gl n Si 100 Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit E , AS VD D = 25V 0 A 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature (°C) V(BR)DSS J tp Fig 12c. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current IAS Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ Q 12V .2µF G .3µF (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4) + Q Q D.U.T. -VDS GS GD VGS V G 3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform Fig 13b. Gate Charge Test Circuit 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + %(cid:17)(cid:14)(cid:18)!(cid:17)(cid:25)(cid:1)(cid:15)(cid:29)(cid:28)(cid:13)!(cid:25)(cid:1)%(cid:13)(cid:26)(cid:22)(cid:17)(cid:23)(cid:19)(cid:14)(cid:29)(cid:25)(cid:17)(cid:13)(cid:26)(cid:22) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4) • (cid:1)(cid:15)(cid:13)&(cid:1)’(cid:25)(cid:14)(cid:29)(cid:28)(cid:1) (cid:26)(cid:23)!(cid:18)(cid:25)(cid:29)(cid:26)(cid:18)(cid:19) (cid:6) (cid:1)(cid:1) • ((cid:14)(cid:13)!(cid:26)(cid:23)(cid:1))(cid:21)(cid:29)(cid:26)(cid:19) (cid:1)(cid:1) • (cid:15)(cid:13)&(cid:1)(cid:15)(cid:19)(cid:29)*(cid:29)(cid:16)(cid:19)(cid:1) (cid:26)(cid:23)!(cid:18)(cid:25)(cid:29)(cid:26)(cid:18)(cid:19) (cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)%!(cid:14)(cid:14)(cid:19)(cid:26)(cid:25)(cid:1)(cid:9)(cid:14)(cid:29)(cid:26)(cid:22)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:30)(cid:19)(cid:14) - + (cid:1) (cid:3) - + - (cid:2) (cid:5)(cid:21) • (cid:23)(cid:20)(cid:24)(cid:23)(cid:25)(cid:1)(cid:18)(cid:13)(cid:26)(cid:25)(cid:14)(cid:13)(cid:21)(cid:21)(cid:19)(cid:23)(cid:1)(cid:27)(cid:28)(cid:1)(cid:5)(cid:21) + •• (cid:6) (cid:2)(cid:14)(cid:1)(cid:17)(cid:1)(cid:20)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:14)(cid:26)(cid:1)(cid:22)(cid:25)(cid:29)(cid:14)(cid:13)(cid:30)(cid:21)(cid:21)(cid:19)(cid:19)(cid:23)(cid:1)(cid:25)(cid:1)(cid:28)(cid:27)(cid:31)(cid:28)(cid:19)(cid:1)(cid:1)(cid:6)(cid:29)!(cid:22)(cid:25)(cid:1)(cid:28)(cid:6)(cid:1)"(cid:7)(cid:8)(cid:29)(cid:7)(cid:18)(cid:9)(cid:25)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:1)#(cid:6)# - (cid:4)(cid:1)(cid:1) • (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:1)$(cid:1)(cid:6)(cid:19)(cid:20)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:1)(cid:8)(cid:26)(cid:23)(cid:19)(cid:14)(cid:1)(cid:9)(cid:19)(cid:22)(cid:25) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V =10V (cid:5) GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt V DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent I Ripple ≤ 5% SD (cid:5)(cid:1)(cid:4) (cid:1)(cid:11)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:1)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:1)(cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:1)(cid:15)(cid:19)(cid:20)(cid:19)(cid:21)(cid:1)(cid:6)(cid:19)(cid:20)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:22) (cid:21)(cid:2) Fig 14. For N-Channel HEXFETS www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFR120 PART NUMBER WITH ASSEMBLY INTERNATIONAL LOT CODE 1234 RECTIFIER IRFU120 DATE CODE ASSEMBLED ON WW 16, 1999 LOGO 916A YEAR 9 = 1999 IN THE ASSEMBLY LINE "A" 12 34 WEEK 16 LINE A Note: "P" in assembly line position ASSEMBLY indicates "Lead-Free" LOT CODE OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE PRODUCT (OPTIONAL) 12 34 YEAR 9 = 1999 ASSEMBLY WEEK 16 LOT CODE A = ASSEMBLY SITE CODE 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:24)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:25)(cid:6)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:27)(cid:17)(cid:18)(cid:25) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) (cid:20)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:28)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:14)(cid:5)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) EXAMPLE: THIS IS AN IRFU120 PART NUMBER INTERNATIONAL WITH ASSEMBLY LOT CODE 5678 RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO 919A YEAR 9 = 1999 ASSEMBLED ON WW 19, 1999 56 78 WEEK 19 IN THE ASSEMBLY LINE "A" LINE A ASSEMBLY Note: "P" in assembly line LOT CODE position indicates "Lead-Free" (cid:1)(cid:2) PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER IRFU120 DATE CODE LOGO P = DESIGNATES LEAD-FREE PRODUCT (OPTIONAL) 56 78 YEAR 9 = 1999 ASSEMBLY WEEK 19 LOT CODE A = ASSEMBLY SITE CODE www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:29)(cid:25)(cid:6)(cid:30)(cid:6)(cid:31)(cid:25)(cid:25)(cid:27)(cid:6)(cid:20)(cid:18)(cid:21)(cid:22)(cid:14)(cid:23)(cid:4)(cid:15)(cid:17)(cid:22)(cid:18) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:9)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:17)(cid:12)(cid:5)(cid:7)(cid:18) TR TRR TRL 16.3 ( .641 ) 16.3 ( .641 ) 15.7 ( .619 ) 15.7 ( .619 ) 12.1 ( .476 ) FEED DIRECTION 8.1 ( .318 ) FEED DIRECTION 11.9 ( .469 ) 7.9 ( .312 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 13 INCH 16 mm NOTES : 1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. Data and specifications subject to change without notice. 12/04 10 www.irf.com

Note: For the most current drawings please refer to the IR website at: http://www.irf.com/package/

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRLR2905PBF IRLR2905TRPBF IRLR2905TRLPBF