(cid:2)(cid:3)(cid:1)(cid:4)(cid:1)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9) IRL7833PbF IRL7833SPbF IRL7833LPbF Applications HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET (cid:1) High Frequency Synchronous Buck V R max Qg Converters for Computer Processor Power DSS DS(on) (cid:0) (cid:1) High Frequency Isolated DC-DC 30V 3.8m 32nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Consumer Use (cid:1) Lead-Free Benefits (cid:1) Very Low RDS(on) at 4.5V V GS (cid:1) Ultra-Low Gate Impedance TO-220AB D2Pak TO-262 (cid:1) Fully Characterized Avalanche Voltage IRL7833 IRL7833S IRL7833L and Current Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VDS Drain-to-Source Voltage 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 150(cid:4) ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 110(cid:4) A IDM Pulsed Drain Current (cid:0) 600 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation (cid:1) 140 W PD @TC = 100°C Maximum Power Dissipation (cid:1) 72 Linear Derating Factor 0.96 W/°C TJ Operating Junction and -55 to + 175 °C TSTG Storage Temperature Range Mounting Torque, 6-32 or M3 screw 10 lbf(cid:5)in (1.1N(cid:5)m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case ––– 1.04 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface (cid:2) 0.50 ––– °C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 62 RθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount) (cid:1)(cid:3) ––– 40 Notes(cid:1)(cid:1)(cid:2)through (cid:1) are on page 12 www.irf.com 1 05/18/04

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BVDSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆ΒVDSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 18 ––– mV/°CReference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 3.1 3.8 mΩ VGS = 10V, ID = 38A (cid:4) ––– 3.7 4.5 V = 4.5V, I = 30A (cid:4) GS D VGS(th) Gate Threshold Voltage 1.4 ––– 2.3 V VDS = VGS, ID = 250µA ∆VGS(th)/∆TJ Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -11 ––– mV/°C IDSS Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 1.0 µA VDS = 24V, VGS = 0V ––– ––– 150 V = 24V, V = 0V, T = 125°C DS GS J IGSS Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA VGS = 20V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 150 ––– ––– S V = 15V, I = 30A DS D Qg Total Gate Charge ––– 32 47 Qgs1 Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 8.7 ––– VDS = 16V Qgs2 Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 5.1 ––– nC VGS = 4.5V Qgd Gate-to-Drain Charge ––– 13 ––– ID = 30A Qgodr Gate Charge Overdrive ––– 5.3 ––– See Fig. 16 Qsw Switch Charge (Qgs2 + Qgd) ––– 18 ––– Qoss Output Charge ––– 22 ––– nC VDS = 16V, VGS = 0V td(on) Turn-On Delay Time ––– 18 ––– VDD = 15V, VGS = 4.5V (cid:4) tr Rise Time ––– 50 ––– ns ID = 26A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 21 ––– Clamped Inductive Load tf Fall Time ––– 6.9 ––– Ciss Input Capacitance ––– 4170 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 950 ––– pF VDS = 15V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 470 ––– ƒ = 1.0MHz Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units EAS Single Pulse Avalanche Energy(cid:0)(cid:1) ––– 560 mJ IAR Avalanche Current(cid:2)(cid:3) ––– 30 A EAR Repetitive Avalanche Energy (cid:3) ––– 14 mJ Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current ––– ––– 150(cid:4) MOSFET symbol D (Body Diode) A showing the ISM Pulsed Source Current ––– ––– 600 integral reverse G (Body Diode)(cid:2)(cid:3)(cid:1) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.2 V TJ = 25°C, IS = 30A, VGS = 0V (cid:4) trr Reverse Recovery Time ––– 42 63 ns TJ = 25°C, IF = 30A, VDD = 15V Qrr Reverse Recovery Charge ––– 34 51 nC di/dt = 100A/µs (cid:4) 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V 7.0V 7.0V A) 43..57VV A) 43..57VV en( t 33..53VV en( t 33..53VV Curr 100 BOTTOM 32..07VV Curr 100 BOTTOM 32..07VV e e ucr ucr 2.7V o o S S o- o- n-t 10 2.7V n-t 10 ai ai Dr Dr , D , D I I 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 1 1 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 1000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.0 ec ID = 75A n )Α(nt TJ = 175°C Raessti VGS = 10V CSuoueecrrr 100 OSnoouec-r maedz)il 1.5 Doanr--I, tiD TJ = 25°C V20DµSs =P U15LVSE WIDTH Danr-, tiRDSon() No(r 1.0 10 0.5 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 100000 12.0 VGS = 0V, f = 1 MHZ I = 30A C = C + C , C SHORTED D iss gs gd ds Crss = Cgd V) 10.0 Coss = Cds + Cgd e( VDS= 24V Fp)10000 oagtl 8.0 VDS= 15V ec( C Ve n iss c CCaapact, i1000 CCrossss GSaeoou--rtt 46..00 , S G V 2.0 100 0.0 1 10 100 0 5 10 15 20 25 30 35 40 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000.00 1000 OPERATION IN THIS AREA T = 175°C LIMITED BY RDS(on) J A) A) n( t100.00 n(t 100 e e urr urr C C 100µsec n e Dear i 10.00 Soucr 10 evsr no--t 1msec Re ,DS 1.00 TJ = 25°C Dar ,iD 1 Tc = 25°C 10msec I I Tj = 175°C V = 0V Single Pulse GS 0.10 0.1 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 1 10 100 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 160 2.5 LIMITED BY PACKAGE V) e( 2.0 g 120 a otl V Current (A) 80 hehodsr l 1.5 ID = 250µA ain e t 1.0 Dr at I , D 40 GSh()t 0.5 G V 0 0.0 25 50 75 100 125 150 175 (cid:1) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:3)(cid:1)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:5)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:7)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:4)(cid:15) -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 (cid:1) T , Temperature ( °C ) J Fig 9. Maximum Drain Current Vs. Fig 10. Threshold Voltage Vs. Temperature Case Temperature 10 Z )thJC ( 1 D = 0.50 e s n o 0.20 p Res 0.10 PDM mal 0.1 0.05 t1 her 0.02 SINGLE PULSE t2 T 0.01 (THERMAL RESPONSE) Notes: 1. Duty factor D = t 1 / t 2 2. Peak T J=PDM x Z thJC + TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11) 15V 2000 ID TOP 12A 21A VDS L DRIVER 1600 BOTTOM 30A J) m RG D.U.T + gy ( IAS - VDDA Ener 1200 2V0GVS he tp 0.01Ω nc a al 800 v A Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit e s ul P gle 400 V(BR)DSS Sin tp E , AS 0 25 50 75 100 125 150 175 Fig 12c. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current L IAS D V DS Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms + V - DD D.U.T Current Regulator V Same Type as D.U.T. GS Pulse Width < 1µs Duty Factor < 0.1% 50KΩ 12V .2µF .3µF Fig 14a. Switching Time Test Circuit + D.U.T. -VDS VDS 90% VGS 3mA 10% IG ID V GS Current Sampling Resistors Fig 13. Gate Charge Test Circuit td(on) tr td(off) tf Fig 14b. Switching Time Waveforms 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Driver Gate Drive (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:27) (cid:2) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:2)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:9)(cid:6)(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:13) VGS=10V • (cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:16)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:7)(cid:18)(cid:12)(cid:14)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) (cid:7)(cid:7) • (cid:19)(cid:3)(cid:11)(cid:5)(cid:12)(cid:14)(cid:7)(cid:20)(cid:21)(cid:9)(cid:12)(cid:15) - (cid:7)(cid:7)(cid:7)(cid:7) (cid:7)•(cid:7)(cid:7) (cid:7) (cid:1)(cid:8)(cid:11)(cid:5)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:7)(cid:15)(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:6)(cid:9)(cid:7)(cid:24)(cid:22)(cid:3)(cid:9)(cid:9)(cid:23)(cid:12)(cid:15)(cid:13)(cid:7)(cid:25)(cid:18)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:14)(cid:26)(cid:5)(cid:15)(cid:4)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:4)(cid:15) D.U.T. ISDWaveform + (cid:4) Reverse (cid:3) Recovery Body Diode Forward - + Current Current - di/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:5) dv/dt VDD (cid:16) (cid:28)(cid:19) • (cid:14)(cid:28)(cid:29)(cid:14)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:30)(cid:10)(cid:7)(cid:31)(cid:1) (cid:27)(cid:27) Re-Applied • (cid:27)(cid:3)(cid:2)(cid:28)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:9)(cid:26)(cid:15)(cid:7)(cid:6)(cid:10) (cid:15)(cid:7)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:27)!"!(cid:24)! + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:18)(cid:2)(cid:3)(cid:7)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:11)(cid:21)(cid:21)(cid:15)(cid:14)(cid:7)(cid:30)(cid:10)(cid:7)(cid:27)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)#(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:7)$(cid:27)$ - Inductor Curent • (cid:27)!"!(cid:24)!(cid:7)%(cid:7)(cid:27)(cid:15)(cid:28)(cid:2)(cid:4)(cid:15)(cid:7)"(cid:12)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:7)(cid:24)(cid:15)(cid:13)(cid:6) Ripple ≤ 5% ISD (cid:27)(cid:3)(cid:16) (cid:3)(cid:17)(cid:3)(cid:18)(cid:16)(cid:3)(cid:19)(cid:20)(cid:10)(cid:3)(cid:21)(cid:20)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:3)(cid:21)(cid:7)(cid:25)(cid:7)(cid:26)(cid:3)(cid:27)(cid:7)(cid:25)(cid:23)(cid:24)(cid:7)(cid:6) (cid:19)(cid:17) Fig 15. (cid:2)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:10)(cid:1)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:14)(cid:18)(cid:10)(cid:19)(cid:20)(cid:1)(cid:15)(cid:18)(cid:21)(cid:15)(cid:22)(cid:1)(cid:23)(cid:10)(cid:24)(cid:22)(cid:1)(cid:25)(cid:13)(cid:19)(cid:17)(cid:26)(cid:13)(cid:22)(cid:1)for N-Channel HEXFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFETs Id Vds Vgs Vgs(th) Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 16. Gate Charge Waveform www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11) Power MOSFET Selection for Non-Isolated DC/DC Converters Control FET Synchronous FET (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:3)(cid:12)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14) The power loss equation for Q2 is approximated (cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:18)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:4)(cid:8)(cid:4)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:14)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:6)(cid:19)(cid:5)(cid:22)(cid:6)(cid:10)(cid:9)(cid:23)(cid:9)(cid:24)(cid:25)(cid:9)(cid:7)(cid:11)(cid:26)(cid:9)(cid:24)(cid:27)(cid:28) by; (cid:29)(cid:12)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:13)(cid:6)(cid:16)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:6)(cid:26)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:18)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:24)(cid:25)(cid:30)(cid:9)(cid:7)(cid:8)(cid:14)(cid:12)(cid:9)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:26) (cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:31)(cid:12)(cid:11)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:8)(cid:9) !"(cid:30)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:6)(cid:20)(cid:3)(cid:7)(cid:5)(cid:10)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:15)#(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)$(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4) P = P + P + P* %&(cid:2) !"(cid:30)(cid:9)(cid:15)(cid:22)(cid:10)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:12)(cid:11)(cid:26)(cid:22)(cid:5)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:12)(cid:11)(cid:8)#(cid:9)(cid:7)(cid:15)(cid:12)(cid:22)(cid:10) loss conduction drive output (cid:12)(cid:11)(cid:4)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:28) ( 2 ) P = I × R loss rms ds(on) (cid:29)(cid:12)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:12)(cid:11)(cid:10)(cid:19)(cid:12)(cid:8)(cid:9)(cid:14)(cid:18)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:24)(cid:25)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:16)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:11) ( ) (cid:15)#’ + Q ×V × f g g Ploss = Pconduction+ Pswitching+ Pdrive+ Poutput +⎛⎜ Qoss ×V × f⎞ +(Q ×V × f) ⎝ 2 in ⎠ rr in This can be expanded and approximated by; *dissipated primarily in Q1. P =(I 2× R ) loss rms ds(on) For the synchronous MOSFET Q2, R is an im- ds(on) ⎛ Q ⎞ ⎛ Q ⎞ portant characteristic; however, once again the im- +⎜ I× gd ×V × f⎟ +⎜ I× gs2 ×V × f⎟ portance of gate charge must not be overlooked since ⎝ ig in ⎠ ⎝ ig in ⎠ it impacts three critical areas. Under light load the MOSFET must still be turned on and off by the con- +(Qg ×Vg × f) trol IC so the gate drive losses become much more significant. Secondly, the output charge Q and re- +⎛ Qoss ×V × f⎞ verse recovery charge Q both generate loosssses that ⎝ 2 in ⎠ are transfered to Q1 andr rincrease the dissipation in that device. Thirdly, gate charge will impact the "(cid:13)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:14)(cid:6)(cid:20)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:21)(cid:6)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:9)(cid:4)((cid:22)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:8)(cid:22)(cid:26)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:19)(cid:20)(cid:14)(cid:9)(cid:24) MOSFETs’ susceptibility to Cdv/dt turn on. (cid:7)(cid:2)(cid:8) (cid:7)(cid:11)(cid:26)(cid:9)(cid:24) (cid:9)(cid:18)(cid:13)(cid:6)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:11)(cid:4)(cid:18)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:9)(cid:29)(cid:12)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:9)%&(cid:2) !"(cid:9)(cid:26)(cid:7)(cid:10)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:13)(cid:4)(cid:4)(cid:10)(cid:14)(cid:28) The drain of Q2 is connected to the switching node (cid:4)(cid:2)(cid:2) (cid:24) (cid:9)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:22)(cid:15)(cid:9)(cid:4)(cid:8)(cid:4)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:19)(cid:7)(cid:26)(cid:6)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:16)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:23)(cid:14)(cid:12)(cid:22)(cid:19)(cid:5)(cid:4) of the converter and therefore sees transitions be- (cid:7)(cid:2)(cid:8) (cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:19)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:7)(cid:10)(cid:9)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:8)(cid:22)(cid:26)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:9)%&(cid:2) !"(cid:9)(cid:26)(cid:7)(cid:10)(cid:7)(cid:9)(cid:14)(cid:13)(cid:4)(cid:4)(cid:10)(cid:14)(cid:28) tween ground and V . As Q1 turns on and off there is in "(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:6)(cid:20)(cid:3)(cid:12)(cid:19)(cid:10)(cid:7)(cid:11)(cid:5)(cid:4)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:14)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:10)(cid:10)(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:16)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:23)(cid:14)(cid:12)(cid:22)(cid:19)(cid:5)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:19)(cid:16)(cid:4) a rate of change of drain voltage dV/dt which is ca- (cid:6)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:9)(cid:10)(cid:18)(cid:12)(cid:9)(cid:14)(cid:22)(cid:15)(cid:9)(cid:4)(cid:8)(cid:4)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:14)(cid:30)(cid:9)(cid:24) (cid:9)(cid:7)(cid:11)(cid:26)(cid:9)(cid:24) (cid:30)(cid:9)(cid:5)(cid:7)(cid:11)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:4)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:21)(cid:19)(cid:12)(cid:20) pacitively coupled to the gate of Q2 and can induce (cid:7)(cid:2)(cid:9) (cid:7)(cid:2)(cid:8) (cid:6)(cid:16)(cid:9)(cid:25))(cid:28) a voltage spike on the gate that is sufficient to turn (cid:24) (cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:26)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:19)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:7)(cid:10)(cid:9)(cid:20)(cid:22)(cid:14)(cid:10)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:22)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:15)# the MOSFET on, resulting in shoot-through current . (cid:7)(cid:2)(cid:8) (cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:16)(cid:7)(cid:10)(cid:4)(cid:9)(cid:26)(cid:19)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:19)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:10)(cid:18)(cid:4)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:7)(cid:10)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:19)(cid:4)(cid:14)(cid:13)(cid:12)(cid:8)(cid:26) The ratio of Q /Q must be minimized to reduce the gd gs1 (cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:19)(cid:4)(cid:7)(cid:5)(cid:13)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:9)(cid:7)(cid:11)(cid:26)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:26)(cid:19)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:5)(cid:22)(cid:19)(cid:23) potential for Cdv/dt turn on. (cid:19)(cid:4)(cid:11)(cid:10)(cid:9)(cid:19)(cid:6)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:9)* (cid:9)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:9)(cid:18)(cid:13)(cid:6)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:10)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:26)(cid:19)(cid:7)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:23) (cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:12) (cid:16)(cid:6)(cid:11)(cid:14)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:11)(cid:16)(cid:4)(cid:28)(cid:9)%(cid:6)(cid:11)(cid:6)(cid:20)(cid:6)+(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:24) (cid:9)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:7)(cid:9)(cid:5)(cid:19)(cid:6)(cid:10)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:21)(cid:7)(cid:5)(cid:10)(cid:12)(cid:19)(cid:9)(cid:6)(cid:11) (cid:7)(cid:2)(cid:8) (cid:19)(cid:4)(cid:26)(cid:22)(cid:5)(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:14)(cid:18)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:8)(cid:12)(cid:14)(cid:14)(cid:4)(cid:14)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:24)(cid:25)(cid:28) (cid:24) (cid:9)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:19)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:7)(cid:10)(cid:9)(cid:20)(cid:22)(cid:14)(cid:10)(cid:9)(cid:15)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:22)(cid:3)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:10)(cid:12)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:12)(cid:22)(cid:10)(cid:23) (cid:4)(cid:2)(cid:2) (cid:3)(cid:22)(cid:10)(cid:9)(cid:5)(cid:7)(cid:3)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)(cid:11)(cid:5)(cid:4)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)%&(cid:2) !"(cid:9)(cid:26)(cid:22)(cid:19)(cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:4)(cid:17)(cid:4)(cid:19)#(cid:9)(cid:14)(cid:18)(cid:6)(cid:10)(cid:5)(cid:13)(cid:23) (cid:6)(cid:11)(cid:16)(cid:9)(cid:5)#(cid:5)(cid:8)(cid:4)(cid:28)(cid:9) (cid:6)(cid:16)(cid:22)(cid:19)(cid:4)(cid:9),(cid:9)(cid:14)(cid:13)(cid:12)(cid:18)(cid:14)(cid:9)(cid:13)(cid:12)(cid:18)(cid:9)(cid:24) (cid:9)(cid:6)(cid:14)(cid:9)(cid:21)(cid:12)(cid:19)(cid:20)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:15)#(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4) (cid:4)(cid:2)(cid:2) (cid:3)(cid:7)(cid:19)(cid:7)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:5)(cid:12)(cid:20)(cid:15)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:9)(cid:12)(cid:21)(cid:9)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:9)(cid:26)(cid:4)(cid:3)(cid:4)(cid:11)(cid:26)(cid:7)(cid:11)(cid:10)(cid:9)-(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:23) (cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:4)(cid:7)(cid:19).(cid:9)(cid:5)(cid:7)(cid:3)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:10)(cid:7)(cid:11)(cid:5)(cid:4)/(cid:14)(cid:9)(cid:31) (cid:9)(cid:7)(cid:11)(cid:26)(cid:9)(cid:31) (cid:9)(cid:18)(cid:13)(cid:4)(cid:11)(cid:9)(cid:20)(cid:22)(cid:8)(cid:10)(cid:6)(cid:3)(cid:8)(cid:6)(cid:4)(cid:26)(cid:9)(cid:15)# (cid:1)(cid:2) (cid:1)(cid:7) (cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:9)(cid:3)(cid:12)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:9)(cid:14)(cid:22)(cid:3)(cid:3)(cid:8)#(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:3)(cid:22)(cid:10)(cid:9)(cid:15)(cid:22)(cid:14)(cid:14)(cid:9)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:10)(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:28) Figure A: Q Characteristic oss 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:22)(cid:14)(cid:10)(cid:17)(cid:23)(cid:8)(cid:2)(cid:24)(cid:12)(cid:25)(cid:15)(cid:16)(cid:23) Dimensions are shown in millimeters (inches) 10.54 (.415) 3.78 (.149) - B - 2.87 (.113) 10.29 (.405) 3.54 (.139) 4.69 (.185) 2.62 (.103) - A - 4.20 (.165) 1.32 (.052) 1.22 (.048) 6.47 (.255) 6.10 (.240) 4 15.24 (.600) 14.84 (.584) 1.15 (.045) LEAD ASSIGNMENTS MIN 1 - GATE 1 2 3 2 - DRAIN 3 - SOURCE 4 - DRAIN 14.09 (.555) 13.47 (.530) 4.06 (.160) 3.55 (.140) 1.40 (.055) 3X 00..9639 ((..003277)) 3X 00..5456 ((..002128)) 3X 1.15 (.045) 0.36 (.014) M B A M 2.92 (.115) 2.64 (.104) 2.54 (.100) 2X NOTES: 1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB. 2 CONTROLLING DIMENSION : INCH 4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS. (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:8)(cid:18)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:10)(cid:12)(cid:15)(cid:20)(cid:16) EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010 LOT CODE 1789 ASSEMBLED ON WW 19, 1997 INTERNATIONAL PART NUMBER IN THE ASSEMBLY LINE "C" RECTIFIER LOGO Note: "P" in assembly line position indicates "Lead-Free" DATE CODE YEAR 7 = 1997 ASSEMBLY LOT CODE WEEK 19 LINE C www.irf.com 9

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:26)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:14)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:22)(cid:14)(cid:10)(cid:17)(cid:23)(cid:8)(cid:2)(cid:24)(cid:12)(cid:25)(cid:15)(cid:16)(cid:23) (cid:26)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:14)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:10)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:8)(cid:18)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:10)(cid:12)(cid:15)(cid:20)(cid:16) THIS IS AN IRF530S WITH PART NUMBER LOT CODE 8024 INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 02, 2000 RECTIFIER F530S IN THE ASSEMBLY LINE "L" LOGO DATE CODE Npoosteit:io "nP "i nind iacsasteems "bLleya lidn-eFree" ASSEMBLY YEAR 0 = 2000 LOT CODE WEEK 02 LINE L (cid:1)(cid:2) PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER F530S LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 0 = 2000 WEEK 02 A = ASSEMBLY SITE CODE 10 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11) TO-262 Package Outline TO-262 Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRL3103L LOT CODE 1789 PART NUMBER INTERNATIONAL ASSEMBLED ON WW 19, 1997 RECTIFIER IN THE ASSEMBLY LINE "C" LOGO Note: "P" in assembly line DATE CODE position indicates "Lead-Free" ASSEMBLY YEAR 7 = 1997 LOT CODE WEEK 19 LINE C OR PART NUMBER INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE P = DESIGNATES LEAD-FREE ASSEMBLY PRODUCT (OPTIONAL) LOT CODE YEAR 7 = 1997 WEEK 19 A = ASSEMBLY SITE CODE www.irf.com 11

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:26)(cid:1)(cid:9)(cid:10)(cid:14)(cid:8)(cid:1)(cid:10)(cid:27)(cid:23)(cid:8)(cid:28)(cid:8)(cid:29)(cid:23)(cid:23)(cid:25)(cid:8)(cid:18)(cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:10)(cid:12)(cid:15)(cid:20)(cid:16) 0(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:14)(cid:6)(cid:12)(cid:11)(cid:14)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:4)(cid:9)(cid:14)(cid:13)(cid:12)(cid:18)(cid:11)(cid:9)(cid:6)(cid:11)(cid:9)(cid:20)(cid:6)(cid:8)(cid:8)(cid:6)(cid:20)(cid:4)(cid:10)(cid:4)(cid:19)(cid:14)(cid:9)-(cid:6)(cid:11)(cid:5)(cid:13)(cid:4)(cid:14). TRR 1.60 (.063) 1.50 (.059) 43..1900 ((..116513)) 11..6500 ((..006539)) 0.368 (.0145) 0.342 (.0135) FEED DIRECTION 1.85 (.073) 11.60 (.457) 1.65 (.065) 11.40 (.449) 15.42 (.609) 24.30 (.957) 15.22 (.601) 23.90 (.941) TRL 1.75 (.069) 10.90 (.429) 1.25 (.049) 10.70 (.421) 4.72 (.136) 16.10 (.634) 4.52 (.178) 15.90 (.626) FEED DIRECTION 13.50 (.532) 27.40 (1.079) 12.80 (.504) 23.90 (.941) 4 330.00 60.00 (2.362) (14.173) MIN. MAX. 30.40 (1.197) NOTES : MAX. 1. COMFORMS TO EIA-418. 26.40 (1.039) 4 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 24.40 (.961) 34.. DINICMLEUNDSEIOSN F MLAENAGSEU RDEISDT @OR HTUIOBN. @ OUTER EDGE. 3 (cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:5)(cid:3)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:4) (cid:3)Starting TJ = 25°C, L = 1.3mH, RG = 25Ω, IAS = 30A. (cid:2) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. (cid:3) Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package limitation current is 75A. (cid:6) When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994. (cid:1) This is only applied to TO-220AB package. TO-220AB package isnot recommended for Surface Mount Application. Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.05/04 12 www.irf.com

Note: For the most current drawings please refer to the IR website at: http://www.irf.com/package/

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRL7833PBF IRL7833SPBF IRL7833STRLPBF