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IRLD110PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLD110PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLD110PBF价格参考。VishayIRLD110PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRLD110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLD110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLD110PBF 是一款 N 沟道功率 MOSFET,广泛应用于各种需要高效开关和功率管理的电路中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 IRLD110PBF 常用于直流-直流 (DC-DC) 转换器、线性稳压器等电源管理系统中。它能够提供低导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗,提高转换效率。该器件适用于低压应用,如电池供电设备、便携式电子设备等。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中,IRLD110PBF 可以作为开关元件,控制电机的启动、停止和调速。它的快速开关特性和低导通电阻使其非常适合用于步进电机、无刷直流电机(BLDC)以及其他类型的电机驱动电路。 3. 负载开关 IRLD110PBF 还可以用作负载开关,控制电路中的电流流向。例如,在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中,它可以用来切换不同的功能模块或外设,以节省功耗并延长电池寿命。 4. 继电器替代 在某些应用中,IRLD110PBF 可以替代传统的机械继电器。由于其固态特性,它具有更长的使用寿命、更快的响应速度以及更低的工作噪声。此外,MOSFET 不会产生电弧,因此更加安全可靠。 5. 信号隔离与保护 IRLD110PBF 还可以用于信号隔离和保护电路中。通过适当的外围电路设计,它可以有效地隔离高电压和大电流,防止敏感电路受到损坏。例如,在工业控制系统中,它可以用于隔离输入输出信号,确保系统的稳定性和安全性。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中,IRLD110PBF 可以用于车身控制模块(BCM)、座椅加热器、电动窗控制器等应用中。它能够在高温环境下保持良好的性能,并且具备出色的抗干扰能力。 总的来说,IRLD110PBF 凭借其低导通电阻、快速开关速度和可靠性,成为许多电力电子应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIPMOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
Id-连续漏极电流 | 1 A |
品牌 | Vishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLD110PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRLD110PBF |
Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 540 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 47 ns |
下降时间 | 47 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 600mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
其它名称 | *IRLD110PBF |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 1.3W |
功率耗散 | 1300 mW |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 540 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
封装/箱体 | HexDIP-4 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 100 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 1 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 | +/- 10 V |