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IRL3705ZPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL3705ZPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL3705ZPBF价格参考。International RectifierIRL3705ZPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRL3705ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL3705ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的型号为IRL3705ZPBF的晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),且为单通道设计。该型号的应用场景主要包括以下方面: 1. 电源管理: IRL3705ZPBF适用于各种直流-直流转换器(DC-DC converters)和开关模式电源(SMPS)中,用于高效地控制电压和电流。其低导通电阻特性使其在功率转换应用中表现出色,适合需要高效率和低损耗的场景。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件来控制电机的启动、停止和速度调节。其低Rds(on)(导通电阻)能够减少发热,提高系统可靠性。 3. 负载开关: 在消费电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,IRL3705ZPBF可用作负载开关,实现对不同负载的快速开启和关闭,同时降低功耗。 4. 电池管理系统(BMS): 该MOSFET适合用于锂电池保护电路中,用作充电/放电路径的开关,确保电池的安全运行并防止过流或短路。 5. 信号切换: 在通信设备或工业控制系统中,IRL3705ZPBF可以用作信号切换元件,支持高速开关操作,满足高频应用场景的需求。 6. 汽车电子: 由于其可靠的性能和稳定性,该型号也可应用于汽车电子领域,例如车身控制模块(BCM)、座椅调节电路或灯光控制系统中的开关元件。 总结来说,IRL3705ZPBF凭借其优异的电气特性和耐用性,广泛应用于需要高效功率转换、低功耗和高可靠性的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-220ABMOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 86 A |
Id-连续漏极电流 | 86 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL3705ZPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRL3705ZPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 130 W |
Pd-功率耗散 | 130 W |
Qg-GateCharge | 40 nC |
Qg-栅极电荷 | 40 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2880pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8 毫欧 @ 52A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRL3705ZPBF |
功率-最大值 | 130W |
功率耗散 | 130 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 12 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 40 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 55 V |
漏极连续电流 | 86 A |
漏源极电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irl3705z_s_l.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irl3705z_s_l.spi |
闸/源击穿电压 | 16 V |