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IRGIB15B60KD1P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRGIB15B60KD1P由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGIB15B60KD1P价格参考。International RectifierIRGIB15B60KD1P封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 600V 19A 52W Through Hole TO-220AB Full-Pak。您可以下载IRGIB15B60KD1P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGIB15B60KD1P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 30ns/173ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 38A |
描述 | IGBT 600V 19A 52W TO220FPIGBT 晶体管 600V Low-Vceon |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 56nC |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGIB15B60KD1P- |
数据手册 | |
产品型号 | IRGIB15B60KD1P |
SwitchingEnergy | 127µJ (开), 334µJ (关) |
TestCondition | 400V,15A,22 欧姆,15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V,15A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
功率-最大值 | 52W |
功率耗散 | 52 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 67ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 19 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 FP |
工厂包装数量 | 50 |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 50 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 19A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |