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Datasheet下载- 型号： IRLHS6276TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLHS6276TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLHS6276TRPBF价格参考￥1.52-￥1.52。International RectifierIRLHS6276TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLHS6276TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLHS6276TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFNMOSFET 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLHS6276TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLHS6276TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| Qg-GateCharge | 3.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 3.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-PQFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 功率耗散 | 1.5 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 45 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-VQFN |
| 封装/箱体 | DPQFN-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 3.1 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 4.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlhs6276pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlhs6276pbf.spi |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
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