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IRLR024NPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR024NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR024NPBF价格参考。International RectifierIRLR024NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR024NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR024NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies生产的IRLR024NPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有低导通电阻和快速开关特性。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 IRLR024NPBF广泛应用于各种电源管理系统中,如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻(Rds(on))能够减少功率损耗,提高电源转换效率,特别适用于需要高效能和低发热的应用场景。 2. 电机驱动 在电机控制领域,IRLR024NPBF可用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等的驱动电路。它能够承受较高的电流,并且具备良好的开关速度,确保电机运行平稳、响应迅速。 3. 电池管理系统 该MOSFET适用于锂电池、铅酸电池等电池组的保护电路。它可以作为充放电路径的开关,防止过充、过放、短路等情况发生,确保电池的安全性和寿命。 4. 消费电子产品 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中,IRLR024NPBF常用于负载开关、充电管理等电路。其紧凑的封装形式(TO-252/DPAK)有助于节省空间,同时保持高效的性能。 5. 工业自动化 在工业控制系统中,IRLR024NPBF可以用于继电器替代、信号隔离等场合。它能够承受工业环境中的严苛条件,提供可靠的开关功能。 6. 汽车电子 在汽车应用中,如电动助力转向系统(EPS)、电动刹车系统、车载充电器等,IRLR024NPBF凭借其高可靠性和耐高温特性,成为理想的选择。 总之,IRLR024NPBF以其出色的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子设备和系统的开关和控制应用,尤其在需要高效能和紧凑设计的场合表现突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 17A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
Id-连续漏极电流 | 17 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR024NPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLR024NPBF |
Pd-PowerDissipation | 38 W |
Pd-功率耗散 | 38 W |
Qg-GateCharge | 10 nC |
Qg-栅极电荷 | 10 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
上升时间 | 74 ns |
下降时间 | 29 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 10A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 20 ns |
功率-最大值 | 45W |
功率耗散 | 38 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 110 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 10 nC |
标准包装 | 75 |
正向跨导-最小值 | 8.3 S |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 17 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlru024n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlru024n.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 16 V |