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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRL2203NSTRRPBF |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3290pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 60A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 3.8W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 116A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irl2203ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irl2203ns.spi |