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IRG7PH42UD-EP产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG7PH42UD-EP由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG7PH42UD-EP价格参考。International RectifierIRG7PH42UD-EP封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench 1200V 85A 320W Through Hole TO-247AD。您可以下载IRG7PH42UD-EP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG7PH42UD-EP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 25ns/229ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 90A |
描述 | IGBT 1200V 85A 320W TO247ADIGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Generic Ind App |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 157nC |
IGBT类型 | 沟道 |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG7PH42UD-EP- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG7PH42UD-EP |
PCN组件/产地 | |
SwitchingEnergy | 2.11mJ (开), 1.18mJ (关) |
TestCondition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V,30A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AD |
其它名称 | IRG7PH42UDEP |
功率-最大值 | 320W |
功率耗散 | 320 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 153ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 85 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247 |
工厂包装数量 | 25 |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 30 V |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 85A |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |