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IRLD110PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLD110PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLD110PBF价格参考。VishayIRLD110PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRLD110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLD110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRLD110PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种低电压、大电流的开关和功率管理场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:IRLD110PBF常用于低压DC-DC转换器中,作为同步整流管或主开关管。其低导通电阻(Rds(on))特性可以有效降低功耗,提高转换效率。 - 线性稳压器:在一些线性稳压器设计中,该MOSFET可以用作输出开关,控制负载电流,确保输出电压的稳定。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机(BLDC)驱动:在小型电机驱动应用中,如电动工具、家用电器等,IRLD110PBF可以用作H桥电路中的开关元件,控制电机的正反转和速度。 - 步进电机驱动:在步进电机控制系统中,该MOSFET可以用于驱动电机绕组,实现精确的位置控制。 3. 电池管理系统(BMS) - 充放电控制:在锂电池或其他类型的电池管理系统中,IRLD110PBF可以用作充放电路径的开关,确保电池的安全性和延长使用寿命。 - 过流保护:该MOSFET还可以用于过流保护电路,当检测到异常电流时迅速切断电路,防止损坏其他元件。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:在这些设备中,IRLD110PBF可以用于电源管理模块,控制充电电路、背光驱动等。 - USB充电器:在USB充电器中,该MOSFET可以用于控制输出电流,确保充电过程的安全性和稳定性。 5. 工业自动化 - 传感器接口:在工业控制系统中,IRLD110PBF可以用作传感器信号的开关,隔离信号源和后续处理电路。 - 继电器替代:由于其快速开关特性和低功耗,该MOSFET可以替代传统的机械继电器,用于开关高电流负载,如电磁阀、灯泡等。 总的来说,IRLD110PBF凭借其低导通电阻、快速开关速度和可靠性,成为许多低电压、大电流应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIPMOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
Id-连续漏极电流 | 1 A |
品牌 | Vishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLD110PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRLD110PBF |
Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 540 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 47 ns |
下降时间 | 47 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 600mA,5V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
其它名称 | *IRLD110PBF |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 1.3W |
功率耗散 | 1300 mW |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 540 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
封装/箱体 | HexDIP-4 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 100 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 1 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
闸/源击穿电压 | +/- 10 V |