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- 型号： IRLML5103GTRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IRLML5103GTRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML5103GTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供IRLML5103GTRPBF价格参考以及International RectifierIRLML5103GTRPBF封装/规格参数等产品信息。 你可以下载IRLML5103GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有IRLML5103GTRPBF详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3MOSFET MOSFT P-Ch -0.61A 600mOhm 3.4nC LogLvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 760 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 760 mA |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML5103GTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLML5103GTRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 0.54 W |
| Pd-功率耗散 | 540 mW |
| Qg-GateCharge | 3.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 75pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 600mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 其它名称 | IRLML5103GTRPBFCT |
| 功率-最大值 | 540mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 760 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 760mA （Ta） |
