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  • 型号: IRLML0030TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRLML0030TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLML0030TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLML0030TRPBF价格参考¥0.56-¥0.64。International RectifierIRLML0030TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 5.3A(Ta) 1.3W(Ta) Micro3™/SOT-23。您可以下载IRLML0030TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLML0030TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3MOSFET MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.3 A

Id-连续漏极电流

5.3 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLML0030TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRLML0030TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

1.3 W

Pd-功率耗散

1.3 W

Qg-GateCharge

2.6 nC

Qg-栅极电荷

2.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

40 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

40 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 25µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

382pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

2.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

27 毫欧 @ 5.2A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Micro3™/SOT-23

其它名称

IRLML0030TRPBFCT

功率-最大值

1.3W

功率耗散

1.3 W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

40 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

2.6 nC

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

5.3 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.3A (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlml0030trpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlml0030trpbf.spi

闸/源击穿电压

20 V

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