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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL014NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL014NPBF价格参考。International RectifierIRLL014NPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLL014NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLL014NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRLL014NPBF是一款N沟道逻辑级功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 - 直流-直流转换器(DC-DC Converter):用于降压或升压电路中,作为主开关或同步整流器件,提供高效的电压转换。 - 线性稳压器(LDO):在某些设计中用作外部开关元件,提高效率并降低功耗。 - 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制、保护电路以及负载切换。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等低功率电机驱动应用。 - H桥电路:用于双向电机控制或逆变器电路,实现精确的速度和方向调节。 3. 负载开关 - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中,作为负载开关使用,动态开启或关闭外围设备以节省功耗。 - 提供过流保护和短路保护功能。 4. 信号切换 - 用于音频信号切换、传感器信号路由等低电压、低电流的开关应用。 - 在多路复用器(MUX)或解复用器(DEMUX)中充当电子开关。 5. 汽车电子 - 车身控制模块(BCM):用于车窗升降、座椅调节、雨刷控制等低功率负载的开关。 - LED驱动:为汽车内部照明或外部指示灯提供高效驱动。 6. 消费电子产品 - 智能家居设备:如智能插座、智能灯具的开关控制。 - 游戏控制器和遥控器:用于振动马达驱动或其他功能模块的控制。 7. 工业自动化 - 继电器替代方案:在低功率工业设备中,用作固态继电器以提高可靠性和寿命。 - 传感器接口:用于信号调理和隔离。 特性支持的应用优势: - 低导通电阻(Rds(on)):减少功率损耗,提高系统效率。 - 低栅极电荷(Qg):支持快速开关,降低开关损耗。 - 高耐压能力(Vds = 60V):适用于多种低压到中压应用场景。 - 逻辑电平驱动:兼容常见的微控制器或逻辑电路输出,简化设计。 总之,IRLL014NPBF凭借其优异的性能参数,适合各种需要高效、低功耗和可靠开关的场合,尤其是在消费电子、汽车电子和工业控制领域有广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 55V 2A SOT223MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 9.5nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
Id-连续漏极电流 | 2 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLL014NPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRLL014NPBF |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
Qg-GateCharge | 9.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
上升时间 | 4.9 ns |
下降时间 | 2.9 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 2A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-223 |
典型关闭延迟时间 | 14 ns |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223-3 |
工厂包装数量 | 80 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 80 |
正向跨导-最小值 | 2.3 S |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irll014n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irll014n.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |