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IRLML6401TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML6401TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML6401TRPBF价格参考¥0.35-¥0.47。International RectifierIRLML6401TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML6401TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLML6401TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.3 A |
Id-连续漏极电流 | - 4.3 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML6401TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLML6401TRPBF |
Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
Qg-GateCharge | 10 nC |
Qg-栅极电荷 | 10 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 830pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 4.3A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
其它名称 | *IRLML6401TRPBF |
功率-最大值 | 1.3W |
功率耗散 | 1.3 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 50 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
栅极电荷Qg | 10 nC |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
漏极连续电流 | - 4.3 A |
漏源极电压(Vdss) | 12V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlml6401.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlml6401.spi |
闸/源击穿电压 | 8 V |