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IRGP35B60PDPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRGP35B60PDPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGP35B60PDPBF价格参考。International RectifierIRGP35B60PDPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 600V 60A 308W Through Hole TO-247AC。您可以下载IRGP35B60PDPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGP35B60PDPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRGP35B60PDPBF是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单通道超低栅极电荷(Ultra-Gate-charge,UGBT)系列。该型号具有出色的开关性能和低导通电阻,适用于多种高效能电力电子应用。 应用场景: 1. 电源管理: - 开关电源(SMPS):在开关电源中,IRGP35B60PDPBF用于高频开关操作,能够显著提高转换效率,减少能量损耗。其低栅极电荷特性有助于降低开关损耗,特别适合于需要高频率工作的场合。 - 不间断电源(UPS):在UPS系统中,这款MOSFET可以提供稳定的电压输出,确保在市电中断时负载设备的正常运行。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC):用于驱动无刷直流电机,特别是在电动工具、家用电器和工业自动化设备中。其快速开关特性和低导通电阻有助于提高电机效率,减少发热。 - 伺服电机控制:在精密伺服控制系统中,该MOSFET能够实现精确的速度和位置控制,广泛应用于机器人、数控机床等领域。 3. 逆变器: - 太阳能逆变器:在光伏系统中,IRGP35B60PDPBF用于将直流电转换为交流电,其高效的开关特性有助于提高系统的整体效率,延长电池寿命。 - 车载逆变器:在电动汽车和混合动力汽车中,该MOSFET用于车载逆变器,将电池的直流电转换为驱动电机所需的交流电,提升车辆的动力性能和续航里程。 4. 电池管理系统(BMS): - 电池保护电路:在锂电池和其他类型的电池管理系统中,这款MOSFET用于过流保护、短路保护等功能,确保电池的安全和稳定运行。 总之,IRGP35B60PDPBF凭借其优异的开关性能和低损耗特性,广泛应用于各种电力电子设备中,尤其适合对效率和可靠性要求较高的场合。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 26ns/110ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 120A |
描述 | IGBT 600V 60A 308W TO247ACIGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 160nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGP35B60PDPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRGP35B60PDPBF |
SwitchingEnergy | 220µJ (开), 215µJ (关) |
TestCondition | 390V, 22A, 3.3 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.55V @ 15V,35A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
其它名称 | *IRGP35B60PDPBF |
功率-最大值 | 308W |
功率耗散 | 308 W |
包装 | 散装 |
反向恢复时间(trr) | 42ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 60 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 AC |
工厂包装数量 | 25 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.85 V |
集电极最大连续电流Ic | 60 A |