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  • 型号: IRLL024ZPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL024ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL024ZPBF价格参考。International RectifierIRLL024ZPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLL024ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLL024ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 5A SOT-223MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 7nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5 A

Id-连续漏极电流

5 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLL024ZPBFHEXFET®

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产品型号

IRLL024ZPBF

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.8 W

Pd-功率耗散

2.8 W

Qg-GateCharge

7 nC

Qg-栅极电荷

7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

上升时间

33 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

380pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

60 毫欧 @ 3A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

1W

功率耗散

2.8 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

100 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

80

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

7 nC

标准包装

80

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

5 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irll024z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irll024z.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

16 V

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