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Datasheet下载- 型号： IRLB3813PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLB3813PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLB3813PBF价格参考。International RectifierIRLB3813PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 30V 260A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRLB3813PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLB3813PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLB3813PBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种需要高效开关和低导通电阻的场景。其主要特点包括极低的导通电阻（Rds(on)）、高电流处理能力、快速开关速度以及出色的热性能。以下是该元器件的一些典型应用场景： 1. 电机驱动 IRLB3813PBF 适用于直流无刷电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路。由于其低导通电阻和高电流承载能力，能够有效减少发热，提高效率，特别适合于电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇等）和工业自动化设备中的电机控制。 2. 电源管理 在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）等电源管理应用中，IRLB3813PBF 可以作为高效的开关元件，用于实现电压调节、电流控制等功能。其快速的开关特性和低损耗特性有助于提高电源转换效率，降低能量损失。 3. 负载切换 在汽车电子、通信设备、服务器等系统中，IRLB3813PBF 可用于负载切换电路，控制不同负载的通断。它能够在高频率下快速响应，确保系统的稳定性和可靠性，同时减少功耗。 4. 太阳能逆变器 在光伏系统中，IRLB3813PBF 可用于逆变器的开关电路，将直流电转换为交流电。其高效的开关性能和低损耗特性有助于提高逆变器的整体效率，延长系统的使用寿命。 5. LED驱动 在大功率LED照明系统中，IRLB3813PBF 可用于恒流源或调光控制电路。通过精确控制电流，确保LED灯的亮度稳定，并且由于其低导通电阻，减少了发热问题，提高了系统的可靠性和寿命。 6. 消费电子产品 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费电子产品中，IRLB3813PBF 可用于充电电路、电源管理模块等，提供高效的电源管理和保护功能。 总的来说，IRLB3813PBF 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各类需要高效开关和低损耗的场合，尤其适合对能效和散热有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 260A TO-220ABMOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 260 A |
| Id-连续漏极电流 | 260 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLB3813PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLB3813PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| Qg-GateCharge | 57 nC |
| Qg-栅极电荷 | 57 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.95 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.95 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
| 上升时间 | 170 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8420pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.95 毫欧 @ 60A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 230W |
| 功率耗散 | 230 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.95 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 57 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 140 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 260 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/InternationalRectifier/IndustrialGrade.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 260A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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