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Datasheet下载- 型号： IRLML2030TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRLML2030TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML2030TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML2030TRPBF价格参考￥0.43-￥0.46。International RectifierIRLML2030TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML2030TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLML2030TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLML2030TRPBF是一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET，主要应用于低电压、低功耗和高效率的电路设计中。以下是该型号MOSFET的主要应用场景： 1. 电源管理：IRLML2030TRPBF具有较低的导通电阻（Rds(on)），在低压环境下能有效减少功率损耗，适用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理系统，确保高效能和低发热。 2. 电机驱动：由于其快速开关特性和低导通电阻，这款MOSFET适合用于小型直流电机或步进电机的驱动控制，如消费电子设备中的风扇、泵浦或其他小型机电装置。 3. 负载切换：在需要频繁切换负载的应用中，例如智能家电、物联网设备中的电源开关，IRLML2030TRPBF能够提供可靠的开关性能，并且支持快速响应时间。 4. 电池管理系统：在便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及电动工具中，该MOSFET可用于保护电池免受过充、过放及短路的影响，同时实现高效的充电和放电管理。 5. 信号调理与接口电路：在某些通信模块或传感器接口电路中，IRLML2030TRPBF可以用作开关元件来隔离不同电压域或者进行电平转换。 6. 汽车电子：尽管不是专为汽车行业设计，但在一些非关键性的车载应用中，比如车内照明、音响系统或者其他辅助功能方面，它也能发挥作用。 总之，IRLML2030TRPBF凭借其优异的电气特性，在众多对成本敏感且要求紧凑设计的消费类电子产品和工业控制系统中得到了广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3MOSFET MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML2030TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLML2030TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| Qg-GateCharge | 1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 154 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 154 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 其它名称 | IRLML2030TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1.3 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 154 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 1 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 2.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlml2030.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlml2030.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
