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IRGP50B60PDPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRGP50B60PDPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGP50B60PDPBF价格参考。International RectifierIRGP50B60PDPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 600V 75A 370W Through Hole TO-247AC。您可以下载IRGP50B60PDPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGP50B60PDPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRGP50B60PDPBF是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单通道增强型N沟道功率MOSFET。它主要应用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电力转换和控制领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:该MOSFET广泛用于开关电源(SMPS)中,包括AC-DC和DC-DC转换器。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高效率。适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等消费电子产品的电源模块。 2. 电机驱动:在无刷直流电机(BLDC)和步进电机控制系统中,IRGP50B60PDPBF能够提供高效的电流切换,确保电机平稳运行并延长使用寿命。常见于家用电器如洗衣机、空调风扇以及工业自动化设备中的伺服系统。 3. 不间断电源(UPS):作为关键组件之一,这款MOSFET能够在市电中断时迅速切换到备用电池供电模式,保证负载设备持续工作,特别适合数据中心、服务器等对供电稳定性要求极高的场合。 4. 逆变器与太阳能光伏系统:在光伏逆变器中,MOSFET用于将直流电转换为交流电输出给电网或负载使用。由于其优异的热性能和耐压特性,IRGP50B60PDPBF可以承受较高的电压应力,适应恶劣环境条件下的长期稳定工作。 5. 汽车电子:随着电动汽车和混合动力汽车的发展,该型号MOSFET也越来越多地被应用于车载充电机、DC-DC变换器及牵引逆变器等部件内,以满足车辆电气化带来的更高功率密度需求。 总之,Infineon的IRGP50B60PDPBF凭借其出色的电气参数和技术优势,在众多涉及电力传输与控制的应用场景中展现出卓越的表现。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 34ns/130ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
描述 | IGBT 600V 75A 370W TO247ACIGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 240nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGP50B60PDPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRGP50B60PDPBF |
SwitchingEnergy | 360µJ (开), 380µJ (关) |
TestCondition | 390V, 33A, 3.3 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V,50A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
其它名称 | *IRGP50B60PDPBF |
功率-最大值 | 370W |
功率耗散 | 370 W |
包装 | 散装 |
反向恢复时间(trr) | 50ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 75 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 AC |
工厂包装数量 | 25 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 75A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |
集电极最大连续电流Ic | 75 A |