ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IRG4PF50WPBF
Datasheet下载- 型号： IRG4PF50WPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4PF50WPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4PF50WPBF价格参考￥24.06-￥42.31。International RectifierIRG4PF50WPBF封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC。您可以下载IRG4PF50WPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRG4PF50WPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRG4PF50WPBF是一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体为单个UGBT（统一栅极双极晶体管）类型。这款器件具有多种应用场景，尤其适用于需要高效功率转换和控制的场合。 1. 电源管理：该MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理系统中。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电源转换效率，减少能量损耗，适合用于笔记本电脑适配器、服务器电源等领域。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）以及工业自动化设备中的电机控制系统里，IRG4PF50WPBF可以作为关键的功率开关元件，实现对电机速度和方向的精准控制，确保系统稳定运行并延长使用寿命。 3. 逆变器与太阳能系统：对于光伏逆变器而言，此型号能够有效处理从直流到交流的转换过程，支持可再生能源系统的高效运作。它同样适用于不间断电源（UPS）装置，在市电中断时提供可靠的电力供应保障。 4. 汽车电子：随着电动汽车和混合动力汽车的发展，该产品也越来越多地被集成到车载充电器、电池管理系统（BMS）及辅助驾驶系统中，助力提升车辆性能与安全性。 总之，凭借其卓越的电气特性和可靠性，IRG4PF50WPBF成为众多高要求应用领域的理想选择，涵盖消费类电子产品、工业控制、通信基础设施等多个方面。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 29ns/110ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 204A |
| 描述 | IGBT 900V 51A 200W TO247ACIGBT 晶体管 900V Warp 20-100kHz |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 160nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4PF50WPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRG4PF50WPBF |
| SwitchingEnergy | 190µJ （开）， 1.06mJ （关） |
| TestCondition | 720V, 28A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，28A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 其它名称 | *IRG4PF50WPBF |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 200 W |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | International Rectifier |
| 在25C的连续集电极电流 | 51 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 AC |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 900V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 51A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irg4pf50w.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irg4pf50w.spi |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 900 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.25 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 51 A |
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