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IRGS30B60KTRRP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRGS30B60KTRRP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGS30B60KTRRP价格参考。International RectifierIRGS30B60KTRRP封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 600V 78A 370W Surface Mount D2PAK。您可以下载IRGS30B60KTRRP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGS30B60KTRRP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 46ns/185ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 600V 78A 370W D2PAKIGBT 晶体管 600V 30AD2PAK |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 102nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGS30B60KTRRP- |
数据手册 | |
产品型号 | IRGS30B60KTRRP |
SwitchingEnergy | 350µJ (开), 825µJ (关) |
TestCondition | 400V, 30A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.35V @ 15V,30A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRGS30B60KTRRP-ND |
功率-最大值 | 370W |
功率耗散 | 370 W |
包装 | 带卷 (TR) |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 78 A |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK |
工厂包装数量 | 800 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 800 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 78A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.95 V |
集电极最大连续电流Ic | 78 A |