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IRG7S313UTRLPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG7S313UTRLPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG7S313UTRLPBF价格参考。International RectifierIRG7S313UTRLPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench 330V 40A 78W Surface Mount D2PAK。您可以下载IRG7S313UTRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG7S313UTRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 1ns/65ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | - |
描述 | IGBT 330V 40A 78W D2PAKMOSFET 330V 40A D2PAK |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 33nC |
Id-连续漏极电流 | 44 A |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRG7S313UTRLPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG7S313UTRLPBF |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 78 W |
Pd-功率耗散 | 78 W |
Qg-GateCharge | 33 nC |
Qg-栅极电荷 | 33 nC |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | 196V, 12A, 10 欧姆 |
Vds-漏源极击穿电压 | 330 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.7 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.7 V |
上升时间 | 13 ns |
下降时间 | 68 ns |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.14V @ 15V,60A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | IRG7S313UTRLPBFCT |
功率-最大值 | 78W |
包装 | 剪切带 (CT) |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 47 S |
漏极连续电流 | 44 A |
电压-集射极击穿(最大值) | 330V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |