(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET V -20 V DS TOP VIEW V ±12 V GS max R DS(on) max 31 mΩ (cid:3) (@VGS = 4.5V) D 1 6 D (cid:3) (cid:3) (cid:2) R DS(on) max 53 mΩ D 2 D 5 D (@V = 2.5V) GS (cid:3) Qg typ 9.6 nC G 3 S 4 S (cid:3) (cid:4) (cid:4) 2mm x 2mm PQFN I D -8.5(cid:0) A (@T = 25°C) c(Bottom) Applications (cid:2) Charge and Discharge Switch for Battery Application (cid:2) System/load switch Features and Benefits Features Benefits Low Thermal Resistance to PCB (≤ 13°C/W) Enable better thermal dissipation Low Profile (≤ 1.0mm) results in Increased Power Density ⇒ Industry-Standard Pinout Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen Environmentally Friendlier MSL1, Industrial Qualification Increased Reliability Standard Pack Orderable part number Package Type Note Form Quantity IRLHS2242TRPbF PQFN 2mm x 2mm Tape and Reel 4000 IRLHS2242TR2PbF PQFN 2mm x 2mm Tape and Reel 400 EOL notice # 259 Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage -20 V VGS Gate-to-Source Voltage ±12 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V -7.2 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V -5.8 ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V -15(cid:3)(cid:4) ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V -9.8(cid:3)(cid:4) A ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V (Wirebond Limited) -8.5(cid:4) IDM Pulsed Drain Current (cid:0) -34 PD @TA = 25°C Power Dissipation (cid:2) 2.1 PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation (cid:2) 9.6 W Linear Derating Factor (cid:2) 0.02 W/°C TJ Operating Junction and -55 to + 150 °C TSTG Storage Temperature Range Notes(cid:2)(cid:2) through (cid:2) are on page 9 (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BVDSS Drain-to-Source Breakdown Voltage -20 ––– ––– V VGS = 0V, ID = -250μA ΔΒVDSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.01 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = -1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 25 31 mΩ VGS = -4.5V, ID = -8.5A (cid:4) ––– 43 53 V = -2.5V, I = -6.8A (cid:4) GS D VGS(th) Gate Threshold Voltage -0.4 -0.8 -1.1 V V = V , I = -10μA ΔVGS(th) Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -3.8 ––– mV/°C DS GS D IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– -1.0 μA VDS = -16V, VGS = 0V ––– ––– -150 V = -16V, V = 0V, T = 125°C DS GS J IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– -100 nA VGS = -12V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– 100 V = 12V GS gfs Forward Transconductance 10 ––– ––– S V = -10V, I = -8.5A DS D Qg Total Gate Charge ––– 12 ––– nC VGS =-10V, VDS = -10V, ID = -8.5A Qg Total Gate Charge ––– 9.6 ––– VDS = -10V Qgs Gate-to-Source Charge ––– 1.6 ––– nC VGS = -4.5V Qgd Gate-to-Drain Charge ––– 3.7 ––– ID = -8.5A Qgodr Gate Charge Overdrive ––– 4.3 ––– Qsw Switch Charge (Qgs2 + Qgd) ––– 4.8 ––– Qoss Output Charge ––– 6.8 ––– nC VDS = 16V, VGS = 0V RG Gate Resistance ––– 17 ––– Ω td(on) Turn-On Delay Time ––– 7.9 ––– VDD = -10V, VGS = -4.5V tr Rise Time ––– 54 ––– ID = -8.5A ns td(off) Turn-Off Delay Time ––– 54 ––– RG = 2.0Ω tf Fall Time ––– 66 ––– Ciss Input Capacitance ––– 877 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 273 ––– pF VDS = -10V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 182 ––– ƒ = 1.0KHz Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units EAS Single Pulse Avalanche Energy (cid:0) ––– 18 mJ IAR Avalanche Current (cid:2) ––– -8.5 A Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– -8.5(cid:5) MOSFET symbol D (Body Diode) showing the A ISM Pulsed Source Current integral reverse G ––– ––– -34 (Body Diode)(cid:3)(cid:2) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– -1.2 V TJ = 25°C, IS = -8.5A, VGS = 0V (cid:4) trr Reverse Recovery Time ––– 27 41 ns TJ = 25°C, IF = -8.5A, VDD = -10V Qrr Reverse Recovery Charge ––– 20 30 nC di/dt = 200A/μs (cid:4)(cid:3) ton Forward Turn-On Time Time is dominated by parasitic Inductance Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC (Bottom) Junction-to-Case (cid:0) ––– 13 RθJC (Top) Junction-to-Case (cid:0) ––– 90 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 60 RθJA (<10s) Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 42 (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:12)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 100 100 VGS VGS TOP -10V TOP -10V -7.0V -7.0V A) -4.5V A) -4.5V Cuenr(r t 10 BOTTOM -----32211.....55085VVVVV Cuenrr(t 10 BOTTOM -----32211.....55085VVVVV Suoecr Souecr Dnoar--ti 1 -1.5V Dnoar--ti 1 -1.5V , D , D -I ≤60μs PULSE WIDTH -I ≤60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 0.1 0.1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 100 1.4 ec ID = -8.5A n A) ast VGS = -4.5V ( si nt Re 1.2 uerr 10 On Couecr TJ = 150°C Souecr edaz)li1.0 S o- m Danor--- tI,iD 1 TJV≤ 6=D0 S2μ5 s=° CP-1U0LVSE WIDTH Danr- t,iRDSon() No(r 0.8 0.1 0.6 0 1 2 3 4 5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 -VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature 10000 14 VGS = 0V, f = 1 KHZ C = C + C , C SHORTED ID= -8.5A iss gs gd ds Crss = Cgd V) 12 Coss = Cds + Cgd e( VDS= -16V Fp) agotl 10 VVDDSS== --41V0V anecc(t i 1000 Ciss SVouecr 8 pa o- 6 Ca e-t C, Coss Gat, S 4 G Crss V- 2 100 0 1 10 100 0 5 10 15 20 25 -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:14)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 100 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) A) A) 100 Cuenr(rt 10 TJ = 150°C Cuenrr( t 10 100μsec Danr i ouecr 1msec Reeevsr , DS 1 TJ = 25°C DSanor-- t, iD 0.11 Tc =LW i2mir5eitbe°odCn bdy 1D0mCsec -I -I Tj = 150°C VGS = 0V Single Pulse 0.1 0.01 0.2 0.6 1.0 0.10 1 10 100 -VSD, Source-to-Drain Voltage (V) -VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig 8. Maximum Safe Operating Area 16 1.5 14 Limited By Wirebond V) e( 1.2 g 12 a A) otl n(t 10 Vd uerr hosl 0.9 C 8 e n hr Dari 6 aett 0.6 -I,D 4 G, h) IIDD == --21500uuAA S(t 0.3 ID = -1.0mA G ID = -10mA 2 V - 0 0.0 25 50 75 100 125 150 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current vs. Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature Case Temperature 100 W C/ 10 ° D = 0.50 ) C 0.20 J Ze( h t 1 000...001250 s on 0.01 p 0.1 s e R a l m her 0.01 SINGLE PULSE Notes: T ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:31)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Ω) 70 80 m J) I ( ec 60 ID = -8.5A my( 70 TOP -2D.2A anssti Enegr 60 B O T T O M - 4-8.3.5AA Re 50 e n hc 50 O n uecr Snoo--t 3400 TJ = 125°C APaeaeuvs ll 3400 ai gl 20 Dr, n) 20 TJ = 25°C SniS, 10 o A S( E RD 10 0 0 2 4 6 8 10 12 25 50 75 100 125 150 Starting TJ, Junction Temperature (°C) -VGS, Gate -to -Source Voltage (V) Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 13. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current L VDS IAS RG D.U.T V DD IAS A -(cid:2)(cid:3)2(cid:2)0(cid:3)V DRIVER tp 0.01Ω tp V(BR)DSS 15V Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:4) (cid:2) (cid:2) (cid:2)(cid:3) td(on) tr td(off) tf (cid:2)(cid:4)(cid:3) VGS (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:6) 10% (cid:4) (cid:4) - (cid:2) (cid:2)(cid:2) + (cid:3)(cid:2) (cid:4)(cid:3) 90% (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:10)≤ 1 (cid:16)(cid:8) (cid:2)(cid:6)(cid:14)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:22)(cid:10)≤ 0.1 % VDS Fig 15a. Switching Time Test Circuit Fig 15b. Switching Time Waveforms (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2) (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:2) Period D = P.W. + P.W. Period " (cid:3) (cid:25)(cid:12)(cid:22)(cid:20)(cid:6)(cid:12)(cid:14)(cid:10)(cid:26)(cid:19)(cid:17)(cid:21)(cid:6)(cid:14)(cid:10)(cid:25)(cid:21)(cid:24)(cid:8)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:22)(cid:19)(cid:14)(cid:12)(cid:21)(cid:24)(cid:8) VGS=10V • (cid:10)(cid:26)(cid:21)(cid:27)(cid:10)(cid:3)(cid:14)(cid:22)(cid:19)(cid:17)(cid:10)(cid:23)(cid:24)(cid:13)(cid:6)(cid:20)(cid:14)(cid:19)(cid:24)(cid:20)(cid:9) (cid:10)(cid:10) • (cid:4)(cid:22)(cid:21)(cid:6)(cid:24)(cid:13)(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:19)(cid:24)(cid:9) - (cid:10)(cid:10) • (cid:26)(cid:21)(cid:27)(cid:10)(cid:26)(cid:9)(cid:19)(cid:28)(cid:19)(cid:29)(cid:9)(cid:10)(cid:23)(cid:24)(cid:13)(cid:6)(cid:20)(cid:14)(cid:19)(cid:24)(cid:20)(cid:9) (cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:10)(cid:25)(cid:6)(cid:22)(cid:22)(cid:9)(cid:24)(cid:14)(cid:10)(cid:30)(cid:22)(cid:19)(cid:24)(cid:8)(cid:31)(cid:21)(cid:22) (cid:9)(cid:22) D.U.T. ISDWaveform + (cid:5) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - + Current Current - di/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:6) dv/dt VDD (cid:2) (cid:4)(cid:4) • (cid:13)(cid:12)!(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:24)(cid:14)(cid:22)(cid:21)(cid:7)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:10)"(cid:17)(cid:10)#(cid:2) (cid:2)(cid:2) Re-Applied • (cid:2)(cid:22)(cid:12)$(cid:9)(cid:22)(cid:10)(cid:8)(cid:19) (cid:9)(cid:10)(cid:14)(cid:17)%(cid:9)(cid:10)(cid:19)(cid:8)(cid:10)(cid:2)&’&(cid:30)& + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:23)(cid:3)(cid:4)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:24)(cid:14)(cid:22)(cid:21)(cid:7)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:10)"(cid:17)(cid:10)(cid:2)(cid:6)(cid:14)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:22)(cid:10)((cid:2)( - In(cid:23)(cid:24)d(cid:13)u(cid:6)c(cid:20)to(cid:14)(cid:21)r (cid:22)C(cid:10)(cid:25)u(cid:6)re(cid:22)(cid:22)n(cid:9)t(cid:24)(cid:14) • (cid:2)&’&(cid:30)&(cid:10))(cid:10)(cid:2)(cid:9)$(cid:12)(cid:20)(cid:9)(cid:10)’(cid:24)(cid:13)(cid:9)(cid:22)(cid:10)(cid:30)(cid:9)(cid:8)(cid:14) Ripple ≤ 5% ISD "(cid:9)(cid:9)(cid:4)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:10)(cid:9)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:12)(cid:18)(cid:19)(cid:20)(cid:9)(cid:15)(cid:21)(cid:9)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:21)(cid:15)(cid:12)(cid:9)(cid:14)(cid:3)(cid:22)(cid:23)(cid:17)(cid:24)(cid:24)(cid:10)(cid:16) "(cid:9)(cid:2)(cid:4)(cid:3)(cid:9)(cid:25)(cid:9)(cid:26)(cid:2)(cid:9)(cid:21)(cid:15)(cid:12)(cid:9)(cid:27)(cid:15)(cid:28)(cid:18)(cid:29)(cid:9)(cid:27)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:16)(cid:9)(cid:5)(cid:10)(cid:11)(cid:18)(cid:29)(cid:10)(cid:13) Fig 16. (cid:25)(cid:6)(cid:10)(cid:29)(cid:18)(cid:2)(cid:21)(cid:18)#(cid:18)(cid:7)(cid:26)(cid:18)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:10)#(cid:18)(cid:7)$(cid:2)%(cid:18)(cid:26)(cid:17)(cid:2)&(cid:6)(cid:7)(cid:9)(cid:23)(cid:6)(cid:17)(cid:2)for P-Channel HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFETs Id Vds L VCC Vgs DUT 0 210KK SS Vgs(th) Qgodr Qgd Qgs2 Qgs1 Fig 17a. Gate Charge Test Circuit Fig 17b. Gate Charge Waveform (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)!(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) PQFN Package Details PQFN Part Marking (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3) Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)’(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) PQFN 2x2 Outline Tape and Reel CORE TAPE Remark: Width - Dimension above are typical dimensions. TaCTbAlOePV 2EE:R TOLERANCE -- CSuorvfearc eta rpees itshtiicvkitnye 1s0sE is5 <0. 0R4s8 <m1m0E +9/.- 0.005mm. (WIDTH) 5.4 mm +/- 0.1 mm 9.5 mm +/- 0.1 mm Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)((cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Qualification information† Industrial† Qualification level (per JEDEC JESD47F †† guidelines ) MSL1 Moisture Sensitivity Level PQFN 2mm x 2mm (per IPC/JEDEC J-STD-020D†† ) RoHS compliant Yes *(cid:2) Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site http://www.irf.com/product-info/reliability **(cid:2)(cid:2)Applicable version of JEDEC standard at the time of product release. (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:6)(cid:9)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:5)(cid:9)(cid:9)Starting T = 25°C, L = 0.49mH, R = 50Ω, I = -8.5A. J G AS (cid:3)(cid:9)Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. (cid:4) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:7)(cid:3)When mounted on 1 inch square 2 oz copper pad on 1.5x1.5 in. board of FR-4 material. (cid:8)(cid:9)Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. (cid:2) Package is limited to -8.5A by die-source to lead-frame bonding technology Revision History Date Comments • Corrected Qual level from "Consumer" to "Industrial" on page 1, 9 10/10/2013 • Updated data sheet with new IR corporate template 12/16/2013 • Updated ordering information to reflect the End-Of-life (EOL) of the mini-reel option (EOL notice #259) IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/ (cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2))(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:7)(cid:16)(cid:19)(cid:17)(cid:6)(cid:10)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:18)(cid:9)(cid:17)(cid:6)(cid:8)(cid:6)(cid:18)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:11)(cid:6)(cid:17)(cid:2)(cid:25)(cid:19)(cid:17)(cid:19)(cid:26)(cid:27)(cid:18)(cid:18)(cid:17)(cid:2)(cid:28)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:24)(cid:19)(cid:9)(cid:30)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRLHS2242TR2PBF IRLHS2242TRPBF