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  • 型号: IRL3803VPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3803VPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3803VPBF价格参考。International RectifierIRL3803VPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL3803VPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL3803VPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 140A TO-220ABMOSFET MOSFT 140A 50.7nC 5.5mOhm LogLvAB

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

140 A

Id-连续漏极电流

140 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL3803VPBFHEXFET®

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产品型号

IRL3803VPBF

Pd-PowerDissipation

200 W

Pd-功率耗散

200 W

Qg-GateCharge

50.7 nC

Qg-栅极电荷

50.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

7.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3720pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

76nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.5 毫欧 @ 71A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRL3803VPBF

功率-最大值

200W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

140A (Tc)

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