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IRG4PC40UD-EPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4PC40UD-EPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4PC40UD-EPBF价格参考。International RectifierIRG4PC40UD-EPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC。您可以下载IRG4PC40UD-EPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4PC40UD-EPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRG4PC40UD-EPBF是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单通道增强型N沟道功率MOSFET。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:该器件广泛应用于各种开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源管理系统中。由于其低导通电阻和快速开关特性,能够有效提高电源转换效率,减少能量损耗。 2. 电机驱动:在电机控制领域,如无刷直流电机(BLDC)、步进电机等,IRG4PC40UD-EPBF可以作为驱动电路中的关键元件,实现对电机的有效控制。它能够承受较高的电流和电压波动,确保电机运行稳定可靠。 3. 消费电子设备:适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的充电器和内部电源模块。这些设备对体积小、散热好、效率高的MOSFET有较高要求,而IRG4PC40UD-EPBF正好满足这些需求。 4. 工业自动化:在工业控制系统中,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等,这款MOSFET可用于信号隔离与放大、负载切换等功能,保证系统安全性和可靠性。 5. 汽车电子:随着电动汽车和混合动力汽车的发展,车载充电系统、电池管理系统以及电动助力转向等都需要高性能的MOSFET。IRG4PC40UD-EPBF凭借其优异的电气性能,在这些应用中表现出色。 6. 照明系统:LED照明产品中也经常使用此类MOSFET进行调光控制或恒流源设计,以实现高效节能的目的。 总之,IRG4PC40UD-EPBF凭借其卓越的性能参数和广泛的适用性,在众多电力电子领域发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 54ns/110ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
描述 | IGBT 600V 40A 160W TO247ADIGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 100nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4PC40UD-EPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRG4PC40UD-EPBF |
SwitchingEnergy | 710µJ (开), 350µJ (关) |
TestCondition | 480V, 20A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V,20A |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-247AC |
其它名称 | *IRG4PC40UD-EPBF |
功率-最大值 | 160W |
功率耗散 | 160 W |
包装 | 散装 |
反向恢复时间(trr) | 42ns |
商标 | International Rectifier |
在25C的连续集电极电流 | 40 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 AC |
工厂包装数量 | 25 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 25 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irg4pc40ud.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irg4pc40ud.spi |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.72 V |
集电极最大连续电流Ic | 40 A |