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  • 型号: IRLD110PBF
  • 制造商: Vishay
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IRLD110PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLD110PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLD110PBF价格参考。VishayIRLD110PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRLD110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLD110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRLD110PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种低电压、大电流的开关和功率管理场景。其主要应用场景包括:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:IRLD110PBF常用于低压DC-DC转换器中,作为同步整流管或主开关管。其低导通电阻(Rds(on))特性可以有效降低功耗,提高转换效率。
   - 线性稳压器:在一些线性稳压器设计中,该MOSFET可以用作输出开关,控制负载电流,确保输出电压的稳定。

 2. 电机驱动
   - 无刷直流电机(BLDC)驱动:在小型电机驱动应用中,如电动工具、家用电器等,IRLD110PBF可以用作H桥电路中的开关元件,控制电机的正反转和速度。
   - 步进电机驱动:在步进电机控制系统中,该MOSFET可以用于驱动电机绕组,实现精确的位置控制。

 3. 电池管理系统(BMS)
   - 充放电控制:在锂电池或其他类型的电池管理系统中,IRLD110PBF可以用作充放电路径的开关,确保电池的安全性和延长使用寿命。
   - 过流保护:该MOSFET还可以用于过流保护电路,当检测到异常电流时迅速切断电路,防止损坏其他元件。

 4. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑:在这些设备中,IRLD110PBF可以用于电源管理模块,控制充电电路、背光驱动等。
   - USB充电器:在USB充电器中,该MOSFET可以用于控制输出电流,确保充电过程的安全性和稳定性。

 5. 工业自动化
   - 传感器接口:在工业控制系统中,IRLD110PBF可以用作传感器信号的开关,隔离信号源和后续处理电路。
   - 继电器替代:由于其快速开关特性和低功耗,该MOSFET可以替代传统的机械继电器,用于开关高电流负载,如电磁阀、灯泡等。

总的来说,IRLD110PBF凭借其低导通电阻、快速开关速度和可靠性,成为许多低电压、大电流应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIPMOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1 A

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

Vishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLD110PBF-

数据手册

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产品型号

IRLD110PBF

Pd-PowerDissipation

1300 mW

Pd-功率耗散

1.3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

540 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

540 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

47 ns

下降时间

47 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

250pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.1nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

540 毫欧 @ 600mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-DIP,Hexdip,HVMDIP

其它名称

*IRLD110PBF

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

1.3W

功率耗散

1300 mW

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

540 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

4-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

HexDIP-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

100

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

1 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

+/- 10 V

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