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  • 型号: IRLML6302TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRLML6302TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML6302TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML6302TRPBF价格参考¥0.50-¥0.53。International RectifierIRLML6302TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 780mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML6302TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLML6302TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 620 mA

Id-连续漏极电流

- 620 mA

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML6302TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRLML6302TRPBF

Pd-PowerDissipation

0.54 W

Pd-功率耗散

540 mW

Qg-GateCharge

2.4 nC

Qg-栅极电荷

2.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

600 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

600 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

97pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

3.6nC @ 4.45V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 610mA,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Micro3™/SOT-23

其它名称

*IRLML6302TRPBF
IRLML6302PBFCT

功率-最大值

540mW

功率耗散

0.54 W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

600 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

栅极电荷Qg

2.4 nC

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 620 mA

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

780mA (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlml6302.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlml6302.spi

闸/源击穿电压

12 V

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