图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRGP35B60PD-EP
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRGP35B60PD-EP产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRGP35B60PD-EP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGP35B60PD-EP价格参考。International RectifierIRGP35B60PD-EP封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 600V 60A 308W Through Hole TO-247AD。您可以下载IRGP35B60PD-EP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGP35B60PD-EP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

26ns/110ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

120A

描述

IGBT 600V 60A 308W TO247AD

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

160nC

IGBT类型

NPT

品牌

International Rectifier

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

IRGP35B60PD-EP

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

220µJ (开), 215µJ (关)

TestCondition

390V, 22A, 3.3 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.55V @ 15V,35A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

供应商器件封装

TO-247AD

功率-最大值

308W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

42ns

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

标准包装

25

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

输入类型

标准

推荐商品

型号:IGD06N60TATMA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRGP4266D-EPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SGB02N120ATMA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRGP4063-EPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IKW75N60TFKSA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IXGR50N160H1

品牌:IXYS

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IKP06N60TXKSA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STGW60V60DLF

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRGP35B60PD-EP 相关产品

IKW40N120H3FKSA1

品牌:Infineon Technologies

价格:

FGP10N60UNDF

品牌:ON Semiconductor

价格:¥3.90-¥14.61

IRG4IBC30UDPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

FGH30N6S2

品牌:ON Semiconductor

价格:

IRG4PC40KPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:¥8.79-¥9.36

NGB8207ABNT4G

品牌:Littelfuse Inc.

价格:

IHW30N160R2FKSA1

品牌:Infineon Technologies

价格:

NGTB40N120IHRWG

品牌:ON Semiconductor

价格:

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:6)(cid:5) SMPS IGBT IRGP35B60PD-EP WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C V = 600V CES Applications VCE(on) typ. = 1.85V • Telecom and Server SMPS @ VGE = 15V IC = 22A • PFC and ZVS SMPS Circuits • Uninterruptable Power Supplies Equivalent MOSFET • Consumer Electronics Power Supplies G Parameters(cid:1) • Lead-Free R typ. = 84mΩ CE(on) Features E I (FET equivalent) = 35A • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient n-channel D • Lower V (SAT) CE • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode • Tighter Distribution of Parameters • Higher Reliability Benefits • Parallel Operation for Higher Current Applications • Lower Conduction Losses and Switching Losses TO-247AD • Higher Switching Frequency up to 150KHz Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Collector-to-Emitter Voltage 600 V CES I @ T = 25°C Continuous Collector Current 60 C C I @ T = 100°C Continuous Collector Current 34 C C I Pulse Collector Current (Ref. Fig. C.T.4) 120 CM I Clamped Inductive Load Current (cid:0) 120 A LM I @ T = 25°C Diode Continous Forward Current 40 F C I @ T = 100°C Diode Continous Forward Current 15 F C I Maximum Repetitive Forward Current (cid:1) 60 FRM V Gate-to-Emitter Voltage ±20 V GE P @ T = 25°C Maximum Power Dissipation 308 W D C P @ T = 100°C Maximum Power Dissipation 123 D C T Operating Junction and -55 to +150 J T Storage Temperature Range °C STG Soldering Temperature for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance Parameter Min. Typ. Max. Units R (IGBT) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) ––– ––– 0.41 °C/W θJC R (Diode) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode) ––– ––– 1.7 θJC R Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 ––– θCS R Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) ––– ––– 40 θJA Weight ––– 6.0 (0.21) ––– g (oz) 08/06/08 1 www.irf.com

IRGP35B60PD-EP Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions Ref.Fig V(BR)CES Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 600 — — V VGE = 0V, IC = 500µA ∆V(BR)CES/∆TJ Temperature Coeff. of Breakdown Voltage — 0.78 — V/°C VGE = 0V, IC = 1mA (25°C-125°C) RG Internal Gate Resistance — 1.7 — Ω 1MHz, Open Collector — 1.85 2.15 IC = 22A, VGE = 15V 4, 5,6,8,9 V Collector-to-Emitter Saturation Voltage — 2.25 2.55 V I = 35A, V = 15V CE(on) C GE — 2.37 2.80 I = 22A, V = 15V, T = 125°C C GE J — 3.00 3.45 I = 35A, V = 15V, T = 125°C C GE J VGE(th) Gate Threshold Voltage 3.0 4.0 5.0 V IC = 250µA 7,8,9 ∆VGE(th)/∆TJ Threshold Voltage temp. coefficient — -10 — mV/°CVCE = VGE, IC = 1.0mA gfe Forward Transconductance — 36 — S V = 50V, I = 22A, PW = 80µs CE C I Collector-to-Emitter Leakage Current — 3.0 375 µA V = 0V, V = 600V CES GE CE — 0.35 — mA V = 0V, V = 600V, T = 125°C GE CE J VFM Diode Forward Voltage Drop — 1.30 1.70 V IF = 15A, VGE = 0V 10 — 1.20 1.60 I = 15A, V = 0V, T = 125°C F GE J I Gate-to-Emitter Leakage Current — — ±100 nA V = ±20V, V = 0V GES GE CE Switching Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions Ref.Fig Qg Total Gate Charge (turn-on) — 160 240 IC = 22A 17 Qgc Gate-to-Collector Charge (turn-on) — 55 83 nC VCC = 400V CT1 Q Gate-to-Emitter Charge (turn-on) — 21 32 V = 15V ge GE Eon Turn-On Switching Loss — 220 270 IC = 22A, VCC = 390V CT3 Eoff Turn-Off Switching Loss — 215 265 µJ VGE = +15V, RG = 3.3Ω, L = 200µH E Total Switching Loss — 435 535 T = 25°C (cid:0) total J td(on) Turn-On delay time — 26 34 IC = 22A, VCC = 390V CT3 tr Rise time — 6.0 8.0 ns VGE = +15V, RG = 3.3Ω, L = 200µH t Turn-Off delay time — 110 122 T = 25°C (cid:0)(cid:1)(cid:1) d(off) J t Fall time — 8.0 10 f Eon Turn-On Switching Loss — 410 465 IC = 22A, VCC = 390V CT3 Eoff Turn-Off Switching Loss — 330 405 µJ VGE = +15V, RG = 3.3Ω, L = 200µH 11,13 Etotal Total Switching Loss — 740 870 TJ = 125°C (cid:0) WF1,WF2 td(on) Turn-On delay time — 26 34 IC = 22A, VCC = 390V CT3 tr Rise time — 8.0 11 ns VGE = +15V, RG = 3.3Ω, L = 200µH 12,14 td(off) Turn-Off delay time — 130 150 TJ = 125°C(cid:1)(cid:0)(cid:1)(cid:1) WF1,WF2 t Fall time — 12 16 f Cies Input Capacitance — 3715 — VGE = 0V 16 C Output Capacitance — 265 — V = 30V oes CC C Reverse Transfer Capacitance — 47 — pF f = 1Mhz res Coes eff. Effective Output Capacitance (Time Related) (cid:2) — 135 — VGE = 0V, VCE = 0V to 480V 15 C eff. (ER) Effective Output Capacitance (Energy Related) (cid:2) — 179 — oes TJ = 150°C, IC = 120A 3 RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area FULL SQUARE VCC = 480V, Vp =600V CT2 Rg = 22Ω, VGE = +15V to 0V trr Diode Reverse Recovery Time — 42 60 ns TJ = 25°C IF = 15A, VR = 200V, 19 — 74 120 T = 125°C di/dt = 200A/µs J Qrr Diode Reverse Recovery Charge — 80 180 nC TJ = 25°C IF = 15A, VR = 200V, 21 — 220 600 T = 125°C di/dt = 200A/µs J Irr Peak Reverse Recovery Current — 4.0 6.0 A TJ = 25°C IF = 15A, VR = 200V, 19,20,21,22 — 6.5 10 TJ = 125°C di/dt = 200A/µs CT5 Notes: (cid:1) R typ. = equivalent on-resistance = V typ./ I , where V typ.= 1.85V and I =22A. I (FET Equivalent) is the equivalent MOSFET I CE(on) CE(on) C CE(on) C D D rating @ 25°C for applications up to 150kHz. These are provided for comparison purposes (only) with equivalent MOSFET solutions. (cid:2) VCC = 80% (VCES), VGE = 15V, L = 28 µH, RG = 22 Ω. (cid:3)(cid:1)Pulse width limited by max. junction temperature. (cid:4) Energy losses include "tail" and diode reverse recovery, Data generated with use of Diode 30ETH06. (cid:5) C eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time as C while V is rising from 0 to 80% V . oes oes CE CES C eff.(ER) is a fixed capacitance that stores the same energy as C while V is rising from 0 to 80% V . oes oes CE CES 2 www.irf.com

IRGP35B60PD-EP 70 350 60 300 50 250 A) 40 W) 200 (C (ot I 30 Pt 150 20 100 10 50 0 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 0 20 40 60 80 100 120 140 160 TC (°C) TC (°C) Fig. 1 - Maximum DC Collector Current vs. Fig. 2 - Power Dissipation vs. Case Case Temperature Temperature 1000 70 V = 15V GE 60 VGE = 12V VGE = 10V VGE = 8.0V 50 100 VGE = 6.0V A)C A()E 40 I C 30 I 10 20 10 1 0 10 100 1000 0 1 2 3 4 5 VCE (V) VCE (V) Fig. 3 - Reverse Bias SOA Fig. 4 - Typ. IGBT Output Characteristics TJ = 150°C; VGE =15V TJ = -40°C; tp = 80µs 70 70 VGE = 15V VGE = 15V 60 60 VGE = 12V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 10V 50 VGE = 8.0V 50 VGE = 8.0V VGE = 6.0V VGE = 6.0V A) 40 A) 40 (E (E C 30 C 30 I I 20 20 10 10 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 V (V) V (V) CE CE Fig. 5 - Typ. IGBT Output Characteristics Fig. 6 - Typ. IGBT Output Characteristics T = 25°C; tp = 80µs T = 125°C; tp = 80µs J J www.irf.com 3

IRGP35B60PD-EP 800 10 700 TJ = 25°C 9 T = 125°C J 8 600 7 500 I = 11A A) V) 6 CE (E 400 (E ICE = 22A C C 5 I = 35A I V CE 300 4 200 TJ = 125°C 3 100 TJ = 25°C 2 0 1 0 5 10 15 20 0 5 10 15 20 VGE (V) VGE (V) Fig. 7 - Typ. Transfer Characteristics Fig. 8 - Typical V vs. V CE GE VCE = 50V; tp = 10µs TJ = 25°C 10 100 9 8 A) 7 nt - I (F e V()E 6 IICCEE == 2121AA ward Curr 10 VC 5 ICE = 35A For ous TJ = 150°C 4 ane TJ = 125°C nt 3 nsta TJ = 25°C I 2 1 1 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 0 5 10 15 20 Forward Voltage Drop - V F M (V) V (V) GE Fig. 9 - Typical VCE vs. VGE Fig. 10 - Typ. Diode Forward Characteristics TJ = 125°C tp = 80µs 800 1000 700 600 EON ns) 100 tdOFF J) 500 e( µ m ( egyr 400 EOFF Tng i tdON En 300 whcii 10 tF S 200 tR 100 0 1 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 10 20 30 40 IC (A) IC (A) Fig. 11 - Typ. Energy Loss vs. I Fig. 12 - Typ. Switching Time vs. I C C TJ = 125°C; L = 200µH; VCE = 390V, RG = 3.3Ω; VGE = 15V. TJ = 125°C; L = 200µH; VCE = 390V, RG = 3.3Ω; VGE = 15V. Diode clamp used: 30ETH06 (See C.T.3) Diode clamp used: 30ETH06 (See C.T.3) 4 www.irf.com

IRGP35B60PD-EP 800 1000 700 td OFF 600 EON ns) 100 J) 500 e( egµyr( 400 EOFF mTng i tdON En 300 hci tF wi 10 S 200 t R 100 0 1 0 10 20 30 40 50 0 10 20 30 40 50 RG (Ω) RG (Ω) Fig. 13 - Typ. Energy Loss vs. RG Fig. 14 - Typ. Switching Time vs. RG TJ = 125°C; L = 200µH; VCE = 390V, ICE = 22A; VGE = 15V TJ = 125°C; L = 200µH; VCE = 390V, ICE = 22A; VGE = 15V Diode clamp used: 30ETH06 (See C.T.3) Diode clamp used: 30ETH06 (See C.T.3) 30 10000 Cies 25 20 F) 1000 p µJ) e( E(oes 15 anaccti Coes p 10 Ca 100 Cres 5 0 10 0 100 200 300 400 500 600 700 0 20 40 60 80 100 VCE (V) VCE (V) Fig. 15- Typ. Output Capacitance Fig. 16- Typ. Capacitance vs. VCE Stored Energy vs. VCE VGE= 0V; f = 1MHz 16 1.4 14 12 400V V) ( 10 on) 1.2 V) E( (E 8 VC G d V e 6 mazli 1.0 4 or N 2 0 0.8 0 50 100 150 200 -50 0 50 100 150 200 Q G, Total Gate Charge (nC) TJ (°C) Fig. 17 - Typical Gate Chargevs. V Fig. 18 - Normalized Typ. V GE CE(on) I = 22A vs. Junction Temperature CE I = 22A, V = 15V C GE www.irf.com 5

IRGP35B60PD-EP 100 100 VR = 200V VR = 200V TJ = 125°C TJ = 125°C TJ = 25°C TJ = 25°C 80 I = 30A F ) ) A t - (nsrr 60 I F = 30A I F = 15A I - (IRRM 10 IF = 15A I = 5.0A 40 F I = 5.0A F 20 1 100 di f /dt - (A/µs) 1000 100 di f /dt - (A/µs) 1000 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:13)(cid:11)(cid:14)(cid:19)(cid:11)(cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:13)(cid:11)(cid:14)(cid:4)(cid:1)(cid:13)(cid:19)(cid:20)(cid:1)(cid:21)(cid:6)(cid:1)(cid:22)(cid:21)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:13)(cid:11)(cid:14)(cid:4)(cid:1)(cid:15)(cid:16)(cid:14)(cid:14)(cid:11)(cid:17)(cid:18)(cid:1)(cid:13)(cid:19)(cid:20)(cid:1)(cid:21)(cid:6)(cid:1)(cid:22)(cid:21)(cid:18) 800 1000 V = 200V V = 200V R R T = 125°C T = 125°C J J T = 25°C T = 25°C J J 600 IF = 30A s) µ C) A/ Q - (nRR 400 I F = 15A c)M/dt - ( I F =I F 1 =5 A5.0A e I F = 5.0A di(r I F = 30A 200 0 100 100 1000 100 1000 di f /dt - (A/µs) di f /dt - (A/µs) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:23)(cid:18)(cid:12)(cid:14)(cid:11)(cid:21)(cid:1)(cid:15)(cid:24)(cid:8)(cid:14)(cid:25)(cid:11)(cid:1)(cid:13)(cid:19)(cid:20)(cid:1)(cid:21)(cid:6)(cid:22)(cid:21)(cid:18) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:1)(cid:2)(cid:1)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:21)(cid:6) (cid:22)(cid:21)(cid:18)(cid:1)(cid:13)(cid:19)(cid:20)(cid:1)(cid:21)(cid:6)(cid:22)(cid:21)(cid:18)(cid:26) (cid:1) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:1) 6 www.irf.com

IRGP35B60PD-EP 1 D = 0.50 ) C 0.1 0.20 J h t Z 0.10 mRaeponess( l 0.01 000...000251 τJτJτ1Cτi1= τi/RiR1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τCτR000i (...101°C379974/W ) 000 τ...000i (002s010e241c517)788 er0.001 Ci i/Ri h SINGLE PULSE Notes: T ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.0001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Fig 23. Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (IGBT) 10 ) CJ 1 D = 0.50 h t Z 0.20 e( 0.10 Raeponss l 0.1 000...000251 τJτJτ1τ1 R1R1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τCτR00i (..38°C6634/W ) 00 τ..00i (00s01e11c18)24 m 0.473 0.032264 er 0.01 CiC= iτi /Ri/iRi h Notes: T SINGLE PULSE 1. Duty Factor D = t1/t2 ( THERMAL RESPONSE ) 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 Fig. 24. Maximum Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (DIODE) www.irf.com 7

IRGP35B60PD-EP L L VCC DUT 80 V DUT 0 480V 1K Rg Fig.C.T.1 - Gate Charge Circuit (turn-off) Fig.C.T.2 - RBSOA Circuit VCC PFC diode L R = ICM DUT / VCC DRIVER DUT VCC Rg Rg Fig.C.T.3 - Switching Loss Circuit Fig.C.T.4 - Resistive Load Circuit REVERSE RECOVERY CIRCUIT V R = 200V 0.01Ω L = 70µH D.U.T. D dif/dt ADJUST G IRFP250 S Fig. C.T.5 - Reverse Recovery Parameter Test Circuit 8 www.irf.com

IRGP35B60PD-EP 450 45 450 45 400 40 400 40 TEST CURRENT 350 tf 35 350 35 300 30 300 30 90% I tr 250 CE 25 250 25 V) A) V) 90% test current A) V (CE125000 5% VCE 1250 I (CE V (CE125000 10% test current 1250 I (CE 100 10 100 10 5% I CE 50 5 50 5% VCE 5 0 0 0 0 Eon Loss Eoff Loss -50 -5 -50 -5 -0.20 0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 9.00 9.20 9.40 9.60 Time(µs) Time (µs) Fig. WF1 - Typ. Turn-off Loss Waveform Fig. WF2 - Typ. Turn-on Loss Waveform @ T = 25°C using Fig. CT.3 @ T = 25°C using Fig. CT.3 J J 3 trr IF ta tb 0 4 Q rr 2 IRRM 0.5 IRRM di(rec)M/dt 5 0.75 I RRM 1 di f /dt (cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:16)(cid:10)(cid:25)(cid:12)(cid:19)(cid:3)(cid:5)(cid:3)!(cid:9)(cid:19)(cid:8)(cid:3)(cid:28)(cid:15)(cid:3)(cid:13)(cid:29)(cid:9)(cid:11)(cid:30)(cid:8)(cid:3)(cid:28)(cid:15)(cid:3)(cid:13)(cid:10)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:19) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:1)(cid:3)(cid:5)(cid:3)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:7)(cid:3)(cid:13)(cid:10)(cid:7)(cid:14)(cid:8)(cid:3)(cid:12)(cid:8)(cid:15)(cid:16)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:3)(cid:17)(cid:18)(cid:3)(cid:19)(cid:1)(cid:1) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:19)(cid:29)(cid:7)(cid:28)(cid:10)(cid:30)(cid:29)(cid:3)"(cid:8)(cid:7)(cid:28)(cid:3)(cid:13)(cid:7)(cid:28)##(cid:16)(cid:11)(cid:30) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:9)(cid:11)(cid:12)(cid:3)(cid:20)(cid:2)(cid:2)(cid:3) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:19)(cid:1)(cid:1)(cid:4)(cid:21)(cid:3)(cid:20)(cid:2)(cid:2)(cid:3) (cid:23)(cid:2)(cid:3)(cid:20)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:5)(cid:3)(cid:26)(cid:8)(cid:9)(cid:27)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:14)(cid:8)(cid:7)#(cid:8)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:13)(cid:28)(cid:14)(cid:8)(cid:7)(cid:18)(cid:3)(cid:13)(cid:10)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:19) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:1)(cid:1)(cid:3)(cid:22) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:23) $(cid:2)(cid:3)(cid:19)(cid:7)(cid:7)(cid:3)(cid:5)(cid:3)!(cid:8)(cid:14)(cid:8)(cid:7)#(cid:8)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:13)(cid:28)(cid:14)(cid:8)(cid:7)(cid:18)(cid:3)(cid:19)(cid:16)%(cid:8)(cid:3)%(cid:8)(cid:9)#(cid:10)(cid:7)(cid:8)(cid:12) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:15)(cid:7)(cid:28)%(cid:3)"(cid:8)(cid:7)(cid:28)(cid:3)(cid:13)(cid:7)(cid:28)##(cid:16)(cid:11)(cid:30)(cid:3)(cid:31)(cid:28)(cid:16)(cid:11)(cid:19)(cid:3)(cid:28)(cid:15)(cid:3)(cid:11)(cid:8)(cid:30)(cid:9)(cid:19)(cid:16)(cid:14)(cid:8) (cid:24)(cid:2)(cid:3)(cid:12)(cid:16)(cid:5)(cid:1)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:25)(cid:12)(cid:19)(cid:3)(cid:5)(cid:3)(cid:26)(cid:8)(cid:9)(cid:27)(cid:3)(cid:7)(cid:9)(cid:19)(cid:8)(cid:3)(cid:28)(cid:15)(cid:3)(cid:13)(cid:29)(cid:9)(cid:11)(cid:30)(cid:8)(cid:3)(cid:28)(cid:15) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:30)(cid:28)(cid:16)(cid:11)(cid:30)(cid:3)(cid:20)(cid:11)(cid:3)(cid:19)(cid:28)(cid:3)(cid:31)(cid:28)(cid:16)(cid:11)(cid:19)(cid:3)&(cid:29)(cid:8)(cid:7)(cid:8)(cid:3)(cid:9)(cid:3)’(cid:16)(cid:11)(cid:8)(cid:3)(cid:31)(cid:9)##(cid:16)(cid:11)(cid:30) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:13)(cid:10)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:19)(cid:3)(cid:12)(cid:10)(cid:7)(cid:16)(cid:11)(cid:30)(cid:3)(cid:19)(cid:9)(cid:3)(cid:31)(cid:28)(cid:7)(cid:19)(cid:16)(cid:28)(cid:11)(cid:3)(cid:28)(cid:15)(cid:3)(cid:19)(cid:1)(cid:1) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:19)(cid:29)(cid:7)(cid:28)(cid:10)(cid:30)(cid:29)(cid:3)((cid:2))(cid:24)(cid:3)(cid:20)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:9)(cid:11)(cid:12)(cid:3)((cid:2)(cid:24)((cid:3)(cid:20)(cid:2)(cid:2)(cid:3) (cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:3)(cid:8)*(cid:19)(cid:7)(cid:9)(cid:31)(cid:28)’(cid:9)(cid:19)(cid:8)(cid:12)(cid:3)(cid:19)(cid:28)(cid:3)"(cid:8)(cid:7)(cid:28)(cid:3)(cid:13)(cid:10)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:11)(cid:19) Fig. WF3 - Reverse Recovery Waveform and Definitions www.irf.com 9

IRGP35B60PD-EP (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:23)(cid:15)(cid:11)(cid:18)(cid:24)(cid:9)(cid:2)(cid:25)(cid:13)(cid:26)(cid:16)(cid:17)(cid:24) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:11)(cid:7)(cid:12)(cid:5)(cid:8)(cid:2)(cid:5)(cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:13)(cid:13)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:14)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:8)(cid:15)(cid:2)(cid:5)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:17) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:14)(cid:11)(cid:12)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:9)(cid:19)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:12)(cid:22)(cid:11)(cid:13)(cid:16)(cid:21)(cid:17) (cid:2)(cid:23)(cid:0)(cid:3)(cid:24)(cid:5)(cid:2)(cid:25) (cid:20)(cid:21)(cid:19)(cid:1)(cid:8)(cid:19)(cid:1)(cid:8)(cid:0)(cid:14)(cid:8)(cid:19)(cid:7)(cid:26)(cid:24)(cid:16)(cid:9)(cid:4)(cid:27)(cid:11)(cid:9)(cid:28)(cid:12)(cid:29)(cid:2) (cid:15)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:8)(cid:0)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:8) (cid:24)(cid:0)(cid:7)(cid:20)(cid:8)(cid:14)!(cid:3)(cid:4)(cid:2)(cid:7) (cid:5)(cid:13)(cid:20)(cid:8)(cid:30)(cid:13)(cid:12)(cid:2)(cid:8)(cid:17)(cid:31)(cid:17) (cid:19)(cid:14)(cid:20)(cid:2)(cid:7)(cid:14)(cid:0)(cid:20)(cid:19)(cid:13)(cid:14)(cid:0)(cid:5) (cid:0)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:2)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:14)(cid:8)(cid:15)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:8)(cid:11)(cid:9)(cid:9)(cid:9) (cid:7)(cid:2)(cid:30)(cid:20)(cid:19)"(cid:19)(cid:2)(cid:7) (cid:5)(cid:13)(cid:26)(cid:13) (cid:0)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4) (cid:19)(cid:14)(cid:8)(cid:20)(cid:21)(cid:2)(cid:8)(cid:0)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:8)(cid:5)(cid:19)(cid:14)(cid:2)(cid:8)(cid:22)(cid:21)(cid:22) (cid:3)(cid:5)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:0)(cid:3)(cid:6) (cid:12)(cid:0)(cid:20)(cid:2)(cid:8)(cid:30)(cid:13)(cid:12)(cid:2) (cid:0)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:6)(cid:2)(cid:0)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10)(cid:8)(cid:11)(cid:9)(cid:9)(cid:9) (cid:14)#$%(cid:25)(cid:8)(cid:22)(cid:24)(cid:22)(cid:8)&’(cid:8)())%*+,-(cid:8),&’%(cid:8).#)&$&#’ (cid:5)(cid:13)(cid:20)(cid:8)(cid:30)(cid:13)(cid:12)(cid:2) (cid:15)(cid:2)(cid:2)(cid:28)(cid:8)(cid:16)(cid:17) &’/&0($%)(cid:8)(cid:22)(cid:5)%(/(cid:29)"1%%(cid:22) (cid:5)(cid:19)(cid:14)(cid:2)(cid:8)(cid:21) TO-247AD package is not recommended for Surface Mount Application. (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:3)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:8)(cid:8)(cid:4)(cid:14)(cid:3)(cid:6)(cid:15)(cid:8)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:19)(cid:6)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:16)(cid:11)(cid:4)(cid:6)(cid:8)(cid:4)(cid:22)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:3)(cid:2)(cid:6)(cid:23)(cid:24)(cid:6)(cid:17)(cid:4)(cid:25)(cid:11)(cid:18)(cid:3)(cid:4)(cid:6)(cid:16)(cid:3)(cid:6)(cid:9)(cid:3)(cid:3)(cid:20)(cid:5)(cid:26)(cid:26)(cid:17)(cid:17)(cid:17)(cid:27)(cid:18)(cid:8)(cid:22)(cid:27)(cid:12)(cid:2)(cid:10)(cid:26)(cid:20)(cid:16)(cid:12)(cid:28)(cid:16)(cid:19)(cid:4)(cid:26) Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for Industrial market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 08/2008 10 www.irf.com