ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLHS6242TRPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号： IRLHS6242TRPBF
  • 制造商： International Rectifier
  • 库位|库存： xxxx|xxxx
  • 要求：
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRLHS6242TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLHS6242TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLHS6242TRPBF价格参考。International RectifierIRLHS6242TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 10A（Ta），12A（Tc） 1.98W（Ta），9.6W（Tc） 6-PQFN（2x2）。您可以下载IRLHS6242TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLHS6242TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品
ChannelMode

Enhancement
描述

MOSFET N-CH 20V 10A PQFNMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
产品分类

FET - 单分离式半导体
FET功能

逻辑电平门
FET类型

MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent

22 A
Id-连续漏极电流

22 A
品牌

International Rectifier
产品手册

点击此处下载产品Datasheet
产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLHS6242TRPBFHEXFET®
数据手册

点击此处下载产品Datasheet
产品型号

IRLHS6242TRPBF
PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation

9.6 W
Pd-功率耗散

9.6 W
Qg-GateCharge

14 nC
Qg-栅极电荷

14 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance

11.7 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻

11.7 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V
Vds-漏源极击穿电压

20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V
Vgs-栅源极击穿电压

12 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

0.5 V to 1.1 V
Vgsth-栅源极阈值电压

0.5 V to 1.1 V
上升时间

15 ns
下降时间

13 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)

1110pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）

11.7 毫欧 @ 8.5A，4.5V
产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类

MOSFET
供应商器件封装

6-PQFN（2x2）
其它名称

IRLHS6242TRPBFDKR
典型关闭延迟时间

19 ns
功率-最大值

1.98W
功率耗散

9.6 W
包装

Digi-Reel®
商标

International Rectifier
安装类型

表面贴装
安装风格

SMD/SMT
导通电阻

11.7 mOhms
封装

Reel
封装/外壳

6-PowerVDFN
封装/箱体

PQFN-6 2x2
工厂包装数量

4000
晶体管极性

N-Channel
最大工作温度

+ 150 C
最小工作温度

- 55 C
栅极电荷Qg

14 nC
标准包装

1
正向跨导-最小值

36 S
汲极/源极击穿电压

20 V
漏极连续电流

22 A
漏源极电压(Vdss)

20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）

10A （Ta）， 12A （Tc）
设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlhs6242pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlhs6242pbf.spi
通道模式

Enhancement
配置

Single Quint Drain Dual Source
闸/源击穿电压

12 V
推荐商品

型号：AON6278

品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRF8788TRPBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRF6811STRPBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：RFD3055

品牌：ON Semiconductor

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRF6641TRPBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：IRFH7921TRPBF

品牌：Infineon Technologies

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：PSMN006-20K,518

品牌：Nexperia USA Inc.

产品名称：分立半导体产品

获取报价

型号：STL4N10F7

品牌：STMicroelectronics

产品名称：分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
最新资讯
IRLHS6242TRPBF 相关产品

VN2222LLRLRA

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售

IRF720STRR

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系销售

FQA6N70

品牌：ON Semiconductor

价格：￥询价-￥询价

联系销售

IRF1405ZL

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

AUIRFS3207Z

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售

NVD5484NLT4G

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系销售

PSMN034-100BS,118

品牌：Nexperia USA Inc.

价格：

联系销售

IRFR48ZTRPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系销售
猜你喜欢 最新产品推荐 其他制造商
IPA65R280C6XKSA1
IRFR3704ZCPBF
FQU6N40CTU
FDMA7630
SI7446BDP-T1-GE3
NX3008PBKMB,315
BUK7506-55A,127
STD45NF75T4
IRF1324STRLPBF
FDP047AN08A0
IRFZ44ESTRRPBF
IXTP50N20P
IRFI1310N
ZVP3306ASTOB
NTD14N03R-001
STF23NM50N
TK60S06K3L(T6L1,NQ
PMV56XN,215
SPB12N50C3ATMA1
IRF7452PBF
BUK9606-75B,118
IRF630NSTRR
NTY100N10G
RS1E280BNTB
5LN01SP-AC
FDC606P
IXFN180N07
IRF7809TR
SI5403DC-T1-GE3
SIR802DP-T1-GE3
SI4666DY-T1-GE3
IPB100N04S303ATMA1
IPA50R299CPXKSA1
BSZ097N04LSGATMA1
DMN100-7-F
STD9N65M2
FDZ661PZ
SI4420DYTRPBF
AUIRFP2907Z
AOD472A
NTGD4169FT1G
STW20N95K5
PHT6N06LT,135
BUK9535-55A,127
FQP4N90C
NTMFS4937NCT3G
STL38N65M5
NTD25P03LG
IRFS7430PBF
CSD17579Q5AT
International Rectifier

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12) HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET V 20 V DS TOP VIEW V ±12 V GS R DS(on) max 11.7 mΩ D 1 6 D (cid:3) (@V = 4.5V) (cid:3) GS R (cid:3) (cid:2) DS(on) max 15.5 mΩ D 2 D 5 D (@V = 2.5V) GS (cid:3) ID 12(cid:0) A G 3 S 4 S (cid:3) (cid:4) (cid:4) (@T = 25°C) C (Bottom) 2mm x 2mm PQFN Applications • (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:12)(cid:14)(cid:11)(cid:15)(cid:13)(cid:4)(cid:2)(cid:16)(cid:17)(cid:6)(cid:2)(cid:18)(cid:5)(cid:15)(cid:15)(cid:8)(cid:6)(cid:19)(cid:2)(cid:5)(cid:20)(cid:20)(cid:21)(cid:11)(cid:13)(cid:5)(cid:15)(cid:11)(cid:17)(cid:9) • (cid:22)(cid:19)(cid:12)(cid:15)(cid:8)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:17)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:22)(cid:14)(cid:11)(cid:15)(cid:13)(cid:4) Features and Benefits Features Resulting Benefits Low R (≤ 11.7mΩ) Lower Conduction Losses DSon Low Thermal Resistance to PCB (≤ 13°C/W) Enable better thermal dissipation Low Profile (≤ 1.0mm) results in Increased Power Density ⇒ Industry-Standard Pinout Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen Environmentally Friendlier MSL1, Industrial Qualification Increased Reliability Standard Pack Orderable part number Package Type Note Form Quantity IRLHS6242TRPbF PQFN 2mm x 2mm Tape and Reel 4000 IRLHS6242TR2PbF PQFN 2mm x 2mm Tape and Reel 400 EOL notice # 259 Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 20 DS V VGS Gate-to-Source Voltage ±12 I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 4.5V 10 D A GS ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V 8.3 I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 4.5V (cid:0) 22(cid:4) IDD @ TCC((BBoottttoomm)) = 70°C Continuous Drain Current, VGGSS @ 4.5V (cid:0) 18(cid:4) A I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 4.5V (Package Limited) 12(cid:4) D C(Bottom) GS IDM Pulsed Drain Current (cid:2) 88 P @T = 25°C Power Dissipation (cid:3) 1.98 PDD @TAC(Bottom) = 25°C Power Dissipation (cid:3) 9.6 W Linear Derating Factor (cid:3) 0.016 W/°C TJ Operating Junction and -55 to + 150 °C T Storage Temperature Range STG Notes(cid:2)(cid:2) through (cid:2) are on page 2 (cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 20 ––– ––– V V = 0V, I = 250μA DSS GS D ΔΒV /ΔT Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 6.8 ––– mV/°C Reference to 25°C, I = 1mA DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 9.4 11.7 V = 4.5V, I = 8.5A (cid:4)(cid:5) DS(on) mΩ GS D ––– 12.4 15.5 V = 2.5V, I = 8.5A (cid:4)(cid:5) GS D V Gate Threshold Voltage 0.5 0.8 1.1 V GS(th) V = V , I = 10μA ΔV Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -4.2 ––– mV/°C DS GS D GS(th) I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 1.0 V = 16V, V = 0V DSS μA DS GS ––– ––– 150 V = 16V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 V = 12V GSS nA GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -12V GS gfs Forward Transconductance 36 ––– ––– S V = 10V, I = 8.5A(cid:5) DS D Qg Total Gate Charge (cid:0) ––– 14 ––– VDS = 10V Qgs Gate-to-Source Charge (cid:0) ––– 1.5 ––– nC VGS = 4.5V Qgd Gate-to-Drain Charge (cid:0) ––– 6.3 ––– ID = 8.5A(cid:5) (See Fig.17 & 18) RG Gate Resistance ––– 2.1 ––– Ω t Turn-On Delay Time ––– 5.8 ––– V = 10V, V = 4.5V (cid:4) d(on) DD GS t Rise Time ––– 15 ––– ID = 8.5A(cid:5)(cid:2) r ns t Turn-Off Delay Time ––– 19 ––– R =1.8Ω d(off) G t Fall Time ––– 13 ––– See Fig.15 f C Input Capacitance ––– 1110 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 260 ––– pF V = 10V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 180 ––– ƒ = 1.0MHz rss Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 22 MOSFET symbol D (Body Diode) showing the A ISM Pulsed Source Current ––– ––– 88 integral reverse G (Body Diode)(cid:2)(cid:3) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.2 V TJ = 25°C, IS = 8.5A(cid:5), VGS = 0V (cid:4) trr Reverse Recovery Time ––– 15 23 ns TJ = 25°C, IF = 8.5A(cid:5), VDD = 10V Q Reverse Recovery Charge ––– 12 18 nC di/dt = 210A/μs (cid:4)(cid:2) rr t Forward Turn-On Time Time is dominated by parasitic Inductance on Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC (Bottom) Junction-to-Case (cid:0) ––– 13 RθJC (Top) Junction-to-Case (cid:0) ––– 94 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 63 RθJA (<10s) Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 46 (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:3)(cid:2)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:4)(cid:2)Package is limited to 12A by die-source to lead-frame bonding technology. (cid:5)(cid:2)Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. (cid:6) When mounted on 1 ich square copper board. (cid:7) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:8)(cid:4)For DESIGN AID ONLY, not subject to production testing. (cid:2)(cid:4)Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. (cid:13)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 100 100 VGS VGS TOP 10V TOP 10V 4.5V 4.5V A) 32..05VV A) 32..05VV ne(t 10 21..08VV ne(t 21..08VV Curr BOTTOM 11..54VV Curr BOTTOM 11..54VV e e ucr 1 ucr 10 o o S S o- o- n-t n-t ai ai Dr 0.1 1.4V Dr , D , D I ≤60μs PULSE WIDTH I 1.4V ≤60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 0.01 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 1.6 ec ID = 8.5A an VGS = 4.5V A()nt Ressti 1.4 CSouueecrrr 10 TJ = 150°C TJ = 25°C OSoouenc-r medaz)li1.2 Danor-- tI,iD V≤6D0Sμ s= P1U0VLSE WIDTH Danr-t, iRDSon() No(r 01..80 1.0 0.6 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature 10000 14.0 VGS = 0V, f = 1 MHZ I = 8.5A Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED D 12.0 CCrossss == CCdgsd + Cgd Ve() VDS= 16V Fanepcc()t i 1000 Ciss VSoagouecrt l 108..00 VVDDSS== 140.0VV Capa Coss oe--t 6.0 C, Crss Gat 4.0 , S G V 2.0 100 0.0 1 10 100 0 5 10 15 20 25 30 35 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage (cid:15)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 100 1000 OPERATION IN THIS AREA An()t TJ = 150°C An() t 100 LIMITED BY RDS(on) e e urr urr 100μsec C C Danr i 10 TJ = 25°C ouecr 10 10msec 1msec e S Limited by evsr on--t Wire Bond Re, DS Dar ,iD 1 Tc = 25°C I I Tj = 150°C VGS = 0V Single Pulse DC 1.0 0.1 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 0 1 10 100 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig 8. Maximum Safe Operating Area 25 1.6 Limited By Package V) 1.4 20 e( g a A) otl 1.2 uenrr(t 15 Vhods l 1.0 Cn her ID = 25μA Dari 10 ea tt 0.8 ID = 250μA I,D G, h) 0.6 IIDD == 11..00AmA 5 S(t G 0.4 V 0 0.2 25 50 75 100 125 150 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature Case (Bottom) Temperature 100 W C/ °) C 10 D = 0.50 J h Z t 0.20 nes( 1 00..1005 o p s 0.02 e R 0.01 a l m 0.1 Ther SINGLE PULSE N1.o Dteust:y Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.01 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (Bottom) "(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Ω) 25 Ω) 35 m I = 8.5A m e( D e( nc nc 30 a a st 20 st si si e e R R 25 n n O O e e ucr 15 ucr 20 Soo- TJ = 125°C Soo- Vgs = 2.5V n-t n-t 15 Dari 10 Dari Vgs = 4.5V , n) n), 10 So( TJ = 25°C o(S D D R 5 R 5 0 2 4 6 8 10 12 14 16 0 10 20 30 40 50 60 70 VGS, Gate -to -Source Voltage (V) ID, Drain Current (A) Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 13. Typical On-Resistance vs. Drain Current 70 600 mJ) ID y( 60 TOP 2.2A 500 egr 4.3A En 50 BOTTOM8.5A W) anhec 40 weor( 400 avl Pe 300 A s e 30 ul s P ul e Pe 20 ngl 200 gl Si n Si ,S 10 100 A E 0 0 25 50 75 100 125 150 1E-5 1E-4 1E-3 1E-2 1E-1 1E+0 Starting TJ , Junction Temperature (°C) Time (sec) Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current Fig 15. Typical Power vs. Time Driver Gate Drive (cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:11) P.W. Period D = + P.W. Period ! (cid:5) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:4)(cid:10)(cid:7)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14) VGS=10V • (cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:17)(cid:8)(cid:18)(cid:7)(cid:4)(cid:10)(cid:11)(cid:8)(cid:19)(cid:13)(cid:15)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:10)(cid:13)(cid:5)(cid:16) (cid:8)(cid:8) • (cid:20)(cid:4)(cid:12)(cid:6)(cid:13)(cid:15)(cid:8)(cid:21)(cid:22)(cid:10)(cid:13)(cid:16) - (cid:8)(cid:8) • (cid:9)(cid:12)(cid:17)(cid:8)(cid:9)(cid:16)(cid:10)(cid:23)(cid:10)(cid:24)(cid:16)(cid:8)(cid:19)(cid:13)(cid:15)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:10)(cid:13)(cid:5)(cid:16) (cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:2)(cid:6)(cid:4)(cid:4)(cid:16)(cid:13)(cid:7)(cid:8)(cid:25)(cid:4)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:26)(cid:12)(cid:4)(cid:27)(cid:16)(cid:4) D.U.T. ISDWaveform + (cid:4) Reverse (cid:6) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:3) dv/dt VDD (cid:3) (cid:18)(cid:20) • (cid:15)(cid:29)(cid:30)(cid:15)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:4)(cid:12)(cid:22)(cid:22)(cid:16)(cid:15)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:8) (cid:2) (cid:28)(cid:28) Re-Applied • (cid:28)(cid:4)(cid:3)(cid:29)(cid:16)(cid:4)(cid:8)(cid:14)(cid:10)(cid:27)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:11)!(cid:16)(cid:8)(cid:10)(cid:14)(cid:8)(cid:28)"#"(cid:25)" + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:19)(cid:3)(cid:4)(cid:8)(cid:5)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:4)(cid:12)(cid:22)(cid:22)(cid:16)(cid:15)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:8)(cid:28)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:8)$(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:12)(cid:4)(cid:8)%(cid:28)% - Inductor Curent • (cid:28)"#"(cid:25)"(cid:8)&(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:29)(cid:3)(cid:5)(cid:16)(cid:8)#(cid:13)(cid:15)(cid:16)(cid:4)(cid:8)(cid:25)(cid:16)(cid:14)(cid:7) Ripple ≤ 5% ISD !(cid:2)(cid:3) (cid:2)(cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:3)(cid:2)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:2)(cid:9)(cid:13)(cid:14)(cid:13)(cid:15)(cid:2)(cid:16)(cid:13)(cid:14)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:17) (cid:20)(cid:18) Fig 16. (cid:26)(cid:8)(cid:5)(cid:27)(cid:2)(cid:28)(cid:11)(cid:17)(cid:10)(cid:8)(cid:2)(cid:29)(cid:8)(cid:13)(cid:17)(cid:30)(cid:8)(cid:6)(cid:19)(cid:2)(cid:10)(cid:30)(cid:24)(cid:10)(cid:15)(cid:2)(cid:31)(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:2)(cid:3)(cid:11)(cid:6)(cid:13) (cid:11)(cid:15)(cid:2)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFETs #(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Id Vds Vgs L VCC DUT 0 1K S Vgs(th) Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 17a. Gate Charge Test Circuit Fig 17b. Gate Charge Waveform V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 20V tp 0.01Ω IAS Fig 18a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 18b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:18) (cid:28) (cid:3) V (cid:28)(cid:18) DS 90% (cid:3) (cid:20)(cid:18) (cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:19)(cid:21)(cid:19) (cid:18) (cid:20) +(cid:3) - (cid:28)(cid:28) 10% (cid:3)(cid:22)(cid:20)(cid:23)(cid:18)(cid:3) V GS (cid:21)(cid:6)(cid:22)(cid:14)(cid:16)(cid:8)’(cid:3)(cid:15)(cid:7)((cid:8)≤ 1 )(cid:14) (cid:28)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:8)$(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:12)(cid:4)(cid:8)≤ 0.1 td(on) tr td(off) tf Fig 19a. Switching Time Test Circuit Fig 19b. Switching Time Waveforms $(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12) PQFN 2x2 Outline Package Details (cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:16)(cid:13)(cid:17)(cid:18)(cid:4)(cid:14)(cid:19)(cid:18)(cid:20)(cid:14)(cid:6)(cid:4)(cid:5)(cid:18)(cid:21)(cid:17)(cid:22)(cid:14)(cid:20)(cid:5)(cid:6)(cid:17)(cid:23)(cid:18)(cid:14)(cid:13)(cid:5)(cid:21)(cid:3)(cid:24)(cid:24)(cid:5)(cid:18)(cid:20)(cid:19)(cid:4)(cid:17)(cid:3)(cid:18)(cid:6)(cid:25)(cid:14)(cid:16)(cid:22)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:5)(cid:14)(cid:13)(cid:5)(cid:15)(cid:5)(cid:13)(cid:14)(cid:4)(cid:3)(cid:14)(cid:19)(cid:16)(cid:16)(cid:22)(cid:17)(cid:21)(cid:19)(cid:4)(cid:17)(cid:3)(cid:18)(cid:14)(cid:18)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:14)(cid:26)(cid:2)(cid:27)(cid:28)(cid:28)(cid:29)(cid:30)(cid:14)(cid:19)(cid:4) http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1154.pdf PQFN 2x2 Outline Part Marking Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ (cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12) PQFN 2x2 Outline Tape and Reel %(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Qualification information† Industrial† Qualification level (per JEDEC JESD47F †† guidelines ) MSL1 Moisture Sensitivity Level PQFN 2mm x 2mm (per JEDEC J-STD-020D†† ) RoHS compliant Yes (cid:3) Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site http://www.irf.com/product-info/reliability (cid:3)(cid:3) (cid:2) Applicable version of JEDEC standard at the time of product release. Revision History Date Comments • Updated ordering information to reflect the End-Of-life (EOL) of the mini-reel option (EOL notice #259) 12/17/2013 • Updated Qual level from "Consumer" to "Industrial" on page 1, 9 • Updated data sheet with new IR corporate template IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/ &(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:26)(cid:19)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:25)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:3) !(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)