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  • 型号: IRGIB15B60KD1P
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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IRGIB15B60KD1P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRGIB15B60KD1P由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRGIB15B60KD1P价格参考。International RectifierIRGIB15B60KD1P封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT NPT 600V 19A 52W Through Hole TO-220AB Full-Pak。您可以下载IRGIB15B60KD1P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRGIB15B60KD1P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

30ns/173ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

38A

描述

IGBT 600V 19A 52W TO220FPIGBT 晶体管 600V Low-Vceon

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

56nC

IGBT类型

NPT

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRGIB15B60KD1P-

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产品型号

IRGIB15B60KD1P

SwitchingEnergy

127µJ (开), 334µJ (关)

TestCondition

400V,15A,22 欧姆,15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.2V @ 15V,15A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220AB 整包

功率-最大值

52W

功率耗散

52 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

67ns

商标

International Rectifier

在25C的连续集电极电流

19 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220-3 FP

工厂包装数量

50

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

标准包装

50

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

19A

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.8 V

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