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  • 型号: IRLD110PBF
  • 制造商: Vishay
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IRLD110PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLD110PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLD110PBF价格参考。VishayIRLD110PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRLD110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLD110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRLD110PBF 是一款 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关和功率管理的电路中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

 1. 电源管理
IRLD110PBF 常用于直流-直流 (DC-DC) 转换器、线性稳压器等电源管理系统中。它能够提供低导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗,提高转换效率。该器件适用于低压应用,如电池供电设备、便携式电子设备等。

 2. 电机驱动
在小型电机驱动应用中,IRLD110PBF 可以作为开关元件,控制电机的启动、停止和调速。它的快速开关特性和低导通电阻使其非常适合用于步进电机、无刷直流电机(BLDC)以及其他类型的电机驱动电路。

 3. 负载开关
IRLD110PBF 还可以用作负载开关,控制电路中的电流流向。例如,在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,它可以用来切换不同的功能模块或外设,以节省功耗并延长电池寿命。

 4. 继电器替代
在某些应用中,IRLD110PBF 可以替代传统的机械继电器。由于其固态特性,它具有更长的使用寿命、更快的响应速度以及更低的工作噪声。此外,MOSFET 不会产生电弧,因此更加安全可靠。

 5. 信号隔离与保护
IRLD110PBF 还可以用于信号隔离和保护电路中。通过适当的外围电路设计,它可以有效地隔离高电压和大电流,防止敏感电路受到损坏。例如,在工业控制系统中,它可以用于隔离输入输出信号,确保系统的稳定性和安全性。

 6. 汽车电子
在汽车电子系统中,IRLD110PBF 可以用于车身控制模块(BCM)、座椅加热器、电动窗控制器等应用中。它能够在高温环境下保持良好的性能,并且具备出色的抗干扰能力。

总的来说,IRLD110PBF 凭借其低导通电阻、快速开关速度和可靠性,成为许多电力电子应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIPMOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1 A

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

Vishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLD110PBF-

数据手册

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产品型号

IRLD110PBF

Pd-PowerDissipation

1300 mW

Pd-功率耗散

1.3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

540 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

540 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

47 ns

下降时间

47 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

250pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.1nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

540 毫欧 @ 600mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-DIP,Hexdip,HVMDIP

其它名称

*IRLD110PBF

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

1.3W

功率耗散

1300 mW

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

540 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

4-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

HexDIP-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

100

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

1 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

+/- 10 V

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