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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML2502TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML2502TR价格参考。International RectifierIRLML2502TR封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 4.2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML2502TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLML2502TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLML2502TR是一款N沟道逻辑电平MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),其应用场景非常广泛,尤其适用于需要高效、低功耗和高可靠性的电路设计。以下是该型号的一些主要应用场景: 1. 电源管理: - 该MOSFET常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,可以在高频工作时保持较低的功耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动: - 在小型电机控制应用中,如无人机、电动工具、家用电器等,IRLML2502TR可以作为功率级元件,实现对电机的有效控制。它能够快速响应PWM(脉宽调制)信号,确保电机运行平稳且节能。 3. 电池保护与充电电路: - 在便携式电子设备中,如手机、平板电脑、笔记本电脑等,该MOSFET可用于电池保护电路,防止过充、过放等问题。同时,在充电电路中,它可以充当开关或电流调节元件,保证充电过程的安全性和稳定性。 4. 负载切换与保护: - 对于需要频繁切换负载的应用场景,例如汽车电子中的继电器替代方案、工业自动化控制系统中的信号隔离与传输等,IRLML2502TR凭借其快速开关速度和低损耗特点,能有效减少系统复杂度并提升可靠性。 5. 音频放大器: - 在某些高性能音频设备中,如耳机放大器、音响系统等,该MOSFET可以用作输出级驱动器件,提供干净、无失真的音频信号输出,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。 总之,IRLML2502TR凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式,成为众多低电压、大电流应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRLML2502TR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 4.2A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
其它名称 | *IRLML2502TR |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.2A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlml2502.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlml2502.spi |