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  • 型号: IRG4PC40UD-EPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRG4PC40UD-EPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRG4PC40UD-EPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRG4PC40UD-EPBF价格参考。International RectifierIRG4PC40UD-EPBF封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC。您可以下载IRG4PC40UD-EPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRG4PC40UD-EPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRG4PC40UD-EPBF是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单通道增强型N沟道功率MOSFET。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:该器件广泛应用于各种开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源管理系统中。由于其低导通电阻和快速开关特性,能够有效提高电源转换效率,减少能量损耗。

2. 电机驱动:在电机控制领域,如无刷直流电机(BLDC)、步进电机等,IRG4PC40UD-EPBF可以作为驱动电路中的关键元件,实现对电机的有效控制。它能够承受较高的电流和电压波动,确保电机运行稳定可靠。

3. 消费电子设备:适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备的充电器和内部电源模块。这些设备对体积小、散热好、效率高的MOSFET有较高要求,而IRG4PC40UD-EPBF正好满足这些需求。

4. 工业自动化:在工业控制系统中,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等,这款MOSFET可用于信号隔离与放大、负载切换等功能,保证系统安全性和可靠性。

5. 汽车电子:随着电动汽车和混合动力汽车的发展,车载充电系统、电池管理系统以及电动助力转向等都需要高性能的MOSFET。IRG4PC40UD-EPBF凭借其优异的电气性能,在这些应用中表现出色。

6. 照明系统:LED照明产品中也经常使用此类MOSFET进行调光控制或恒流源设计,以实现高效节能的目的。

总之,IRG4PC40UD-EPBF凭借其卓越的性能参数和广泛的适用性,在众多电力电子领域发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

54ns/110ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

160A

描述

IGBT 600V 40A 160W TO247ADIGBT 晶体管 600V UltraFast 8-60kHz

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

100nC

IGBT类型

-

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,International Rectifier IRG4PC40UD-EPBF-

数据手册

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产品型号

IRG4PC40UD-EPBF

SwitchingEnergy

710µJ (开), 350µJ (关)

TestCondition

480V, 20A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.1V @ 15V,20A

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25935http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247AC

其它名称

*IRG4PC40UD-EPBF
IRG4PC40UDEPBF

功率-最大值

160W

功率耗散

160 W

包装

散装

反向恢复时间(trr)

42ns

商标

International Rectifier

在25C的连续集电极电流

40 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3 AC

工厂包装数量

25

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

25

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

40A

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irg4pc40ud.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irg4pc40ud.spi

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.72 V

集电极最大连续电流Ic

40 A

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