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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRGSL4B60KD1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGSL4B60KD1PBF价格参考。International RectifierIRGSL4B60KD1PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRGSL4B60KD1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGSL4B60KD1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 22ns/100ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 22A |
描述 | IGBT 600V 11A 63W TO262IGBT 晶体管 600V Low-Vceon Non Punch Through |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 12nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGSL4B60KD1PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRGSL4B60KD1PBF |
SwitchingEnergy | 73µJ (开), 47µJ (关) |
TestCondition | 400V, 4A, 100 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,4A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-262 |
其它名称 | *IRGSL4B60KD1PBF |
功率-最大值 | 63W |
功率耗散 | 63 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 93ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 12 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
封装/箱体 | TO-262 |
工厂包装数量 | 50 |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 11A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irgb_s_sl4b60kd1.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irgb_s_sl4b60kd1.spi |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |