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Datasheet下载- 型号： IRLB3813PBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLB3813PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLB3813PBF价格参考。International RectifierIRLB3813PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 30V 260A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB。您可以下载IRLB3813PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLB3813PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLB3813PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 IRLB3813PBF常用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电电路。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功耗，提高电源转换效率。在这些应用中，它通常作为开关元件，控制电流的通断。 2. 电机驱动 该MOSFET广泛应用于电机驱动电路中，尤其是小型直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。它能够快速响应PWM（脉宽调制）信号，实现精确的速度控制和扭矩调节。此外，其低导通电阻有助于减少发热，延长电机的使用寿命。 3. 消费电子产品 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，IRLB3813PBF用于负载开关、背光驱动、音频放大器等场景。它的紧凑封装（SOT-23）使其适合用于对空间要求严格的便携式设备。 4. 工业自动化 在工业自动化领域，IRLB3813PBF可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口、继电器替代等场合。它能够承受较高的电压和电流冲击，确保系统的稳定性和可靠性。 5. 汽车电子 汽车电子系统中，如电动助力转向（EPS）、车身控制模块（BCM）、LED照明等，IRLB3813PBF也有广泛应用。它符合AEC-Q101标准，具备良好的抗干扰能力和环境适应性，适用于严苛的车载环境。 6. 通信设备 在通信基站、路由器、交换机等设备中，IRLB3813PBF用于电源管理、信号调理等环节。其低栅极电荷和快速开关特性，有助于提高通信设备的能效和响应速度。 总之，IRLB3813PBF凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，在多个领域都有出色的表现，特别是在需要高效、可靠且紧凑设计的应用中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 260A TO-220ABMOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 260 A |
| Id-连续漏极电流 | 260 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLB3813PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLB3813PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| Qg-GateCharge | 57 nC |
| Qg-栅极电荷 | 57 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.95 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.95 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
| 上升时间 | 170 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8420pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.95 毫欧 @ 60A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 230W |
| 功率耗散 | 230 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.95 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 57 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 140 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 260 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/InternationalRectifier/IndustrialGrade.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 260A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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