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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL7833STRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL7833STRLPBF价格参考。International RectifierIRL7833STRLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL7833STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL7833STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAKMOSFET MOSFT 30V 150A 32nC 3.8mOhm Qg log lvl |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 150 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL7833STRLPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRL7833STRLPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 140 W |
Pd-功率耗散 | 140 W |
Qg-GateCharge | 32 nC |
Qg-栅极电荷 | 32 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4170pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.8 毫欧 @ 38A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRL7833STRLPBFDKR |
功率-最大值 | 140W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 4.5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 150 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 150A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irl7833_s_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irl7833_s_l.spi |