ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLI530NPBF
Datasheet下载- 型号： IRLI530NPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLI530NPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLI530NPBF价格参考。International RectifierIRLI530NPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 100V 12A（Tc） 41W（Tc） TO-220AB 整包。您可以下载IRLI530NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLI530NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies生产的IRLI530NPBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。这款晶体管具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流处理能力和快速开关特性，适用于多种应用场景。 1. 电机驱动：IRLI530NPBF常用于直流无刷电机（BLDC）和步进电机的驱动电路中。其低导通电阻有助于减少发热，提高效率，适合在电动工具、家用电器和工业自动化设备中使用。 2. 电源管理：该MOSFET可用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）。其快速开关特性和低损耗特性使得它在这些应用中表现出色，能够提供高效稳定的电源输出。 3. 逆变器和变频器：IRLI530NPBF可以用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和变频空调等设备中。它能够承受较高的电流和电压，确保系统的稳定运行，并且在高频工作时保持较低的功耗。 4. 汽车电子：在汽车行业中，IRLI530NPBF可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）和电动窗控制系统等。其可靠的性能和耐用性使其能够在严苛的汽车环境中长期稳定工作。 5. 消费电子产品：该MOSFET也适用于笔记本电脑适配器、智能手机充电器和其他便携式电子设备中的电源管理电路。其紧凑的封装形式和高效的性能使其成为小型化设计的理想选择。 总之，IRLI530NPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电机驱动、电源管理、逆变器、汽车电子和消费电子产品等领域，为各类电力电子系统提供了高效、稳定的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 12A TO220FPMOSFET MOSFT 100V 11A 100mOhm 22.7nC LogLv |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLI530NPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLI530NPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 33 W |
| Pd-功率耗散 | 33 W |
| Qg-GateCharge | 22.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
| 其它名称 | *IRLI530NPBF |
| 功率-最大值 | 41W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 150 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irli530n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irli530n.spi |
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