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Datasheet下载- 型号： IRLH5034TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLH5034TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLH5034TRPBF价格参考￥12.08-￥12.70。International RectifierIRLH5034TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 29A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRLH5034TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLH5034TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLH5034TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效、低损耗开关操作的场景。该器件具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的电流处理能力，使其在多种电力电子应用中表现出色。 主要应用场景： 1. 电源管理： - IRLH5034TRPBF广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率，特别适用于笔记本电脑、智能手机充电器等便携式设备的电源设计。 2. 电机驱动： - 在小型电机驱动应用中，如无人机、电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）等，IRLH5034TRPBF能够提供高效的电流控制，确保电机平稳运行并延长电池寿命。 3. 电池管理系统（BMS）： - 该MOSFET可用于电池保护电路中，实现过流、短路保护等功能。其快速开关特性和低功耗特性有助于提升电池的安全性和使用寿命。 4. 逆变器与变频器： - 在太阳能逆变器、工业变频器等设备中，IRLH5034TRPBF可以作为功率开关元件，帮助实现高效的能量转换和精确的频率控制。 5. 负载开关： - 在需要频繁切换负载的应用中，如汽车电子、智能家居设备等，IRLH5034TRPBF能够快速响应，确保负载的稳定供电，并减少开关过程中的能量损失。 6. LED照明： - 在LED驱动电路中，该MOSFET可以用于调光控制和恒流驱动，确保LED灯的亮度稳定且节能。 7. 消费电子： - 广泛应用于各类消费电子产品，如平板电脑、智能手表等，提供高效的电源管理和信号传输功能。 总之，IRLH5034TRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在各种电力电子应用中发挥着重要作用，特别是在需要高效能、低功耗的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFNMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 2.4mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLH5034TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLH5034TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 82 nC |
| Qg-栅极电荷 | 82 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 功率耗散 | 250 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 导通电阻 | 3.2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 82 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Ta）， 100A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlh5034pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlh5034pbf.spi |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
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