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  • 型号: IRLR110TRPBF
  • 制造商: Vishay
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IRLR110TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR110TRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR110TRPBF价格参考。VishayIRLR110TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR110TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR110TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAKMOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.3 A

Id-连续漏极电流

4.3 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLR110TRPBF-

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产品型号

IRLR110TRPBFIRLR110TRPBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

540 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

540 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

47 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

250pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.1nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

540 毫欧 @ 2.6A,5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

IRLR110PBFDKR
IRLR110PBFDKR-ND
IRLR110TRPBFDKR

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

540 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

4.3 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.3A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 10 V

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