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  • 型号: IRLL014
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL014由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL014价格参考。VishayIRLL014封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLL014参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLL014 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.7 A

Id-连续漏极电流

2.7 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLL014-

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产品型号

IRLL014IRLL014

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

200 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

200 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

110 ns

下降时间

26 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.4nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

200 毫欧 @ 1.6A,5V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-223

其它名称

*IRLL014

典型关闭延迟时间

17 ns

功率-最大值

2W

功率耗散

2 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

200 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SOT-223-3

工厂包装数量

80

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

80

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

2.7 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

+/- 10 V

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