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  • 型号: IRL2203NSTRLPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRL2203NSTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL2203NSTRLPBF价格参考。International RectifierIRL2203NSTRLPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL2203NSTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL2203NSTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 116A D2PAKMOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

116 A

Id-连续漏极电流

116 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRL2203NSTRLPBFHEXFET®

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产品型号

IRL2203NSTRLPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

170 W

Pd-功率耗散

170 W

Qg-GateCharge

40 nC

Qg-栅极电荷

40 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3290pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 60A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

IRL2203NSTRLPBFDKR

功率-最大值

3.8W

功率耗散

170 W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

10 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

40 nC

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

116 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

116A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irl2203ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irl2203ns.spi

闸/源击穿电压

16 V

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