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IRGP50B60PD1PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRGP50B60PD1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGP50B60PD1PBF价格参考。International RectifierIRGP50B60PD1PBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 600V 75A 390W Through Hole TO-247AC。您可以下载IRGP50B60PD1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGP50B60PD1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRGP50B60PD1PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体型号为P沟道增强型器件。它在多种应用场景中表现出色,特别是在需要高效开关和功率管理的场合。 应用场景 1. 电源管理: - IRGP50B60PD1PBF广泛应用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源管理系统中。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高转换效率,适用于笔记本电脑、手机充电器等便携式电子设备。 2. 电机驱动: - 在无刷直流电机(BLDC)、步进电机等驱动电路中,该MOSFET可以作为开关元件,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合高频PWM(脉宽调制)控制。 3. 逆变器与变频器: - 该MOSFET可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)和工业变频器等设备中。这些应用需要高可靠性、高效能的开关元件来实现能量转换和频率调节。 4. 电池管理系统(BMS): - 在电动汽车(EV)、电动自行车和其他储能系统中,IRGP50B60PD1PBF可以用作电池保护电路中的关键组件,确保电池组的安全充放电操作,防止过充、过放和短路等问题。 5. 消费电子产品: - 在电视、音响、家用电器等消费类电子产品中,这款MOSFET也常被用作开关电源或负载开关,提供稳定可靠的电力传输。 性能优势 - 低导通电阻:降低了导通时的功耗,提高了整体系统的效率。 - 高击穿电压:能够承受较高的工作电压,增加了系统的安全性和稳定性。 - 快速开关特性:支持高频工作环境,减少了开关损耗,提升了动态响应速度。 总之,IRGP50B60PD1PBF凭借其优异的电气性能和广泛的适用性,在众多领域得到了广泛应用,尤其是在对效率和可靠性要求较高的电力电子系统中。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 30ns/130ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
描述 | IGBT 600V 75A 390W TO247ACIGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 205nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGP50B60PD1PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRGP50B60PD1PBF |
SwitchingEnergy | 255µJ (开), 375µJ (关) |
TestCondition | 390V, 33A, 3.3 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.85V @ 15V,50A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
其它名称 | *IRGP50B60PD1PBF |
功率-最大值 | 390W |
功率耗散 | 390 W |
包装 | 散装 |
反向恢复时间(trr) | 42ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 75 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247 |
工厂包装数量 | 25 |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 75A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irgp50b60pd1.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irgp50b60pd1.spi |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.35 V |