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  • 型号: IRLML6401GTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML6401GTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML6401GTRPBF价格参考。International RectifierIRLML6401GTRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLML6401GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLML6401GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4.3 A

Id-连续漏极电流

- 4.3 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML6401GTRPBFHEXFET®

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产品型号

IRLML6401GTRPBF

Pd-PowerDissipation

1.3 W

Pd-功率耗散

1.3 W

Qg-GateCharge

10 nC

Qg-栅极电荷

10 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

50 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

50 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.55 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.55 V

上升时间

32 ns

下降时间

210 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

950mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

830pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

50 毫欧 @ 4.3A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Micro3™/SOT-23

其它名称

IRLML6401GTRPBFCT

典型关闭延迟时间

250 ns

功率-最大值

1.3W

功率耗散

1.3 W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

50 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

10 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

8.6 S

汲极/源极击穿电压

- 12 V

漏极连续电流

- 4.3 A

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.3A (Ta)

配置

Single

闸/源击穿电压

8 V

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