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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4PC50UD-EPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4PC50UD-EPBF价格参考。International RectifierIRG4PC50UD-EPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRG4PC50UD-EPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4PC50UD-EPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRG4PC50UD-EPBF是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超微型功率晶体管)类别,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 该型号的MOSFET广泛用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)和电压调节模块(VRMs)。它能够高效地控制电流流动,降低功耗并提高系统效率。 - 在笔记本电脑适配器、手机充电器和其他便携式设备的电源中,IRG4PC50UD-EPBF可用于实现高效的能量转换。 2. 电机驱动 - 适用于小型电机驱动应用,例如家用电器(如风扇、水泵)中的无刷直流电机(BLDC)控制。其低导通电阻特性有助于减少发热并提升电机性能。 - 工业自动化设备中的步进电机或伺服电机控制也可以使用该器件。 3. 消费电子 - 在消费电子产品中,如电视、音响系统和游戏机等,IRG4PC50UD-EPBF可用于电源管理和信号切换功能。 - 它还可以用作音频放大器中的开关元件,以提供更高的动态范围和更低的失真。 4. 汽车电子 - 虽然具体是否符合车规级需要进一步确认,但类似的MOSFET通常被用于汽车电子系统中,例如电动车窗、雨刮器、座椅调节器以及LED照明控制等场景。 - 如果满足AEC-Q101标准,则可直接应用于更严苛的车载环境。 5. 通信设备 - 在基站、路由器或其他通信设备中,这款MOSFET可用于电源模块的设计,确保稳定可靠的工作状态。 特性优势: - 高频率操作能力:适合高频开关应用。 - 低导通电阻:减少功率损耗,提高整体效率。 - 紧凑封装:节省PCB空间,便于小型化设计。 综上所述,IRG4PC50UD-EPBF凭借其出色的电气特性和紧凑尺寸,成为众多电力电子应用的理想选择。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 46ns/140ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 220A |
描述 | IGBT 600V 55A 200W TO247-3IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 180nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4PC50UD-EPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4PC50UD-EPBF |
SwitchingEnergy | 990µJ (开), 590µJ (关) |
TestCondition | 480V, 27A, 5 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V,27A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
其它名称 | *IRG4PC50UD-EPBF |
功率-最大值 | 200W |
功率耗散 | 200 W |
包装 | 散装 |
反向恢复时间(trr) | 50ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 55 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247 |
工厂包装数量 | 25 |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 55A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irg4pc50ud.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irg4pc50ud.spi |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |