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产品简介:
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Vishay Siliconix品牌的IRL640STRL是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - IRL640STRL具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于开关电源中的功率开关。例如,在DC-DC转换器中,该MOSFET可以用作同步整流器或主开关,提供高效的电压转换。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,IRL640STRL可用作驱动电路的开关元件。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高电机效率,同时支持高频PWM(脉宽调制)控制。 3. 负载切换 - 该MOSFET适用于负载切换应用,例如在汽车电子、消费电子或工业设备中,用于动态控制负载的开启和关闭。其低导通电阻确保了在负载切换过程中功耗最小化。 4. 电池管理 - 在电池管理系统(BMS)中,IRL640STRL可用于电池保护电路,实现过流保护、短路保护以及电池充放电控制等功能。其低导通电阻特性有助于降低电池内阻引起的能量损耗。 5. 音频放大器 - 在D类音频放大器中,IRL640STRL可以用作输出级开关元件,实现高效的能量转换,同时保持较低的失真和热损耗。 6. 逆变器 - 在小型逆变器中,该MOSFET可以作为功率开关,将直流电转换为交流电,适用于太阳能逆变器或其他便携式逆变器设备。 7. LED驱动 - 在高亮度LED驱动电路中,IRL640STRL可以用作开关元件,通过PWM调光技术调节LED亮度,同时保持高效能和稳定性。 特性优势: - 低导通电阻:典型值为15mΩ(@ Vgs=10V),可显著降低功耗。 - 高电流能力:连续漏极电流可达38A(@ Tc=25°C),满足大功率应用需求。 - 快速开关速度:栅极电荷低,支持高频操作。 - 耐压能力强:最大漏源电压为60V,适用于中低压系统。 综上所述,IRL640STRL凭借其优异的性能,成为许多电力电子设计中的理想选择,特别适合需要高效能、低损耗的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRL640STRL |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 10A,5V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 3.1W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |