PD - 94953 IRL2203NPbF HEXFETfi Power MOSFET (cid:1) Advanced Process Technology D (cid:1) Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V (cid:1) Dynamic dv/dt Rating (cid:1) 175(cid:176)C Operating Temperature R = 7.0mΩ DS(on) (cid:1) Fast Switching G (cid:1) Fully Avalanche Rated I = 116A(cid:1) D (cid:1) Lead-Free S Description Advanced HEXFETfi Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute TO-220AB to its wide acceptance throughout the industry. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units I @ T = 25(cid:176)C Continuous Drain Current, V @ 10V 116(cid:1) D C GS I @ T = 100(cid:176)C Continuous Drain Current, V @ 10V 82 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:2) 400 DM P @T = 25(cid:176)C Power Dissipation 180 W D C Linear Derating Factor 1.2 W/(cid:176)C V Gate-to-Source Voltage – 16 V GS I Avalanche Current(cid:2) 60 A AR E Repetitive Avalanche Energy(cid:2) 18 mJ AR dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:3) 5.0 V/ns T Operating Junction and -55 to + 175 J TSTG Storage Temperature Range (cid:176)C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf(cid:149)in (1.1N(cid:149)m) Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJC Junction-to-Case (cid:150)(cid:150)(cid:150) 0.85 RθCS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:176)C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:150)(cid:150)(cid:150) 62 www.irf.com 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:3)(cid:1)(cid:6)

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) Electrical Characteristics @ T = 25(cid:176)C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) V VGS = 0V, ID = 250(cid:181)A ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient (cid:150)(cid:150)(cid:150) 0.029 (cid:150)(cid:150)(cid:150) V/(cid:176)C Reference to 25(cid:176)C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance (cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150)(cid:150) 71.00 mΩ VVGGSS == 41.05VV,, IIDD == 6408AA(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3) VGS(th) Gate Threshold Voltage 1.0 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) V VDS = VGS, ID = 250(cid:181)A gfs Forward Transconductance 73 (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) S VDS = 25V, ID = 60A(cid:3) I Drain-to-Source Leakage Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 25 (cid:181)A VDS = 30V, VGS = 0V DSS (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 250 VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125(cid:176)C (cid:11) Gate-to-Source Forward Leakage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 100 nA VGS = 16V (cid:2)(cid:3)(cid:3) Gate-to-Source Reverse Leakage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) -100 VGS = -16V Qg Total Gate Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 60 ID = 60A Qgs Gate-to-Source Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 14 nC VDS = 24V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 33 VGS = 4.5V, See Fig. 6 and 13 td(on) Turn-On Delay Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 11 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VDD = 15V tr Rise Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 160 (cid:150)(cid:150)(cid:150) ID = 60A td(off) Turn-Off Delay Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 23 (cid:150)(cid:150)(cid:150) RG = 1.8Ω tf Fall Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 66 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VGS = 4.5V, See Fig. 10 (cid:3) Between lead, D L Internal Drain Inductance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 4.5 (cid:150)(cid:150)(cid:150) D 6mm (0.25in.) (cid:12)(cid:13) from package G L Internal Source Inductance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 7.5 (cid:150)(cid:150)(cid:150) S and center of die contact S Ciss Input Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 3290 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VGS = 0V Coss Output Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1270 (cid:150)(cid:150)(cid:150) VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance (cid:150)(cid:150)(cid:150) 170 (cid:150)(cid:150)(cid:150) pF (cid:131) = 1.0MHz, See Fig. 5 E Single Pulse Avalanche Energy(cid:4) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1320(cid:4)290(cid:5) mJ I = 60A, L = 0.16mH AS AS Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 116(cid:1) MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:7) ISM P(Buolsdeyd D Siooduerc)(cid:2)e Current (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 400 pin-tne gjuranlc trieovne drsioede. G S VSD Diode Forward Voltage (cid:150)(cid:150)(cid:150) (cid:150)(cid:150)(cid:150) 1.2 V TJ = 25(cid:176)C, IS = 60A, VGS = 0V (cid:5) trr Reverse Recovery Time (cid:150)(cid:150)(cid:150) 56 84 ns TJ = 25(cid:176)C, IF = 60A Qrr Reverse Recovery Charge (cid:150)(cid:150)(cid:150) 110 170 nC di/dt = 100A/(cid:181)s (cid:5) ton Forward Turn-On Time Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:2)(cid:8)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:3)ISD ≤(cid:8)60A(cid:9)(cid:8)di/d(cid:10)(cid:8)≤(cid:8)110A/(cid:181)s, VDD(cid:1)≤(cid:8)V(BR)DSS, max. junction temperature. ( See fig. 11 ) TJ ≤ 175(cid:176)C (cid:4) Starting T = 25(cid:176)C, L = 0.16mH (cid:5) Pulse width ≤ 400(cid:181)s; duty cycle ≤ 2%. RG = 25Ω,J I AS = 60A, VGS=10V (See Figure 12) (cid:6) This is a typical value at device destruction and represents operation outside rated limits. (cid:7) This is a calculated value limited to TJ = 175(cid:176)C . (cid:1)(cid:2)Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package limitation current is 75A. 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V A) 43..57VV A) 43..57VV nt ( 33..53VV nt ( 33..53VV e 3.0V e 3.0V Curr 100 BOTTOM2.7V Curr 100 BOTTOM2.7V e e c c ur ur o o S S 2.7V o- o- n-t n-t ai 10 2.7V ai 10 Dr Dr I , D I , D 20(cid:181)s PULSE WIDTH 20(cid:181)s PULSE WIDTH TJ = 25(cid:176)C TJ = 175(cid:176)C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VD S , Drain-to-Source Voltage (V) V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.5 ID=100A e c n A) a nt ( TJ = 25 (cid:176) C sist 2.0 e e urr n R Source C 100 TJ = 175 (cid:176) C Source Omalized) 1.5 n-to- n-to-(Nor 1.0 ai ai Dr Dr I , D V20 D (cid:181) Ss =P U15LVSE WIDTH R , DS(on) 0.5 VGS=10V 10 0.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180 VG S , Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature ( (cid:176) C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) 6000 15 VGS=0V, f = 1MHz ID=60A Ciss =Cgs + Cgd , Cd s SHORTED 5000 CCrossss==CCgdds + Cgd e (V) 12 VVDDSS== 1254VV g nce (pF) 4000 Ciss ce Volta 9 acita 3000 Sour C, Cap 2000 Coss ate-to- 6 G 1000 V , GS 3 Crss FOR TEST CIRCUIT SEE FIGURE 1 3 0 0 1 10 100 0 20 40 60 80 V D S , Drain-to-Source Voltage (V) Q G , Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000 10000 A) OPERATION IN THIS AREA nt ( 100 LIMITED BY RDS(on) Curre TJ = 175 (cid:176) C An()t 1000 ain uerr Dr 10 C verse Souecr 100 100(cid:181)sec Re TJ = 25 (cid:176) C o- I , SD 1 Dnar-ti 10 1msec V G S = 0 V ,ID Tc = 25(cid:176)C 10msec 0.1 Tj = 175(cid:176)C 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 Single Pulse V ,Source-to-Drain Voltage (V) 1 SD 1 10 100 VDS , Drain-toSource Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) 120 (cid:15) (cid:4) (cid:14) LIMITED BY PACKAGE (cid:4)(cid:3) 100 (cid:14)(cid:2)(cid:3) (cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:17)(cid:19)(cid:17) (cid:15) nt (A) 80 (cid:2) +-(cid:14)(cid:4)(cid:4) e urr (cid:14)(cid:2)(cid:3) ain C 60 (cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:13)(cid:8)(cid:16)(cid:9)(cid:1)(cid:17)(cid:1)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:11)(cid:13)(cid:12)(cid:20)(cid:13)(cid:21)(cid:14)(cid:1)(cid:1)≤≤ 01. 1(cid:15) %(cid:8) Dr I , D 40 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 20 VDS 90% 0 25 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( (cid:176) C) C 10% Fig 9. Maximum Drain Current Vs. VGS Case Temperature td(on) tr td(off) tf (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:9)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:4)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:4)(cid:11)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) 1 ) D = 0.50 Z thJC ( 0.20 e s n o 0.10 p 0.1 s e al R 0.05 SINGLE PULSE PDM m 0.02 (THERMAL RESPONSE) t1 er 0.01 h t2 T Notes: 1. Duty factor D = t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJC+ TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) 600 15V J) ID m TOP 24A ( gy 500 42A VDS L DRIVER ner BOTTOM 60A E e 400 h RG D.U.T +- VDD anc 2V0GVS IAS A Aval 300 tp 0.01Ω e s (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) Pul 200 e gl n tp V(BR)DSS E , SiAS100 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature ( (cid:176) C) J (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:1)(cid:1)(cid:30)(cid:18)(cid:31)(cid:4)(cid:11)(cid:16)(cid:11)(cid:1) (cid:19)(cid:18)(cid:26)(cid:18)(cid:8)(cid:6)(cid:7)(cid:12)(cid:1)!(cid:8)(cid:12)(cid:15)(cid:9)" (cid:22)(cid:13)#(cid:1)$(cid:15)(cid:18)(cid:4)(cid:8)(cid:1)(cid:14)(cid:16)(cid:15)(cid:15)(cid:12)(cid:8)(cid:5) IAS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:25)(cid:8)(cid:6)(cid:26)(cid:18)(cid:11)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:1)(cid:29)(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:6)(cid:5)(cid:4)(cid:19)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11)(cid:13) Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ 12V .2µF QG .3µF (cid:22) + (cid:1)(cid:2) D.U.T. -VDS Q Q GS GD VGS V G 3mA IG ID Charge Current Sampling Resistors (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:24)(cid:18)(cid:13)(cid:4)(cid:6)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:12)(cid:20)(cid:21)(cid:15)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:9)(cid:8)(cid:4)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:5)(cid:12)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:18)(cid:15)(cid:9)(cid:12)(cid:1)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:5)(cid:1)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:16)(cid:4)(cid:5) 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:2)(cid:13)(cid:14)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:15)(cid:9)(cid:16)(cid:5)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:16)(cid:5)(cid:19)(cid:7)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:7)(cid:16) + $"(cid:24)(cid:22)(cid:29)"(cid:10)(cid:8)%(cid:31)(cid:28)(cid:23)(cid:29)(cid:10)(cid:8)$(cid:23)(cid:12)#"(cid:20)(cid:26)(cid:24)(cid:31)(cid:10)"(cid:23)(cid:12)# (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)% • (cid:8)%(cid:23)&(cid:8)’(cid:10)(cid:24)(cid:31)(cid:28)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:20)(cid:29)(cid:22)(cid:10)(cid:31)(cid:12)(cid:22)(cid:26) (cid:3) (cid:8)(cid:8) • ((cid:24)(cid:23)(cid:29)(cid:12)(cid:20)(cid:8))(cid:25)(cid:31)(cid:12)(cid:26) (cid:8)(cid:8) • %(cid:23)&(cid:8)%(cid:26)(cid:31)*(cid:31)+(cid:26)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:20)(cid:29)(cid:22)(cid:10)(cid:31)(cid:12)(cid:22)(cid:26) (cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)$(cid:29)(cid:24)(cid:24)(cid:26)(cid:12)(cid:10)(cid:8)(cid:19)(cid:24)(cid:31)(cid:12)#,(cid:23)(cid:24)-(cid:26)(cid:24) - + (cid:4) (cid:5) - + - (cid:2) (cid:15)(cid:2) • (cid:20)(cid:21)(cid:3)(cid:20)(cid:10)(cid:8)(cid:22)(cid:23)(cid:12)(cid:10)(cid:24)(cid:23)(cid:25)(cid:25)(cid:26)(cid:20)(cid:8)(cid:27)(cid:28)(cid:8)(cid:15)(cid:2) + (cid:14) •• (cid:11)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:4)(cid:18)(cid:8)(cid:22)(cid:17)(cid:19)(cid:23)(cid:17)(cid:12)(cid:8)(cid:10)!(cid:24)(cid:8)(cid:23)(cid:16)(cid:25)(cid:25)(cid:26)(cid:26)(cid:21)(cid:20)"(cid:22)(cid:8)(cid:27)(cid:26)(cid:28)(cid:8)(cid:18)(cid:8)(cid:16)(cid:12)(cid:29)(cid:20)(cid:10)(cid:26)(cid:28)(cid:24)(cid:8)(cid:8)(cid:30)(cid:19)(cid:31)(cid:26)(cid:22)#(cid:10)(cid:10)(cid:23)(cid:24)(cid:8) (cid:16) - (cid:14)(cid:4)(cid:4) (cid:2)(cid:3) %(cid:8)(cid:8)(cid:15)(cid:26)(cid:21)(cid:26)(cid:24)#(cid:26)(cid:8))(cid:23)(cid:25)(cid:31)(cid:24)"(cid:10)(cid:28)(cid:8)(cid:23),(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:17)(cid:19)(cid:8),(cid:23)(cid:24)(cid:8))!$.(cid:31)(cid:12)(cid:12)(cid:26)(cid:25) Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period (cid:1)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:4)(cid:4) V =10V GS D.U.T. I Waveform SD Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. V Waveform DS Diode Recovery dv/dt (cid:1)(cid:2)V(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3) DD Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent &(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:1)’ I Ripple ≤ 5% SD %%%(cid:8)(cid:14) (cid:8)/(cid:8)0(cid:17)(cid:1)(cid:14)(cid:8),(cid:23)(cid:24)(cid:8)%(cid:23)+"(cid:22)(cid:8)%(cid:26)(cid:21)(cid:26)(cid:25)(cid:8)(cid:31)(cid:12)(cid:20)(cid:8)1(cid:14)(cid:8)(cid:16)(cid:24)"(cid:21)(cid:26)(cid:8)(cid:16)(cid:26)(cid:21)"(cid:22)(cid:26)# (cid:2)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:13)(cid:8)(cid:4)For N-channel(cid:1)HEXFETfi power MOSFETs www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:8)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:14) Dimensions are shown in millimeters (inches) 10.54 (.415) 3.78 (.149) - B - 2.87 (.113) 10.29 (.405) 3.54 (.139) 4.69 (.185) 2.62 (.103) - A - 4.20 (.165) 1.32 (.052) 1.22 (.048) 6.47 (.255) 4 6.10 (.240) 15.24 (.600) 14.84 (.584) LEAD ASSIGNMENTS 1.15 (.045) LEAD ASSIGNMENTS MIN HE X F E 1T - GATE IGBTs, CoPACK 1 2 3 1- G A T 2E - DRAIN 1- GATE 2- D R A 3I N- SOURCE2- COLLECTOR 3- S O U 4R - CDERAIN 3- EMITTER 4- DRAIN 4- COLLECTOR 14.09 (.555) 13.47 (.530) 4.06 (.160) 3.55 (.140) 3X11..4105 ((..005455)) 3X0.3006.. 96 (39.0 ((1..00432) 77 )) M B A M 2.932X (.001..154556) ((..002128)) 2.64 (.104) 2.54 (.100) 2X NOTES: 1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 3 OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-220AB. 2 CONTROLLING DIMENSION : INCH 4 HEATSINK & LEAD MEASUREMENTS DO NOT INCLUDE BURRS. (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:20)(cid:16)(cid:8)(cid:21)(cid:10)(cid:20)(cid:12)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:8)(cid:22)(cid:19)(cid:23)(cid:24)(cid:20)(cid:25)(cid:10)(cid:16)(cid:18)(cid:24)(cid:19) EXAMPLE: THIS IS AN IRF1010 LOT CODE 1789 ASSEMBLED ON WW 19, 1997 INTERNATIONAL PART NUMBER IN THE ASSEMBLY LINE "C" RECTIFIER LOGO Note: "P" in assembly line position indicates "Lead-Free" DATE CODE YEAR 7 = 1997 ASSEMBLY LOT CODE WEEK 19 LINE C Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the industrial market. Qualification Standards can be found on IR(cid:146)s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 01/04 8 www.irf.com

Note: For the most current drawings please refer to the IR website at: http://www.irf.com/package/

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRL2203NPBF