ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLR024NTRLPBF
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Datasheet下载- 型号： IRLR024NTRLPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR024NTRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR024NTRLPBF价格参考。International RectifierIRLR024NTRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak。您可以下载IRLR024NTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR024NTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLR024NTRLPBF是一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET，适用于多种低电压、高效率的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电机驱动：该MOSFET适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。由于其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够有效减少能耗并提高系统效率。 2. 电源管理：在低压降稳压器（LDO）、DC-DC转换器等电源管理系统中，IRLR024NTRLPBF可以作为开关元件，帮助实现高效的能量转换。它能承受较高的电流负载，并且具备良好的热稳定性，确保长时间稳定运行。 3. 电池供电设备：对于便携式电子设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及其他需要长时间续航的产品来说，选择这款MOSFET有助于优化电池使用时间，因为它可以在较低的工作电压下保持高性能表现。 4. 消费类电子产品：包括音频放大器、LED照明控制器等领域。例如，在LED灯条调光控制中，通过精确调节MOSFET的栅极电压来改变输出亮度，同时保证电路的安全性和可靠性。 5. 工业自动化：可用于各种传感器接口、继电器替代方案以及信号调理电路中。凭借其坚固耐用的设计和宽泛的工作温度范围(-55°C至+175°C)，能够在恶劣环境下可靠工作。 6. 汽车电子：符合AEC-Q101标准的版本适用于车载环境下的应用，比如电动座椅调节、车窗升降、雨刷控制系统等。这些场合要求器件具备出色的抗干扰能力和长寿命特性。 总之，IRLR024NTRLPBF凭借其卓越的电气参数和紧凑的封装形式，在众多领域展现出广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 17A DPAKMOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR024NTRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR024NTRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 38 W |
| Pd-功率耗散 | 38 W |
| Qg-GateCharge | 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 110 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlru024n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlru024n.spi |
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